空制剂中金属离子对多元醇热法制备纳米银线的影响

以含有不同金属离子的Cl盐晶体为控制剂,采用多元醇热法制备高性能的银纳米线,通过SEM、TEM、SAED和XRD对不同条件下的Ag产物形貌和结构进行比较,研究了控制剂中不同金属离子对AgNWs一维生长均匀性和纯度的影响,结果表明,在含Fe卦控制剂Fecl3·6H2O0作用下,且浓度相同,反应时间为40min即可制得高纯度高长径比的AgNWs,说明强还原性金属离子对制备高性能银纳米线有优化促进作用,从而提高AzNWs的合成效率。     

醇热法可控制备大长径比银纳米线的研究

使用多元醇热还原法制备出了具有大长径比的银纳米线,研究了银纳米线的生长过程并分析了其生长机制。实验选择不同的还原剂种类、不同分子量的PVP及成核控制剂进行了研究。优化了AgNO3的浓度、反应温度和时间等工艺参数,得到了乙二醇体系下制备出银纳米线的最佳实验方案,其优化工艺参数为2mmol/L硫化钠乙二醇溶液、0.19~0.25g PVP、50mmol/L硝酸银乙二醇溶液。对所得银纳米线的形貌和结构进行了系统的表征。结果表明,产物为面心立方结构的纯银纳米线,产物结晶度好、尺寸形貌均匀、长度为100~200μm、直径为60~100nm。按此方案进行放大制备,得到的银纳米线仍然保持良好的形貌尺寸,且产量高、工艺稳定,具有量产的可能。     

多元醇法制备银纳米线的研究进展

由于银纳米线独特可调谐的光学性,良好的导电性、导热性以及极高的透明度而受到越来越多科研人员的关注。采用多元醇法制备银纳米线的工艺简单、成本低、效率高,且制备的银纳米线具有良好的控制形态和尺寸均匀性。为了更好地了解多元醇法,综述了多元醇法制备银纳米线的几种常见影响因素,以期制备出形貌稳定的高长径比的银纳米线,介绍了银纳米线在传感器、透明电极和太阳能电池等方面的应用。     

L-半胱氨酸法制备银纳米线材料及其电化学性能

为了加快银纳米线材料的合成速度,在制备过程中利用L-半胱氨酸作为反应过程中形成Ag2S胶体的硫源,将合成银纳米线的前驱体硝酸银的浓度提高到了1 mol/L,利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和X射线衍射仪对制备的银纳米线材料进行了表征,利用循环伏安法和电化学阻抗法对银纳米线修饰的铂电极电化学性能进行了研究.结果表明:L-半胱氨酸的引入可以明显降低体系中硝酸的浓度,提高银纳米线的产量,使得银纳米线的合成时间降低到20 min;电化学实验结果表明:制备的银纳米线材料具备良好的电子传递能力、较大的比表面积和较强的电化学性能,利用这些特点有望改善无酶传感器的性能.     

溶剂热法中Na_2S浓度对银纳米线合成的影响

系统地探讨了溶剂热法中不同Na2S浓度对制备银纳米线的影响。采用扫描电镜、X射线衍射仪和紫外-可见分光光度计对样品进行表征及分析。结果表明,Na2S浓度对银纳米线的合成有着重要的影响,在一定浓度范围内,随着Na2S浓度的增加,银纳米线逐渐增加;当Na2S浓度为1mmol/L时,可以得到尺度均匀的纯银纳米线,浓度过大时又会出现类球状银纳米颗粒。     

银纳米线的溶剂热合成与表征

以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面活性剂、乙二醇为溶剂,通过简易的溶剂热方法合成了银纳米线.结果表明,在反应体系中乙二醇不仅能作为溶剂,而且还能起到还原剂的作用.用XRD、SEM对产物进行了表征.考察了乙二醇和PVP用量等对银纳米线合成的影响;找出了合成的较佳条件.对银纳米线的合成机理进行了初步探讨.     

基于银纳米线的柔性透明导电薄膜的研究

为了提高透明导电膜的柔性和导电性,近年来银纳米线透明导电薄膜的制备受到越来越多的关注。银纳米线的合成方法主要为水热合成法、种子诱导法等。本文论述了银纳米线的制备技术及其优缺点,阐述当前银纳米线透明导电薄膜领域的最新研究成果,并对其市场应用及发展趋势进行了展望。     

生物降解水处理剂聚天冬氨酸研究进展

聚天冬氨酸具有高生物可降解性,是一种"环境友好"的新型水处理剂.本文介绍了聚天冬氨酸的不同合成方法,论述了不同合成工艺中分子量、产率和色度的主要影响因素,探讨了不同工艺的反应机理,综述了近年来聚天冬氨酸性能的研究进展.     

纳米银线与嵌段聚合物复合导电材料的研究

用可逆加成-断裂链转移(RAFT)方法合成两亲性嵌段共聚物聚(甲基丙烯酸甲酯-b-丙烯酸)(PMMA-PAA),多元醇法制得银纳米线,并将两者复合制备出导电复合材料。采用扫描电镜、透射电镜、红外光谱、核磁共振分别对产物进行了表征。通过改变纳米银线的质量比制得具有不同电导性的复合材料,用四探针测试仪测试其电导性,研究了电导率随银纳米线质量比改变的变化规律,结果表明复合材料的电导率随银纳米线含量的增加而变大。     

生物降解水处理剂聚天冬氨酸研究进展

聚天冬氨酸具有高生物可降解性．是一种“环境友好”的新型水处理剂。本文介绍了聚天冬氨酸的不同合成方法．论述了不同合成工艺中分子量、产率和色度的主要影响因素．探讨了不同工艺的反应机理．综述了近年来聚天冬氨酸性能的研究进展。     

银纳米线的多元醇法制备工艺条件研究

采用多元醇法制备出均匀银纳米线,并详细讨论了温度、PVP与硝酸银物质的量比以及不同卤化物对银纳米线生长的影响。结果表明:当反应温度过低时,无法生成银纳米线,提高反应温度,银纳米线的长度增长;过高的反应温度会导致银纳米线长度不均匀,并降低银纳米线产率;适量的PVP可以促进银纳米线的生长,银纳米线的直径随PVP加入的物质的量的增加而减小;NaCl中Na~+没有去氧能力,CuCl_2中Cu~(2+)去氧能力比FeCl_3中的Fe~(3+)去氧能力强,Br~-促进了银单晶纳米立方块的生成。     

室温离子液体在材料合成中的应用

室温离子液体的物理和化学性质相对稳定,具有结构可调的特性.作为一种新功能材料广泛用于材料合成领域.根据离子液体在材料合成中的不同作用,本文从离子液体作为反应溶剂、模板剂、电解液、以及同时作为溶剂和模板剂这4个方面介绍了其在材料合成中的应用研究进展.     

钨晶须/纳米线的制备工艺原理及最新研究进展

综述了钨晶须/纳米线几种典型的制备方法及其最新研究进展,如气相沉积法、金属催化诱导法、电化学蚀刻法、模板法等,介绍了气-固、气-液-固和气-固-固生长机制及模型,分析了钨晶须/纳米线在研究和应用中存在的主要问题,指出钨晶须/纳米线生长过程中的影响因素、生长模型建立及钨晶须/纳米线的形貌、组成和产率综合调控是未来重要的研究方向.     

高长径比银纳米线合成过程中聚乙烯吡咯烷酮的影响机制研究

利用乙二醇还原法合成银纳米线。研究了表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮的浓度、添加时间、滴加速度对产物形貌及银纳米线长径比的影响。结果表明,聚乙烯吡咯烷酮的添加细节影响了其对银纳米晶的包覆程度,从而影响了银纳米线的生成。优化实验参数为加入硝酸银14min后添加聚乙烯吡咯烷酮(浓度0.15mol/L,滴加速率15μL/s)。在此参数下可得到大量长径比200以上的银纳米线,以此银纳米线制备的电极,透光率达到70%以上,方块电阻为50.7Ω/cm2。     

银纳米线柔性透明导电薄膜的可控制备和光、电性能

柔性电子学的高速发展,亟需开发新型高透光率、低电阻的的柔性透明导电薄膜。首先在聚乙烯吡咯烷酮(PVP)存在下,用乙二醇还原硝酸银法合成了银纳米线,并采用氯化铁(FeCl3)调节纳米线的直径和长径比,获得了直径为100nm、长度为47μm、分散均匀的银纳米线。然后将银纳米线沉积在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜上形成银纳米线导电薄膜,研究了银纳米线沉积密度和直径对导电薄膜透光率和方阻的影响规律。研究发现,随着纳米线沉积密度的增加,导电薄膜的透过率和方阻都降低,但其品质系数(F.O.M.)增加,最高可达410。当导电薄膜的透光率为80%时,银纳米线直径为35和70nm的体系具有较低方阻,约132Ω/□。而且,该导电薄膜还表现出良好的耐弯曲性能。     

金属纳米线的阶边精饰合成及应用

综述了阶边精饰法合成金属纳米线的研究进展,阐述了高定向石墨(HOPG)原子台阶上电沉积金属纳米线的合成原理,并介绍了金属纳米线在功能材料、磁性材料、电子材料、传感器等方面的应用前景.     

氧化物辅助生长硅纳米线

氧化物辅助生长机理是近年来在合成硅纳米线的过程中发展起来的一种研究一维纳米材料生长的机理,根据此机理已经制备出了多种一维纳米材料.介绍了氧化物辅助生长机理及其根据此机理制备硅纳米线的制备方法,载气、压力及原料等不同条件对合成硅纳米线的影响等进展情况,并对其发展作了展望.     

L-半胱氨酸诱导单晶银纳米线的快速合成及表征

采用化学还原法,以聚乙烯砒咯烷酮(PVP)为稳定剂和形貌控制剂,乙二醇为还原剂,在L-半胱氨酸诱导下,由硝酸银快速制备了银纳米线。采用紫外-可见吸收光谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、选区电子衍射和透射电子显微镜手段对所得产物进行表征,结果表明利用L-半胱氨酸诱导可在15min内制备直径为100nm左右,长度约几百微米的银纳米线,并具有单晶结构,根据实验结果提出了可能的银纳米线快速合成机理。     

多元醇热法制备银纳米线及其在透明导电薄膜中的应用

利用多元醇热法,以乙二醇为溶剂和还原剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面活性剂,硝酸银为银源,讨论了温度和二氧化钛(P25)在混合体系中的添加量对银纳米线长度的影响。用扫描电子显微镜(SEM)对银纳米线的形貌进行了表征,利用X射线衍射(XRD)分析了银纳米线的晶体结构,利用紫外可见透射光谱分析了在350~1 100nm波段内的银纳米薄膜的透光性能。研究表明,当温度为140℃,且在反应体系中添加4 mg P25时,银纳米线的平均长度最长,制备的银纳米线薄膜透过率在550nm为88%时,薄膜方块电阻为12.1Ω/□。     

硒纳米线的合成及表征

采用对环境友好的绿色合成方法,在碱性条件下,利用氧化还原体系把高价硒还原成灰黑色的三方相硒.以蔗糖、葡聚糖为软模板和形态导向剂,制备出了尺寸均匀、形态不同的硒纳米线.并用XRD、SEM等分析手段对产物的形貌和结构进行了表征,并对它们的成线机理做了相应的分析和解释.结果表明,两种不同的糖对硒纳米线生长的影响不同,在蔗糖条...