注砷硅片低能电子束退火

本文报道了用低能大面积电子束处理注砷硅片的实验结果。由四探针和背散射、沟道效应测量结果表明，用本方法退火的样品具有电激活率高和砷原子再分布小的优点。     

关于Cu-Au合金溅射机制的研究

本文报道了用热中子活化法测量Cu-Au合金在80keV Ar~+离子不同剂量轰击下的部分溅射产额比S_Cu/S_Au,并用卢瑟福背散射(RBS)技术分析样品中元素的反冲以及表面层成分的相对变化,从而研究了元素择优溅射对表面层变化所起的作用。     

PBS法测量Ti膜中H同位素深度分布

在Mo底衬上制备了约5m的3个TiDxTy样品,用质子背散射（PBS）法分析了D、T在Ti膜中的深度分布,其中,T的分析能得出较为准确的结果,而D的分析结果受质子在Mo底衬中多次散射信号的影响偏差较大。分析结果表明,PBS法测量的T含量和浓度与样品制备过程中测量的结果一致,且T在Ti膜中分布均匀。这证明PBS法可用于对材料中T浓度与分布的分析。     

质子非卢瑟福背散射测量气溶胶样品中氢、碳、氮和氧的含量

气溶胶样品中Z＞12以上元素含量的质子荧光(PIXE)分析是北京师范大学GIC4117串列加速器的主要应用领域之一。为弥补PIXE无法分析H、C、N和O等轻元素之不足，在PIXE靶室160°散射角安装金硅面垒探测器，用质子非卢瑟福背散射分析（PNBS）方法对核孔膜采集的气溶胶样品中H、C、N和O等轻元素的含量进行测量。测量得到的气溶胶样品中H和Si元素含量与质子前角散射（PESA）和PIXE的分析结果相近，表明PNBS可用于核孔膜采集的气溶胶样品的分析。     

微束背散射分析元素微区分布的研究

微束背散射分析元素微区分布的分析方法使上海原子核研究所的质子微探针能在微区内综合使用质子激发Ｘ射线荧光和背散射等多种核效应，为样品由轻元素到重元素的全面无损、双微（微区、微量）分析提供了依据。应用该方法还测量了Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣ复合陶瓷材料，证明了该分析方法的可靠性。     

北师大串列加速器在气溶胶离子束分析上的新进展

气溶胶样品中Z＞12元素含量的质子X射线荧光分析是北师大GIC4117串列加速器的主要应用领域之一.为弥补该方法不能分析H、C、N和O等轻元素之不足,我们通过在PIXE靶室40°和160°散射角安装金硅面垒探测器,用质子前角弹性散射分析和非卢瑟福背散射方法对核孔膜采集的气溶胶样品中H、C、N和O等轻元素的含量进行了测量.     

带有透射窗的背散射式探测器

本文提出了用于~(57)Fe穆斯堡尔谱测量的带有透射窗的高分辨、背散射式探测器的设计,用它可测内转换电子或6.3keV的转换X射线。探测器对6.3keV X射线的能量分辨率是18％,对14.4keV的γ光子能量分辨率是13％,并且对较低能量粒子呈现出更高的检测效率。 这种在样品盒内设置透射铍窗的探测器结构非常适于组成双通道穆斯堡尔谱仪,有利于同时进行吸收谱与背散射谱的测量。     

背散射分析测定锗(锂漂移)表面的氟化钙薄膜厚度

在制造同轴锗(锂漂移)探测器时,为了减少表面漏电流、降低噪声,需要在锗表面生长一层有一定厚度的氟化钙复盖膜。因此,在选择加工工艺条件时,要求测量此层的厚度。 背散射分析一般不适合于测量重基体表面上的轻材料薄膜.我们用测量基体背散射能谱的位移量的方法,测出了锗(锂漂移)表面上氟化钙薄膜的厚度。     

用时间分辨反射率技术研究硅的固相外延

用时间分辨反射率技术实时测量了Ｓｉ＋、Ａｓ＋注入单晶硅的固相外延生长速率和外延层厚度，并与背散射沟道方法测得的非晶层厚度进行了比较。介绍了测量原理，分析了实验结果．     

氢和其它轻元素的同时分析

准确测定材料中的成分及杂质的含量和其深度分布在新材料的研制中有重要作用。近年来，在新材料的研制和改性中经常用各种方法加入不同量的氢成分来改变材料的各种性能。由于卢瑟福背散射(RBS)不能测量H，人们通常用RBS测其它元素，再用α束弹性反冲法测H。两次测量存在截面归一和样品两次受照带来的辐射损伤问题。     

使用背散射与二次离子质谱方法分析类金刚石厚样品中的杂质

卢瑟福背散射分析是测定薄膜或镀层成分和厚度的成熟手段,但在分析含多种微量元素成分的厚样品时,精确测定样品中多种元素的分布是比较困难的。二次离子质谱对样品表面成分有较高的质量分辨能力,可以作为对卢瑟福背散射分析的补充。在北京大学2×1.7 MV串列静电加速器终端上,结合使用这两种分析方法,分析了类金刚石厚样品中的金属元素杂质。     

^16O弹性前冲测量氦的深度分布

利用１２ＭｅＶ的１６Ｏ离子弹性前冲测量（ＥＲＤ）方法，研究了以２０ｋｅＶ和４０ｋｅＶ注入４Ｈｅ的镀钛样品。通过分析ＥＲＤ能谱，得到了注入４Ｈｅ的深度分布，并与非卢瑟福背散射结果进行了比较。对４０ｋｅＶ注入的样品观察到有双峰分布，２０ｋｅＶ注入的样品没有双峰分布，实验结果与ＴＲＩＭ模拟计算结果进行了比较。     

用背散射方法分析硅中注入砷的深度分布

用离子注入方法能快速地将一种杂质元素射入到半导体材料中,而杂质元素在材料中的浓度随深度的分布直接影响了材料的性能,因此准确测定它们是十分必要的。我们用背散射分析法分析了注入砷的硅样品。 1.实验方法和数据处理 样品是电阻率为7～15Ω·cm、〈111〉晶向的p型单晶硅。为避免沟道,约倾斜7°注入,经严格清洗后在氮气保护下,在不同退火条件下恒温退火。背散射实验工作是在原子能所静电加速器上进行的,选用     

硅酸盐玻璃成分及杂质元素在玻璃中分布的探讨

本文用离子束背散射分析方法,测定了几种硅酸盐玻璃的成分以及杂质元素在玻璃中的分布。(1)给出硅酸盐玻璃所含成分,结果与制备样品时主要元素配比值基本接近。(2)硅酸盐玻璃的主要成分是SiO_2,很易受碱溶液的腐蚀。经过Ba(NO_3)_2熔盐在外加直流电场作用下处理的样品,用背散射测量,结果表明表面层中扩散进相当量的Ba离子,浓度高达5×10~(21)atom/cm~3,在深度大于700A处,仍有2.4×10~(21)atom/cm~3的浓度,因此,在玻璃表面形成大量BaO,提高     

Au离子注入花生种胚深度的研究

使用金属蒸汽真空孤离子源（MEVVA源）离子注入机对花生种胚进行Au离子的注入，采用卢瑟福背散射（RBS）和X射线能谱分析（EDAX）法测量Au元素在花生种子中的深度分布，并观察注入前后的样品形貌。结果表明，由于样品表面粗糙，RBS不适于测量Au元素在花生种子中的浓度分布，而EDAX的测量则显示Au元素在花生种子的最大穿透深度可达15μm。另外本文还讨论了离子注入的诱变机理。     

穆斯堡尔谱测量的多丝正比室探测器

穆斯堡尔谱的测量通常有透射法和背散射法,使用的探测器有闪烁计数器和正比计数器等。如常用~(57)Co作穆斯堡尔源时,透射法是用闪烁计数器或正比计数器测量无反冲吸收后被吸收体~957)Fe核放出的X射线。背散射法是用正比计数器,可测量放出的K壳层X射线或内转换电子,测量背散射穆斯堡尔谱是研究固体表面物理性能的有用方法,近几年来发展很快,应用在簿膜的结构和性质的研究,表面化学和冶金、扩散、腐蚀和离子注入等诸方面的研究。     

Ar离子束致非晶Ti-Al和Fe-Al合金的形成

本文对室温下100keV Ar离子束注入到Ti-Al和Fe-Al两个二元系中几种成分的样品进行了研究。透射电镜、背散射分析和表面电阻测量被用于对多层膜离子束混合过程的分析。研究结果表明:Ti-Al二元系中能在很宽的成分范围内形成非晶相,而Fe-Al二元系中只有成分为Fe_(25)Al_(75)附近的样品中才观察到非晶相的形成。对这两个系统中的结果,本文进行了初步的讨论。     

双通道穆斯堡尔谱仪的两种接法

使用双通道穆斯堡尔谱仪同时测得两个穆斯堡尔谱是提高工作效率的一种有效途径。如果在通常的单通道穆斯堡尔谱仪的驱动器两端各加一个放射源,用两个探测器分别测取两个样品的穆斯堡尔谱,同时存储于一台多道分析器中,则组成了所说的双通道穆斯堡尔谱仪。如果使用带有透射窗的背散射探测器,使用一个放射源就可组成另一种形式的双通道穆斯堡尔谱仪,且有利于吸收谱与背散射谱同时测量。可见,把单通道穆斯堡尔谱仪改装     

背散射谱学的数据分析

本文提供了一个适用于微机的卢瑟福背散射能谱模拟计算程序和解谱程序。模拟程序所用的算法假设样品均匀，采用数学分层模型。探测器分辨率的影响用高斯分布卷积理想能谱来处理。能量歧离的影响很难有效计算，程序中未加考虑。解谱程序利用经验证准确的模拟程序，将其改装成一个标准背散射能谱发生器ＧｅｎＲＢＳ（Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ ｏｆ ＲＢＳ）产生一组与实验数据拟合的标准背散射能谱数据。拟合参数是待求的定量结果。拟合过     

燃煤灰分核分析方法

介绍两种燃煤灰分核分析方法，即双能γ透射法和单能γ背散射法的基本原理，用Monte-Carlo计算技术进行模拟计算，分析影响测量结果准确性的相关因素并得出结论。