用PECVD制备的SnO_2薄膜气敏特性研究

ＳｎＯ２薄膜制备及其应用日益受到人们的重视。本文阐述了用低温等离子体化学气相沉积法制备ＳｎＯ２薄膜的工艺，并研究了所制得的纯净及掺杂Ａｇ，Ｐｄ的ＳｎＯ２薄膜的气敏特性。此法制得的元件对还原性气体，尤其是低浓度Ｈ２Ｓ，Ｃ２Ｈ５ＯＨ具有很高的灵敏度及快速的响应．     

碱土金属掺杂SnO_2薄膜气体传感器

经过真空镀锡膜、氧化和化学浸渍，制作了碱土金属掺杂ＳｎＯ２薄膜气敏元件，并测试了元件的气敏特性．结果表明，元件对乙醇和丙酮气体灵敏度和选择性得到提高、而对苯、丁烷、液化石油气、氨气、氢气和煤气不敏感．     

SnO_2气敏元件热特性规律的研究

ＳｎＯ＿２气敏元件热特性规律的研究迟宗涛，孙林学（青岛大学物理系青岛２６６０７１）关键词元件阻值；加热电流；材料常数；工作系数中图分类号ＴＰ２１２．２通过测试国内某厂家生产的ＳｎＯ２系烧结型旁热式气敏元件阻值Ｒ随加热电流ＩＢ变化的规律，给出空气中元件...     

掺杂镍酸镧材料的气敏特性研究

研究了ＴｉＯ＿２掺杂ＬａＮｉＯ＿３的气敏特性，实验表明，在中等掺杂时，材料的电导适中，气敏性能最好；ＸＲＤ证实，掺杂后ＬａＮｉＯ＿３仍属于ＡＢＯ＿３钙钛矿结构，且有新相生成。还对掺杂ＳｎＯ＿２，Ｓｂ＿２Ｏ＿３及Ｖ＿２Ｏ＿５进行了研究，指出ＳｎＯ＿２中等掺杂及Ｓｂ＿２Ｏ＿３，Ｖ＿２Ｏ＿５低掺杂时，同样能使ＬａＮｉＯ＿３的气敏性质有所改善。     

淀积和掺杂方法对氧化锡薄膜气体灵敏度的影响

采用蒸发法、反应离子溅射法和等离子增强淀积法３种方法，在ＳｉＯ＿２－Ｓｉ衬底上淀积一层ＳｎＯ＿２薄膜，在这层薄膜内用反应离子溅射或蒸发法掺人微量Ａｌ．比较这些掺杂和未掺杂样品对氢气响应灵敏度的差别，研究了响应灵敏度差别与薄膜的微观结构和表面原子价态之间的关系．     

烧结型SnO_2可燃气体敏感元件研究

采用化学沉淀法与浸渍法结合制备的Ａｇ－ＳｎＯ＿２粉料，金属银无规则地分布于ＳｎＯ＿２的表面，当Ａｇ的掺杂量为２ｗｔ％左右、工作温度在２６０℃左右时，可获得气敏性能良好的可燃气体敏感元件。     

2种不同工艺制备的“气敏－光学”敏感膜

２种不同工艺制备的“气敏－光学”敏感膜姚纲照，翁文华，周佐平（华南理工大学应用物理系广州５１０６４１）关键词薄膜；氧化锡；气敏膜；光学膜中图分类号ＴＰ２１２．２近年来，发现了ＳｎＯ２半导体薄膜的“气敏－光学”特性，即薄膜的光透过率随其周围的气体种类及...     

溶胶－凝胶法制备CrO_x／SnO_2多层薄膜气体传感器

通过溶胶－凝胶浸渍涂层方法合成了ＣｒＯ＿ｘ／ＳｎＯ＿２多层薄膜，同时添加Ｎｉ，ｐｄ等催化剂，添加量为１．０％；薄膜透明，厚度约为０．４～０．６μｍ。这种新型的薄膜传感器对低浓度还原性气体、可燃性气体具有较高的灵敏度，它具有气体传感器所必须的良好的稳定性，能用于检测环境可燃性气体。     

平面薄膜型气敏传感器

平面薄膜型气敏传感器刘文利，李建明，吕红浪，裘南畹（山东工业大学济南２５００１４）关键词薄膜；氧化锡；酒敏元件中图分类号ＴＰ２１２．２１介绍用粉末浅射研制的ＳｎＯ２／ＧｅＯ２酒敏薄膜的性能与膜厚、掺杂量、温度等的关系．发现其最佳厚度在１０－１～２×１...     

气敏元件的表面修饰技术的研究与应用

表面修饰技术是一种利用物理和化学的方法对气敏元件的表面进行改性的方法，具体地说，它又可分为以下３种方法：１）表面掺杂法，即把贵金属及金属氧化物掺在氧化物气敏半导体表面上的方法（共混，共沉淀，浸渍，喷涂分解和物理吸附等）；２）表面处理法，即将已完成的气敏元件，放入各种气氛中进行处理的方法；３）表面催化层法，即在元件表面上，涂上一种催化层，以除去干扰气体并把非活性气体进行分解的方法，近几年我们通过表面掺杂法，对ＳｎＯ２，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＷＯ３等敏感材料进行掺杂，获得了Ｈ２，Ｈ２Ｓ，Ｏ２，ＮＯ２，Ｃ２Ｈ５ＯＨ和ＣＨ４等高灵敏度、高选择性气体传感器．通过制作掺Ｐｄ，Ｇａ２Ｏ３等催化活性层、防止了Ｃ２Ｈ５ＯＨ等气体的干扰，研制出高选择性ＣＨ４元件并使其实用化．利用表面处理法在开发Ｈ２Ｓ元件，Ｃ２Ｈ５ＯＨ元件方面也取得了良好效果．     

喷墨打印次数对SnO2气敏薄膜性能的影响

利用溶胶-凝胶法配制了SnO2前驱溶液墨水,采用喷墨打印技术在金叉指氧化铝基片上制备了不同打印次数的SnO2气敏薄膜元件,通过XRD,SEM对薄膜进行结构分析和形貌观察,研究了喷墨打印次数的改变对薄膜电阻及其气敏性能的影响.实验表明,增加薄膜喷墨打印次数可降低薄膜电阻,提高SnO2薄膜对乙醇、丙酮气体的灵敏度,但会降低对NOx的灵敏性.     

氧化铁气敏薄膜的电子显微分析

采用等离子体化学气相沉积法制备了氧化铁气敏薄膜；用扫描电子显微镜分析了不同衬底及不同衬底温度对氧化铁薄膜表面形貌的影响。     

酪蛋白磷酸肽钙- 乳清蛋白复合膜物理性质的研究

在乳清分离蛋白(WPI)基础膜中引入酪蛋白磷酸肽钙(CPPs)制备成富钙的单层复配膜和双层复合膜,并对膜的有关物理性质(机械强度、含水量、水蒸气透过系数)进行评价。单层复配膜中CPPs 与WPI 的最大百分比为8%,总钙含量最高为0.59%。CPPs 的添加量对所测膜的物理性质没有显著影响(P ＞ 0.05)。双层复合膜可使总钙含量高达28% 以上,但同时也使膜的机械强度较单层复配膜降低近一半,且含水量显著降低(P ＜ 0.05)。     

金属氧化物气敏薄膜的厚度效应(Ⅰ)--气敏薄膜厚度效应的实验规律

介绍了Ｎ型金属氧化物气敏薄膜厚度效应的实验规律,给出了响应时间和恢复时间随膜厚及气体浓度变化的规律,指出了气敏薄膜存在最佳灵敏度的膜厚和最佳晶粒尺寸的事实;给出了低真空退火后气敏薄膜的电导激活能随膜厚变化的实验曲线。     

CoFe_2O_4的制备、结构表征与气敏性能

采用共沉淀方法,以可溶性钴盐和铁盐为源物质,以氢氧化物作为沉淀剂,制备出了具有尖晶石结构的CoFe2O4复合氧化物粉末.由CoFe2O4粉体制成的旁热式厚膜气敏元件无需掺杂,对乙醇、丙酮、乙酸具有较高的灵敏度.     

CoFe2O4的制备、结构表征与气敏性能

采用共沉淀方法,以可溶性钴盐和铁盐为源物质,以氢氧化物作为沉淀剂,制备出了具有尖晶石结构的CoFe2O4复合氧化物粉末.由CoFe2O4粉体制成的旁热式厚膜气敏元件无需掺杂,对乙醇、丙酮、乙酸具有较高的灵敏度.     

掺吲哚CuPc薄膜对NO_2气敏的影响

吲哚是一种化学稳定剂，为探讨吲哚掺入ＣｕＰｃ薄膜对ＮＯ＿２气敏特性的影响，用共沉积的方法在ＣｕＰｃ薄膜中掺入吲哚，从制备的ＣｕＰｃ夹层光电池测试中，探讨了吲哚对ＣｕＰｃ薄膜的光电导的影响；由Ｘ－线衍射分析了吲哚对ＣｕＰｃ薄膜的结构的影响，测试了掺杂对ＮＯ＿２敏感特性的影响，结果表明，掺入吲哚可抑制ＣｕＰｃ的光电导，提高其气敏的稳定性；同时使得ＣｕＰｃ分子在基片上的排列趋向单一有序，对改善ＣｕＰｃ薄膜气敏的灵敏度和时间特性具有积极意义。     

半导体CO2传感器的研制

以SnO2为主体材料,以CuO等为掺杂剂,制备出半导体式CO2传感器.该传感器在φ(CO2)<5%时对CO2气体具有对数线性响应,响应时间2 min,恢复时间5 min,通过使用过滤层和定期高温清洁技术,提高了传感器的稳定性和选择性.