半导体器件键合用铝—硅合金微细丝的研究

利用铝-硅合金微细丝可取代金丝作为集成电路晶体管的管芯和管脚联接引线,能够节省纯金和降低成本,颇有经济意义。目前国内难以批量生产这种材料,本文研究了Al-1％Si和Al-1％ Si-0.2％Ce合金微细丝的加工技术,制成φ0.051毫米的丝材;发现往铝-硅合金中添加适量的铈能够提高抗破断力和延伸率。     

硅以后大约是碳

人类学家说,你我同属现代直立人,大概20万年前由智人变过来。历史学家将这20万年分为石器时代、铜器时代和铁器时代。社会学家宣称现在到了信息时代。想一下,还是历史学家深沉。人类的物质文明归根到底是器具的制作和使用,以材料作为文明阶段的标识再简明不过了。 信息时代的特征性材料是硅,按历史学家的论法,与石器时代相对,当代应该叫硅器时代。1947年发明了晶体管,1957年发明了集成电路。硅器件集成度(单位面积硅片上的晶体管数量)的“日新月异”造就了信息时代的日新月异。如果有一天,集成度无法继续提高,我们会坐视困在硅中吗?按照人类的主流价值观,答案是:不,绝不！ 在集成电路发明近50年的时候,科学界认为硅极限一天天浮现,碳取而代之的可能性最大。     

东山再起的半导体锗

<正> 众所周知,世界第一个晶体管是用锗作成的,随后半导体锗就成为生产晶体管的主要原料。到了60年代中期,硅的晶体管产量超过了锗晶体管,随着集成电路的发展,锗在电子器件中的应用每况愈下,到了80年代中期,用于电子器件中的锗只占锗金属总产量(80～90t/a)的5％以下。在应用中占主要地位的是锗的光学应用(红外窗口与透镜、光纤、锗玻璃)及以化合     

美建成世界第一台碳纳米管计算机

美国斯坦福大学研究人员已建成全球第一台完全使用碳纳米管的计算机。专家认为,这一成果或将开启电子设备新时代。
　　美国斯坦福大学研究人员在《自然》杂志上报告说,用碳纳米管代替硅制造晶体管无法取得突破,主要因为作为半导体材料,碳纳米管有两方面内在缺陷：首先,碳纳米管很难被整齐排列形成晶体管电路;其次,由碳纳米管排列方式所致,被制成晶体管后,它们其中一部分像金属一样总是具有导电性。研究人员找到一个双管齐下的方法规避上述缺陷：一方面,设计出一种聪明的计算方法,可以自动忽略排列混乱的那部分碳纳米管;另一方面,他们将晶体管电路中总是具有导电性的那部分充电烧毁,结果就得到一个正常的电路。研究人员利用该设计方法建成的碳纳米管计算机芯片包含178个晶体管,其中每个晶体管由10至200个碳纳米管构成。不过,这一设备只是未来碳纳米管电子设备的基本原型,目前只能运行支持计数和排列等简单功能的操作系统。     

DRI-5000型储能点焊机

一、用途 DRI—5000型储能点焊机,主要用来封焊晶体管管座、管帽用,可应用于制造晶体管、可空硅、集成电路等电子工业中。二、结构特点一、结构特点 DRI—5000型焊机系利用电容储能,以其放电脉冲电流进行焊接,焊机能量消耗小,而动力特性较好。     

抓住西部大开发机遇 大力发展半导体硅材料

单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功,导致了电子工业的一次重大革命,使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。微电子用半导体硅材料和光电子材料已成为21世纪信息社会的两大支柱高技术产业的基础材料。它的发展将会使通信、高速计算机、大容量信息处理、空间防御、电子对抗以及武器     

微型计算机的基础知识

一、简介自从1946年世界上出现第一台电子数字计算机以来,计算机的科学发展十分迅速,按照组成计算机的电子器件来划分,至今经历了电子管,晶体管,集成电路和大规模集成电路器代的演变。计算机发展的一个明显趋势是体积越来越小,价格越来越低。以大规模集成电路(LSI)为基础的微型计算机正因为具有体积小,价格低廉,耗电量少等显著优点,自1971年问世以来,得到了迅速发展,已成为现代电子计算机的一个重要发展方向。     

首个使用偏振的超快光处理器面世 计算密度比电子芯片高几个数量级北大核心

英国牛津大学研究人员开发了一种使用光的偏振来实现最大化信息存储密度的设备。新研究使用多个偏振通道展开了并行处理,计算密度比传统电子芯片提高了几个数量级。自1958年第一块集成电路发明以来,将更多晶体管封装到特定尺寸的电子芯片中,一直是实现最大化计算密度的首选方法。然而,人工智能和机器学习需要专门的硬件突破现有计算的界限,因此电子工程领域面临的主要问题是如何将更多功能打包到单个晶体管中。     

金的应用与展望

<正> 金是一种贵金属,有关它的物理特点和化学性质在《金属世界》上已作过大量报导,本文仅对金在工业上的应用做一些介绍: 电子工业 这方面的应用很广泛,尤其是用于通讯技术和电工技术。在制造集成电路、接插件、晶体管元件等方面都离不开金。新一代计算机、通讯仪表、通讯卫星等都有     

铝电解厂用直流数字仪表(3)

常用的数字逻辑集成电路有TTL(晶体管——晶体管逻辑),HTL(高阀值晶体管逻辑)CMOS(互补MOS晶体管逻辑),PMOS(P型沟道MOS晶体管逻辑)等。其中PMOS数字逻辑集成电路是用得较广的一种,它是以P型沟道增强型(或耗尽型)MOS晶体管为基     

金刚石基MOSFETs的最新进展

<正>随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不再满足高频高功率电子器件领域的需求。近年来,金刚石基MOSFETs的相关研究引起了人们的极大关注。金刚石具有能带间隙宽、导热系数高和载流子迁移率高等优良电学特性,在高温高压高频高功率电子器件应用领域前景广阔。然而,金刚石基电子器件从材料制备到器件应用这一过程的实现还存在诸多挑战,比如大尺寸金刚石晶圆的制备、高质量金刚     

硅基底TiO2纳米管阵列的制备

本文采用磁控溅射方法在硅基底上沉积一层金属钛膜,用于取代传统阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列所用的金属钛片.分别在乙二醇和丙三醇两种电解液中进行阳极氧化,均在硅基底上形成了高度有序的TiO2纳米管阵列.该方法与硅工艺集成技术兼容,有利于基于TiO2纳米管阵列的微纳米器件的设计和制造.     

一维钨纳米结构阵列的可控制备

采用金属催化法结合化学气相沉积法制备一维W纳米结构阵列,对一维W纳米结构阵列可控制备进行系统的研究。结果表明:一维W纳米结构阵列的直径主要受到催化剂和N_2流量的影响,随着催化剂颗粒尺寸的减小或者N_2流量的减小,催化生长后W纳米线直径的尺寸也相应变小;一维W纳米结构阵列的长度主要受到生长时间的影响,生长时间的延长会使W纳米线阵列的长度也相应的增加,有利于超长W纳米线阵列的合成;一维W纳米结构阵列的密度主要受到催化剂和WO_3粉末粒径的影响,随着催化剂颗粒的密度的增加或者WO_3粒径的减小,W纳米线阵列的密度也相应增加;一维W纳米结构阵列的形貌主要受到生长温度和基片材料的影响。     

集成电路外壳瓷片的引进模具介绍

<正> 黑瓷低熔玻璃双列直插外壳是集成电路的一种重要封装形式。由于其价廉物美,在集成电路封装中占有相当大的比重,目前这种封装在我国正处于上升趋势。 一、产品介绍     

模具行业情况介绍

<正> 国营742厂模具车间 该厂为电子工业部直属厂,模具车间有较好的加工设备和热处理、金相分析等设备,主要生产精密的级进模及晶体管和集成电路的多工位塑料包封模,年产各种模具约300套左右,其中包括少数中、大型模具。该厂善于生产集成电路引线片的级进模,随着产品的技术引进,     

硅基ZnO纳米棒阵列异质结太阳能电池的水热合成及其光伏性能

通过低温水热法,在图案化的p型硅衬底上合成氧化锌（ZnO）纳米棒阵列薄膜,制备出具有p-Si/n-ZnO纳米棒（NR）阵列结构的异质结太阳能电池（HSCs）。通过直流磁控溅射技术,分别在前后面板溅射沉积ITO和Al膜接触电极层。研究ZnO籽晶层的退火温度、ZnO纳米棒阵列水热合成的时间等因素对ZnO纳米棒阵列的晶体结构、表面形貌和光学性能的影响。p-Si/n-ZnO纳米棒阵列HSCs的最佳短路电流密度和总能量转换效率分别为11.475 mA·cm^-2和2.0%。相比p-Si/n-ZnO薄膜HSCs,p-Si/n-ZnO纳米棒阵列HSCs的光伏性能得到了有效提高。     

超低载荷下亚微米聚苯乙烯球阵列摩擦性能的表面形貌依存性

将尺寸均匀的亚微米聚苯乙烯球(Φ750nm)自组装排列于硅基板表面,形成具有不同表面形貌特征的单层阵列薄膜。研究发现基板表面的微球在载荷作用下可发生滚动,实现滑动摩擦向滚动摩擦的转变,从而明显减小摩擦力,且聚苯乙烯球自身的弹性变形也是摩擦力减小的重要因素。3种典型样品即密排球阵列、非密排球阵列和硅基板的摩擦性能呈现明显的表面形貌依存性。其中非密排球阵列呈现最佳摩擦性能,在1 200μN载荷下,非密排球阵列的摩擦因数为0.056,分别是密排球阵列和硅基板摩擦因数的73%和63%。     

浅谈微电子产品焊接的特点

随着科学技术的发展，其电子产品在经历了电子管、晶体管、集成电路、大规模集成电路后，由于产品体积大为减小，对元器件及电路等方面的焊接也提出更高更苛刻的要求。尤其是微电子信息产品的微焊技术，已发展成声、光、电、磁、物理、化学、机电一体化的新的焊接学科，     

作为晶体管和集成电路焊线用的金丝之技术发展

1.金丝的用途用特细金丝做引线,把晶体管、集成电路和大规模集成电路等半导体元件所具有的电气特性引到外部导线,用引线结合器,把集成电路等的硅片上的电极和引线框的内引线之间用金丝连接起来的操作,在半导体的组装中,叫做引线接线接合法。这在过去曾经是许多女工在显微镜下从事精细劳动产业的典型,由于日本的半导体制造厂和设备制     

基于光学测量技术的球形电机位姿检测方法研究

为解决现有球形电机检测系统结构复杂、成本较高的问题,提出了一种基于光学测量的非接触式检测技术。分别在球形转子和定子上布置环形光源和硅光电池阵列,转子带动环形光源偏转导致硅光电池阵列上光斑面积发生变化,从而影响输出电流。建立了短路电流与位姿角的数学模型,并搭建实验平台,对球形主动关节转子进行轨迹规划,实验表明,该方法能实现球形转子位姿的准确测量,位姿角误差控制在0.45°以内。研究结果对转动刚体的位姿检测和空间定位具有理论与实用价值。