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为适应现代信息技术超高速、超高频和超大容量的发展趋势,研究者开始关注同时具备磁性及半导体特性的材料。从20世纪80年代开始,研究者尝试将少量的磁性原子掺人非磁性宽禁带半导体材料中,以获得磁性半导体材料,制备出集磁、光、电子一体的低功耗新型半导体电子器件。 相似文献
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中国的电力不足问题加速了LED(发光二极管)取代传统的照明设施,预计2006年,中国内地的LED市场将达到160亿元人民币,而到2010年,这个市场将达300亿元。LED全球十强之一的首尔半导体株式会社宣布,首尔半导体的市场增长将主要来自中国,今后将有更多的工厂搬到中国。 相似文献
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半导体制冷在空调中应用的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文针对半导体制冷方式在空气调节中的应用进行了性能分析,提出了改善半导体制冷系数的基本方向是改进半导体材料性能,目前,可通过改善传热条件,提高半导体制冷的性能。 相似文献
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曹明霞 《功能材料与器件学报》2013,(3):144-146
随着中国已成为全球最大半导体单一市场,中国本土半导体在国际业者的帮助及自身努力下迅速发展,已形成从设计、制造及应用完整的产业链,来自中国半导体产业链各环节厂商在今年SEMICON China上展现了整体实力。 相似文献
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8月24~26日,第三届中国国际集成电路产业展览及北京微电子国际研讨会(IC China 2005)在北京隆重召开。国务院副总理曾培炎发来贺词。信息产业部副部长娄勤俭等多位政府官员、美日等国半导体行业协会专家、全球知名半导体公司代表均参加了此次盛会。会上,业内人士一致认为全球半导体产业将出现复苏,而中国的半导体产业正在从高速发展期转入平稳增长期。 相似文献
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《新材料产业》2013,(12):7-8
事件:继硅(si)引导的第一代半导体和砷化镓(GaAs)引导的第二代半导体后,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力,因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外,第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点,因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看,较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料,而Zn0、金刚石和A1N等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。 相似文献
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从日本半导体硅片厂家信越半导体集团、小松电子金属、东芝陶瓷公司公布的2004年4~9月份的中期联合结算可知,随着半导体产业在电脑、数码家电等方面需求的扩大,硅片的销售额增长了20%左右。 相似文献
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