膨胀石墨/石蜡复合相变储能材料的制备与性能研究

以膨胀石墨为载体,石蜡为相变储能材料,制备了复合相变材料。由于膨胀石墨良好的吸附性能和毛细作用力,石蜡能稳定存在于膨胀石墨中。采用SEM、DSC和TG对复合相变材料进行表征,结果表明:膨胀石墨吸附石蜡后仍能保持原来疏松多孔的蠕虫状,稳定吸附倍率为17倍;复合相变材料的相变温度与石蜡相似,并具有较高的相变潜热。其储热时间较纯石蜡减少了66.7%～76.7%,放热时间减少82.2%。     

抚顺市计量所通过计量认证复评审

近日,在辽宁省抚顺市计量测试所成立的辽宁省唯一的强直流电节能监测中心,通过了辽宁省质监局计量认证复评审。通过评审,最终确认了中心建立的质量体系基本符合《实验室资质认定评审准则》的相关规定和要求,具备了承担第三方公正检验的条件,可以继续开展电能平衡测试、电力设备（整流）效率测试和电能计量装置等三方面的测试工作。     

用于中子散射原位测试的便携式氢(氘)气反应装置

为适应氢(氘)化物中子散射测试需要，研制了1种便携式氢(氘)气反应装置。在设计上，考虑了性能、操作、维护、安全等因素，不但可进行p-c-T曲线测定等常规试验，且可用于中子衍射仪对吸放氢过程进行原位测定。为获取较高质量的原位衍射数据，研制了Ti-Zr零基合金和高Mn奥氏体钢样品室，并采用可拆卸式保压密封设计。用自行编制的计算程序对温度和压力等影响因素进行了校正，减小了系统误差，并实现了对压力和温度等参数的微机监控。装置已成功用于氢(氘)化物原位衍射实验。     

基于材料非线性的海洋柔性立管防弯器有限元分析

建立海洋柔性立管防弯器三维有限元模型,研究聚氨酯材料非线性对防弯器弯曲性能的影响．通过算例对比不同材料属性的计算结果,发现不考虑材料非线性的计算结果与理论分析结果吻合较好．试验结果表明考虑防弯器材料非线性的立管最大曲率比不考虑材料非线性的小10％．因此,在防弯器详细分析时很有必要考虑材料非线性．     

基于虚拟节点的BP无线传感器网络定位算法

无线传感器网络中节点的准确定位是网络应用的支撑技术之一.针对网络中锚节点比例因素,提出了基于BP神经网络的次锚节点的定位算法,虚拟地增加网络中用于定位的锚节点的个数,并提出了引人虚拟节点的方法寻求较佳的次锚节点,从而提高了定位精度.该方法不依赖于节点间的距离,并利用了神经网络的并行性,因而算法简便快速,硬件结构实现简单.仿真结果证明了利用虚拟节点确定次锚节点的有效性,同时表明BP神经网络定位算法和次锚节点的引人可大大提高网络未知节点的定位精度,减少无线传感器网络的成本.     

工程机械用HQ80钢的强韧性与淬火温度的关系

以国产工程机械用ＨＱ８０钢为对象，研究了其强韧性随淬火温度的变化。结果表明，强度对淬火温度变化不敏感，而低温韧性则较敏感。９１０－９３０℃淬火可获得良好的强韧性配合。     

LaNi5-xAlxDy的中子衍射研究

分别测量了LaNi4.25Al0.75和LaNi4.75Al0.25两种合金样品在未吸氘及不同含氘量的氘化物样品的中子衍射谱，用Rietveld程序拟合出它们的晶体结构，并观察到了一些过去未曾注意的现象。LaNi4.25Al0.75在吸氘过程中，氘原子优先占据的原子坐标为（0．17，0．32，0．45）。     

关于矢量控制与直接转矩控制比较的一些思考

近年来，在学术界和产业界有研究人员指出，直接转矩控制技术是一种比矢量控制技术更先进、性能更优越的新一代交流调速控制方法。本文认为矢量控制和直接转矩控制都是可以实现高动态性能变频调速系统的控制方案，二者有各自不同的优缺点，以及各自不同的最佳应用领域，不能简单地认定孰优孰劣。通过对磁通快速控制、参数辨识、调节器自整定、非线性控制器等相关技术的研究与改进，矢量控制调速系统同样可以获得与直接转矩控制相媲美的良好的动态性能。本文借鉴IT技术发展的历史，论述了市场在技术发展中的作用，并由此推断矢量控制和直接转矩控制两种技术未来的发展方向。作者认为，由于两种控制方式不同的特色，二者将来很可能各自并行发展，两种控制系统在市场中均会占有一定的地位。     

基于ASP的钢铁企业培训中心管理信息系统的开发

论述了管理信息系统的概念，对ASP及面向对象技术设计思想的问题进行分析、建模的方法，针对梅山公司培训中心的具体情况，提出了具体的实现方案。     

(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面

用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量结果表明：ＧａＮ薄膜具有典型的闪锌矿结构；三种方法测得其晶格常数为０．４５１～０．４５７ｎｍ；在ＧａＮ／ＧａＡｓ界面处的生长模式为异质外延；ＧａＮ薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错；随着远离界面，ＧａＮ中位错密度与镶嵌组织迅速减少．