Ni—Ti—Cu粉末的机械合金化

用ＴＥＭ研究了Ｎｉ４０Ｔｉ５０Ｃｕ１０粉末在球磨过程中，颗粒尺寸及微观结构的变化。球磨６０小时后，得到非晶相粉末。用ＸＲＤ研究了球磨工艺条件对衍射峰相对强度和晶格常数的影响，结果表明，提高球磨转速和球料比，加快颗粒细化和合金化过程，合金化过程中，Ｃｕ和Ｎｉ原子向Ｔｉ中扩散速率较快，这与Ｔｉ的原子半径较大有关。ＤＳＣ测定了晶化转变开始温度为５１１℃。     

Ni50Ti50非晶粉末在球磨时的稳定性

将Ｎｉ５０Ｔｉ５０单质混合粉末经机械合金化形成非晶态合，再进一步球磨使其产生晶化。结果表明，晶化产物为Ｎｉ３Ｔｉ金属间化合物。当Ｎｉ５０Ｔｉ５０非晶体加热时，产生的晶化产物有ＮｉＴｉ，ＮｉＴｉ２和Ｎｉ３Ｔｉ三种金属间化合物。本文通过ＤＳＣ差热分析，测定了Ｎｉ５０Ｔｉ５０非晶合金的晶化热及晶化激活能，并讨论了过度球磨时非晶晶化机制。     

TiO2对ZrO2—NiCr金属陶瓷烧结特性和相稳定性的影响

本文研究了ＴｉＯ２掺入对ＣａＯ稳定ＺｒＯ２（简称ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ）金属陶瓷烧结特性的影响，测定了ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ－ＴｉＯ２金属陶瓷烧结样品的密度和显微硬度，结果表明，ＴｉＯ２的掺入能提高ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷的烧结密度和显微硬度，对ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷有助烧结作用。金相观察表明，ＴｉＯ２的掺入改变了ＮｉＣｒ相在金属陶瓷中的形貌，说明了ＮｉＣｒ与ＣａＳＺ的浸润性有一定的改善。ＸＲＤ和Ｅ     

TiO_2对ZrO_2－NiCr金属陶瓷烧结特性和相稳定性的影响

本文研究了ＴｉＯ２掺入对ＣａＯ稳定ＺｒＯ２（简称ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ）金属陶瓷烧结特性的影响，测定了ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ－ＴｉＯ２金属陶瓷烧结样品的密度和显微硬度，结果表明，ＴｉＯ２的掺入能提高ＣａＳＺ－ＮＩＣｒ金属陶瓷的烧结密度和显微硬度，对ＣａＳＺ－ＮｉＣｒ金属陶瓷有助烧结作用．金相观察表明，ＴｉＯ３的掺入改变了ＮｉＣｒ相在金属陶瓷中的形貌，说明了ＮｉＣｒ与ＣａＳＺ的浸润性有一定的改善．ＸＲＤ和ＥＰＭＡ分析结果显示，ＴｉＯ２偏聚在ＮｉＣｒ金属相中，不影响ＣａＳＺ的稳定性．     

高导电粒子微观渗透提高Ni涂层屏蔽效能的研究

本文采用高导电粒子和微观渗透来提高Ｎｉ含量（５０％ｗｔ）的Ｎｉ涂层经Ｃｕ粒子微观渗透后，屏蔽效能比高Ｎｉ含量（８５％ｗｔ）的提高２０ｄＢ左右。这是由于Ｃｕ渗透入Ｎｉ涂层中微观孔洞网络内沉积，形成更多的锁链通道和电子隧道，增大导电网络密度，使其导电性能提高１个数量级所致。并探讨了控制Ｎｉ涂层导电性的理论。     

Si3N4／Ti／Cu／Ni二次部分瞬间液相连接

在用Ｔｉ／Ｎｉ／Ｔｉ中间层进行Ｓｉ３Ｎ４陶瓷部分瞬间液相连接试验的基础上，设计了Ｔｉ／Ｃｕ／Ｎｉ中间层，提出二次部分瞬液相连接的新方法。认为二次部分瞬间液相连接能避免脆性Ｎｉ－Ｔｉ化合物层的形成，提高连接接头强度。     

试样参数对划痕试验临界载荷的影响

本文有摩擦力监测的划痕法研究了试样参数（基体硬度、膜厚、基体表面粗糙度等）对硬质摩膜（或软膜）的临界载荷Ｌｃ的影响．样品基材是Ｗ６Ｍｏ５Ｃｒ４Ｖ２、５ＣｒＭｎＭｏ、４５钢、Ａ３钢和不锈钢．膜层为磁控溅射离子镀ＴｉＮ膜和Ｔｉ膜、化学镀ＮｉＰＣＵ膜，以及在Ｓｉ３Ｎ４上溅射镀Ａｌ膜．结果发现离子度ＴｉＮ膜和Ｔｉ膜与ＮｉＰＣｕ膜规律不同，ＴｉＮ膜和Ｔｉ膜的临界载荷Ｌｃ随基体硬度的提高而提高，但当基体硬度接近和超过膜层硬度时，Ｌｃ变化不大；基体粗糙度增加时Ｌｃ下降；随膜厚的增加Ｌｃ提高．而化学镀ＮｉＰＣｕ膜的临界载荷Ｌｃ随基体硬度的提高而下降，随基体表面粗糙度的提高而增加．以Ｗ６Ｍｏ５Ｃｒ４Ｖ２为基体的ＮｉＰＣｕ膜，随膜厚的增加Ｌｃ变化不大．本文对上述规律的实质进行了初步探讨，并对目前生产中正在推广的工具钢磁控溅射离子镀ＴｉＮ膜的划痕法标准提出建议．     

Ti—Ni形状记忆合金DSC曲线的特征

系统研究了Ｔｉ－Ｎｉ形状记忆合金时效后ＤＳＣ曲线的特征。结果表明，Ｔｉ－Ｎｉ合金的ＤＳＣ曲线分６种类型复杂ＤＳＣ曲线可用不完全循环法分析。根据成分时效工艺不同，Ｔｉ－Ｎｉ合金可发生７种可逆相变。     

Ti50Ni50—xPdx合金的高温形状记忆特性

以有关ＴｉＮｉＰｄ合金文献的实验数据为基础,总结Ｔｉ５０Ｎｉ５０－ｘＰｄｘ合金的相变温度与组分的关系,确定Ｔｉ５０Ｎｉ５０－ｘＰｄｘ合金的相变过程,并简要分析影响合金形状记忆效应的有关因素。     

陶瓷薄膜与金属间的浸润性及其界面的研究

本文在对 ＴｉＮ、ＴｉＣ陶瓷薄膜与金属 Ａｇ、 Ｃｕ、 Ｎｉ、 Ｆｅ间的浸润性测量的基础上，用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、电子探针（ＥＰＭＡ）对其界面进行了观察。结果表明：浸润性较差的Ａｇ、Ｃｕ与ＴｉＮ、ＴｉＣ的界面平整，几乎没有发生相互扩散和化学反应；而浸润性较好的 Ｆｅ、Ｎｉ与 ＴｉＮ、ＴｉＣ的界面有明显的扩散和化学反应现象沿着ＴｉＮ、ＴｉＣ的晶界扩散；薄膜部分甚至全部溶入金属中。ＴｉＣ薄膜与Ｆｅ的界面反应程度大于ＴｉＮ 薄膜。