Ag／La0.67Sr0.33MnO3/Pt异质结构的电阻开关特性

采用脉冲激光沉积技术在Pt／Ti／SiO2／Si（100）衬底上制备出多晶La0.67Sr0.33MnO3（LSMO）薄膜,对其电脉冲致非挥发可逆电阻开关特性进行研究．结果表明,Ag/LSMO／Pt结构具有明显的室温电脉冲诱发电阻开关特性,且在宽电压脉冲作用下表现出较低的开关电压和较快的变阻饱和速度．由此可见,总脉冲能量或电荷（电流作用）为该结构的电阻开关效应提供驱动力．对Ag／LsMO／Pt结构进行了耐久性测试,表明该结构具有良好的疲劳特性与保持特性,可应用于新型不挥发存储器、传感器及可变电阻等电子元器件的研制     

SnO2:F沉积的La0.67Sr0.33MnO3薄膜的电阻开关特性研究

采用脉冲激光沉积技术在SnO2:F(FTO)衬底上制备了La0.67 Sr0.33 MnO3( LSMO)薄膜.室温下利用直流电压对Au/LSMO/FTO三明治结构的器件进行了电化学测试.结果显示样品具有明显的双极性电阻开关性能.通过对I-V特性曲线进行分析,认为在高阻态时肖特基势垒和空间电荷限制电流输运机制调控.在高场区,电阻开关的高低阻态现象由电子陷阱中心分布的不对称引起的空间电荷限制电流理论来解释.     

钙钛矿结构氧化物电脉冲诱发可逆变阻机理的研究进展

系统论述了钙钛矿结构氧化物电脉冲诱发可逆变阻效应的非挥发存储机理，对三种物理模型：体效应模型、界面效应模型和导电畴隧穿模型进行了详细讨论，并提出了可逆变阻效应的实用化所面临的关键问题及其发展方向。     

PLZST陶瓷衬底上La0.7Sr0.3MnO3薄膜生长及其磁性能和电输运特性研究

采用磁控溅射法在PLZST陶瓷衬底上制备了不同厚度的LSMO薄膜, 并对其微结构、磁性能及电输运特性进行了研究。结果表明, LSMO薄膜具有单一钙钛矿结构, 晶粒均匀, 表面平整, 其中20 nm厚LSMO薄膜粗糙度仅为2.93 nm。在10~300 K温度范围内, LSMO薄膜均具有大的磁电阻效应, 20 nm厚的LSMO薄膜磁电阻温度稳定性优异。随着薄膜厚度的增加, 薄膜的居里温度、金属绝缘体转变温度、磁化强度和导电性能降低。这可能是由于Pb、Sn、Zr等离子扩散进入LSMO薄膜中, 导致MnO₆八面体畸变造成的。     

自旋在有机半导体中的输运

当前的微电子器件主要是通过控制半导体中载流子的电荷来存储、处理和传输信息,电子的自旋自由度长期在这些应用中被忽略。自旋电子学主要是研究与载流子的自旋相关的各种现象和效应,为在微电子器件中集成这些自旋效应,产生各种更新更强的功能的自旋器件奠定基础。有机半导体材料由于自旋轨道作用和超精细作用很弱,自旋扩散长度被认为很长,因而是一种具有很强应用潜力的自旋电子材料。最近,我们研究组首次成功的在低温下,以有机材料Alq_3作为中间层,La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3(LSMO)和Co分别作为两个电极的三明治结构中,低温下获得了高达40%的巨磁电阻效应。磁电阻随有机材料厚度的增加指数衰减,根据修正后的Jullierre模型,自旋扩散长度估计为约45nm。另外,巨磁电阻效应随温度的升高而降低,在温度较高时,样品除了有巨磁电阻效应之外,还明显表现出一种物理机理完全不同的高场磁电阻效应,电阻随磁场的增加而持续降低。为了进一步研究这种高场磁电阻效应的物理机理,我们制备了仅有一个铁磁性电极的有机发光二极管LSMO/有机/Al器件,实验结果表明高场磁阻效应与有机材料和制备方法无关,同时,发光器件的电致发光效应随磁场的增大而...     

La-Ca-Mn-O巨磁电阻薄膜的电阻变化

研究了类钙铁矿结构La0.67Ca033MnOx巨磁电阻薄膜(生长在LaAlO3衬底)的电阻变化,观察到负巨磁电阻效应,讨论了优化制备工艺提高巨磁电阻效应和最大电阻温度,其效应可用于设计新电磁器件。同时讨论了巨磁电阻效应的机理,给出合理解释。     

PLZST陶瓷衬底上La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜生长及其磁性能和电输运特性研究（英文）

采用磁控溅射法在PLZST陶瓷衬底上制备了不同厚度的LSMO薄膜,并对其微结构、磁性能及电输运特性进行了研究。结果表明,LSMO薄膜具有单一钙钛矿结构,晶粒均匀,表面平整,其中20 nm厚LSMO薄膜粗糙度仅为2.93 nm。在10~300 K温度范围内,LSMO薄膜均具有大的磁电阻效应,20 nm厚的LSMO薄膜磁电阻温度稳定性优异。随着薄膜厚度的增加,薄膜的居里温度、金属绝缘体转变温度、磁化强度和导电性能降低。这可能是由于Pb、Sn、Zr等离子扩散进入LSMO薄膜中,导致MnO 6八面体畸变造成的。     

衬底温度和生长氧压对La0.67Sr0.33MnO3:Ag0.08薄膜激光感生电压效应的影响

通过化学共沉淀法制备了La_0.67Sr_0.33MnO₃:Ag_0.08 (LSMO:Ag_0.08)多晶材料, 然后采用脉冲激光沉积(PLD)技术在LaAlO₃ (LAO)倾斜衬底上制备了LSMO:Ag_0.08薄膜。研究了衬底温度和生长氧压对薄膜结构、电输运特性及激光感生电压(LIV)效应的影响。结果表明: 当衬底温度为790℃、生长氧压为45 Pa时, 薄膜具有最大峰值电压(U_p)、优值(F_m)和各向异性Seebeck系数(ΔS); 在优化的衬底温度和生长氧压条件下, 长程Jahn-Teller协变引起ΔS数值提高, 这是LIV信号增强的主要原因。     

氧化铁忆阻器中缺陷态诱导的模拟型阻变及突触双脉冲易化特性

模拟型阻变突触特性能够为神经形态计算提供高的计算精度并避免计算过程中带来的电导卡滞、跃变以及失效等问题。模拟生物突触在刺激脉冲下的行为,能够更好地揭示电子器件的仿生特性机理并为高性能神经形态计算提供支撑。突触双脉冲易化是生物突触的重要特性,反映了在外界刺激作用下的易化和适应性过程,对揭示神经元的工作机制至关重要。为了构建突触双脉冲易化的模拟型忆阻器件,本研究通过器件的能带结构设计及氧空位缺陷态的调控,利用射频磁控溅射法制备了一种结构为Ag/FeOx/ITO的忆阻器。电学测试结果表明,该器件具有优异的渐进递增的非线性阻变特性,即模拟型阻变特性。在I-V循环扫描3000次范围内,这种器件均表现出模拟型阻变特性,可提供稳定的、可分离的16个电导状态,且在104 s内维持良好,说明这些电导状态是非易失性的,这主要归功于电子在氧空位缺陷态中的捕获与去捕获以及在势垒间隧穿行为。但是,在低电场强度情况下,捕获的热电子有可能会跃迁出浅陷阱能级,而呈现出易失性。根据这种器件的易失性和非易失性共存特性,通过调制电压脉冲宽度、幅度,器件能够表现出很好的突触双脉冲易化特性,显示出该类型器件在神经形态计算中的潜...     

Sr0.4Pb0.6TiO3基陶瓷晶界组成对热敏特性的影响

采用固相烧结工艺制备出了Sr0.4Pb0.6TiO3半导体陶瓷元件，其阻温特性具有独特的NTCR和PTCR复合效应，陶瓷室温电阻率及居里点以下的NTCR效应随着烧结温度的升高而提高，适当过量PbO则能降低陶瓷室温电阻率及其NTCR效应。利用XRD，SEM和EDS分别对样品的相结构，形貌及成份分布等进行分析。结果显示晶界中的Sr,Ti含量相对较高，而Pb含量相对较低，材料的阻温特性明显受其影响，铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现NTCR效应的主要原因之一，同时探讨Y^3 离子掺杂（Sr,Pb)TiO3陶瓷的半导体机理和热敏特性。