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碳纳米管在力、热、光、电等方面都显示出独特的性质,受到众多领域专家的广泛关注,而定向生长的碳纳米管阵列的获得具有更深远的科学意义。详细介绍了国内外定向生长碳纳米管阵列的制备方法,重点阐述了化学气相沉积法(CVD)的制备流程和生长机理以及其工艺参数对生成碳管阵列的影响。简要论述了碳纳米管阵列在几个典型应用领域的研究进展。 相似文献
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定向生长的多壁碳纳米管2~18GHz复介电常数与复磁导率谱 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了定向生长的多壁碳纳米管2~18GHz的复介电常数与复磁导率谱.定向生长的碳纳米管的介电常数要小于采用普通化学气相沉积法制备的碳纳米管,而磁导率大于采用普通化学气相沉积法制备的碳纳米管.透射电镜观察发现定向生长的碳纳米管中腔内规则分布着纳米Fe颗粒,同时也有部分Fe颗粒被碳层片所包覆,沉积在碳纳米管的外表面上. Fe颗粒的存在可以解释定向生长的碳纳米管所具有的较高的磁导率.在定向生长的碳纳米管制备过程中,通过调节催化剂进给数量和速度可以调节Fe颗粒在碳纳米管中的分布,这为碳纳米管的电磁性能的调控提供了一种新的途径. 相似文献
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研究和探讨了预处理和温度影响对碳纳米管定向生长机制的作用。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以金属Fe薄膜为催化剂,在单晶硅衬底上定向生长碳纳米管(CNT)。通过给予不同的预处理时间和温度条件,在Fe/Si衬底上沉积出碳纳米管,通过扫描电子显微镜(SEM)进行表征,将不同的条件下生长的碳纳米管进行对比。结果表明,在适当的工艺条件下,可以生长出方向性好,纯度高的碳纳米管。 相似文献
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本文介绍了目前有关定向纳米碳管制备的一些主要方法 ,并概述了定向纳米碳管的形态结构特征。定向生长的纳米碳管阵列由于其优越的电子发射特性 ,因而在平面显示器等方面具有良好的应用前景 相似文献
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以FeaO4纳米粒子为催化剂,CH4和H2为气源,采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积技术(ECR-CVD)在多孔硅基底上制备出定向生长的碳纳米管.研究了气氛组成、气压、温度和反应时间对碳纳米管生长特性的影响.使用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱(Raman spectrum)表征了样品的形貌和结构.结果表明:气氛组成和气压影响了反应腔内离解碳的浓度,从而影响碳纳米管的成核、生长速度及定向生长;温度的变化改变催化剂的尺寸从而改变碳纳米管的直径,在过低的温度下碳纳米管不能实现定向生长;碳纳米管随着反应时间的延长而不断增长,但超过一定时间后催化剂颗粒被碳包覆而失去催化作用,生长停止. 相似文献