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相似文献
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1.
分别使用反应溅射Al+α-Al2O3(15% α-Al2O3,质量分数)复合靶和在金箔基体表面预植α-Al2O3籽晶,促进α-Al2O3薄膜的低温沉积。使用扫描电子显微镜(SEM)、掠入射X射线衍射(GIXRD)和能谱仪(EDS)等方法表征薄膜样品的表面形貌、相结构和元素组成。结果表明,在射频反应溅射Al+α-Al2O3复合靶、沉积温度为560℃条件下能在Si(100)基体上沉积出化学计量比的单相α-Al2O3薄膜;使用射频反应溅射Al靶、沉积温度为500℃条件下能在预植α-Al2O3籽晶(籽晶密度为106/cm2)的金箔表面沉积出化学计量比的单相α-Al2O3薄膜。两种研究方案的结果均表明,α-Al2O3籽晶能促进低温沉积单相α-Al2O3薄膜。  相似文献   

2.
采用直接吸附法制备了Pd负载量为0.03% (质量分数)的Pd/γ-Al2O3和Pd/CeO2/γ-Al2O3催化剂, 并用于评价VOCs的催化氧化性能。通过X射线衍射(XRD)、N2吸附-脱附(BET)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、氢气程序升温还原(H2-TPR)等对催化剂的结构和表面性能进行了表征。结果表明, 在VOCs体积分数为0.1%, 空速(GHSV)为18000 mL/(g·h)条件下, Pd/CeO2/γ-Al2O3催化剂上甲苯、丙酮和乙酸乙酯实现98%转化率的温度分别为205、220和275 ℃, 比Pd/γ-Al2O3分别降低了15、15和20 ℃, 而且即使在较高的气体空速下, Pd/CeO2/ γ-Al2O3催化剂仍能展现出优异的催化氧化性能, 且具有很好的稳定性和选择性。氧化铈的加入对材料的物理化学性质和催化活性有一定的影响, 其中Pd/CeO2/γ-Al2O3含有Ce 3+和高含量的PdO, 活性物种主要以PdO形式均匀地分散在载体γ-Al2O3表面。另外, PdO与非化学计量的CeO2之间的金属-载体相互作用增强了Pd/CeO2/γ-Al2O3催化氧化性能。  相似文献   

3.
Mn4+激活红光荧光粉是白光半导体发光二极管(wLEDs)领域当前研究热点之一。Mn4+离子2E→4A2跃迁在铝酸盐中的最短发光波长是在MgAl2O4中实现的651 nm发光, 由于其结构中含有形成四面体或八面体配位的两种阳离子格位(Mg2+/Al3+), 易造成所掺杂锰元素存在多种价态(+2/+4/+3等)。本研究通过改变起始原料中Al2O3的晶型(γ/α比例)及退火处理来调控锰离子在MgAl2O4晶格中的占据格位, 对其主要存在价态实现调控。采用荧光光谱和紫外-可见-近红外漫反射光谱技术来表征所合成荧光粉中Mn离子的价态及其演变。研究发现, 高α/(α+γ)比铝源促进Mn2+形成, 而低α/(α+γ)比铝源促进Mn4+形成。通过使用高活性纳米γ-Al2O3为铝源, 有效抑制了锰离子在MgAl2O4中Mg2+格位的占据及Mn2+离子的形成, 经空气中1550 ℃保温5 h的一次高温热处理即可制备出在可见光区只有Mn4+红光发光的高纯高亮度MgAl2O4:Mn4+荧光粉。氧化铝晶型影响锰离子掺杂格位和掺杂价态的本质规律是: 氧化铝活性决定实际固溶掺杂反应步骤, 进而影响锰离子掺杂格位和价态。本研究提出的反应步骤调控作为反应气氛、电荷补偿剂、反应温度三种调控方法外的一种新方法, 为Mn4+激活铝酸盐荧光粉中锰离子掺杂价态调控提供了新思路。  相似文献   

4.
通过聚苯乙烯(PS)胶晶球模板法制备出三维有序大孔(3DOM)α-Fe2O3薄膜骨架, 再利用磁控溅射将Al沉积到3DOM α-Fe2O3骨架上得到核/壳结构的Fe2O3/Al纳米铝热复合薄膜。扫描电镜(SEM)测试结果表明: 纳米Al均匀地附着在α-Fe2O3骨架表面, 骨架孔结构由原先的近圆形转变为Al沉积后的类菱形, 孔壁的厚度从32 nm增加到100 nm; 采用X射线能谱(EDS)对Fe2O3/Al纳米铝热薄膜的元素含量进行了分析; 由差示扫描量热法(DSC)分析显示铝热薄膜在490℃开始反应, 经历固-固和固-液两个反应阶段, 总放热量达到1374.7 J/g; 使用激光点火器对铝热薄膜进行点火, 薄膜飞溅出火花并伴有明亮刺眼的亮光, 整个发火时间达2.6 ms, 显示其能被点火并发生自蔓延反应, 可作为一种理想的点火材料。  相似文献   

5.
采用浸渍法合成了Cu-Mn/γ-Al2O3催化剂, 通过XRD、BET、H2-TPR和XPS等方法对经不同温度(300~600℃)焙烧的催化剂进行表征, 采用固定床管式反应装置考察了焙烧温度对催化剂催化氧化甲苯的影响, 并讨论活性组分、表面Cu+/(Cu++Cu2+)和Mn4+/(Mn4++Mn3+)摩尔比值与催化剂活性的关系。结果发现, 550℃焙烧温度的催化剂活性最好, 氧化能力最强, 其转化率为95%时对应的反应温度T95(286 ℃)最低, CO2的选择性达100%。在550℃焙烧时生成的Cu1.4Mn1.6O4新相以及催化剂表面中相对含量更高的Cu+和Mn4+是催化剂具有高活性的主要原因。  相似文献   

6.
采用射频磁控溅射技术和后期退火在蓝宝石衬底上成功制备了β-Ga2O3薄膜。借助于X射线衍射(XRD)、拉曼散射光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、以及二次离子质谱(SIMS)研究了缺陷对β-Ga2O3薄膜的结构和光学特性的影响。结果表明,未退火的Ga2O3薄膜呈现非晶态,随高温退火时间逐渐增加,非晶Ga2O3薄膜逐步转变为沿(-201)方向择优生长的β-Ga2O3薄膜。所有Ga2O3薄膜在近紫外到可见光区的平均透过率都高达95%,β相Ga2O3薄膜的光学带隙比非晶态薄膜增加~0.3 eV,且随退火时间的增加,β-Ga2O3薄膜的光学带隙也随之变宽。此外,发现非晶Ga2O3薄膜富含氧空位缺陷,高温退火处理后,β-Ga2O3薄膜中的氧空位浓度明显降低,但蓝宝石衬底中的Al极易扩散至Ga2O3薄膜层,并随退火时间的增加Al浓度明显增加,氧空位的降低和Al杂质的增加是导致β-Ga2O3薄膜光学带隙变宽的主要原因。  相似文献   

7.
采用脉冲激光沉积法制备了斜方相Sc2W3O12薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对Sc2W3O12靶材和Sc2W3O12薄膜组分、表面形貌和靶材断面形貌进行表征, 研究衬底温度与氧分压对薄膜制备的影响。采用变温XRD和热机械分析仪(TMA)分析了Sc2W3O12陶瓷靶材和薄膜的负热膨胀特性。实验结果表明: 经1000℃烧结6 h得到结构致密的斜方相Sc2W3O12陶瓷靶材, 其在室温到600℃的温度范围内平均热膨胀系数为-5.28×10-6 K-1。在室温到500℃衬底温度范围内脉冲激光沉积制备的Sc2W3O12薄膜均为非晶态, 随着衬底温度的升高, 薄膜表面光滑程度提高; 随着沉积氧压强增大, 表面平整性变差。非晶膜经1000℃退火处理7 min后得到斜方相Sc2W3O12多晶薄膜, 在室温到600℃温度区间内, Sc2W3O12薄膜的平均热膨胀系数为-7.17×10-6 K-1。  相似文献   

8.
目前,对低压冷喷涂Al-Al2O3复合涂层的研究主要集中在工艺和性能方面,对颗粒的沉积特性和机理的研究较少。为此,利用低压冷喷涂技术沉积Al-Al2O3复合涂层,研究了不同载气温度对复合涂层沉积特性的影响规律,采用扫描电镜(SEM)、三维轮廓仪对复合涂层的厚度、表面形貌、显微组织进行了分析。结果表明:不同载气温度(300,400,500,600℃)制备的Al-Al2O3复合涂层厚度依次为213.34,321.62,920.64,986.97μm,复合涂层厚度随载气温度升高而增加,尤其当冷喷涂载气温度由400℃变为500℃时,沉积层厚度增幅达186.25%;复合涂层表面最大高度差Hmax和粗糙度Ra随载气温度升高呈增加趋势,载气温度为400℃时复合涂层表面质量最优,当载气温度由400℃变为500℃时Hmax和Ra增幅最大,分别为72.68%和52.22%,随载气温度的升高复合涂层表面质量下降;复合涂层中形变Al颗粒的扁平率随载气温度升高呈下降趋势,复合涂层中Al颗粒由塑性变形量较大的扁平状(300℃)逐渐变为塑性变形量较小的椭球形(600℃),随载气温度升高Al-Al2O3涂层的沉积率突增和颗粒扁平率下降归因于Al颗粒的热软化效应。  相似文献   

9.
研究了以超重力熔铸方法制备的Y2O3-Al2O3-SiO2玻璃的晶化行为, 并结合相图分析了热处理条件对晶化过程的影响规律。实验结果表明, Y2O3-Al2O3-SiO2玻璃的晶化行为与热处理温度和SiO2含量密切相关。当热处理温度为1050℃时, 晶化后样品的相组成沿超重力场方向呈现出梯度分布, 自上而下分别为Al6Si2O13玻璃陶瓷、纯玻璃相、χ-Al2O3玻璃陶瓷。当退火温度为1100℃时, 析出晶相主要为Y3Al5O12及Y2Si2O7; 退火温度为1200℃时主要析出Y3Al5O12。因此, 以超重力熔铸法制备YAS玻璃结合后续热处理的工艺, 提供了一种快速制备YAS基微晶玻璃的新方法。  相似文献   

10.
本研究使用改良的碳热还原氮化法合成超细氮化铝粉体。以γ氧化铝和蔗糖作为铝源和碳源, 先预处理制备成多孔泡沫, 再通过碳热还原氮化法合成氮化铝粉体。反应过程和产物通过X射线衍射分析、SEM和TEM确定。X射线衍射分析表明整个反应过程不存在氧化铝的相转变。高分辨透射电子显微镜显示γ-Al2O3颗粒被无定型碳包裹, 从而抑制了γ-Al2O3α-Al2O3的相转变。泡沫的多孔结构促进了氮气的扩散和反应副产物的释放, 使得最低反应温度降低至1450 ℃。SEM结果表明得到的氮化铝颗粒粒径大约为50 nm。本研究合成的氮化铝粉体可用于制备高热导氮化铝陶瓷。  相似文献   

11.
使用AlCr合金靶材在高功率脉冲磁控溅射系统中低温反应溅射沉积氧化物薄膜,并与使用纯Al靶反应溅射的薄膜对比。用纳米压痕仪测量薄膜的力学性能,使用扫描电镜(SEM)、掠入射X射线衍射(GIXRD)和能谱仪(EDS)等手段研究了沉积薄膜的表面形貌、相结构和元素组成。结果表明,反应溅射Al时靶表面火花放电严重且工艺不稳定,因此所沉积的薄膜表面粗糙、疏松,硬度低;而反应共溅射AlCr能抑制靶表面火花放电,沉积薄膜平整、致密且硬度高;在540℃和10%氧分压条件下,可沉积出以α-(Al,Cr)_2O_3为主的刚玉型结构氧化物薄膜。  相似文献   

12.
采用球磨-转喷微注相结合的新工艺制备纳米Al2O3颗粒(Al2O3p)/Al(7075)复合材料,设计一种转喷微注装置,该装置能将连续、微量的纳米Al2O3p注入到Al熔体中。观察纳米Al2O3增强相对Al(7075)基体合金材料微观组织的影响,并测试Al(7075)基体和纳米Al2O3p/Al(7075)复合材料的磨损特性。对纳米Al2O3p/Al(7075)复合材料和Al(7075)基体在不同载荷(15 N、25 N和35 N)下的磨损特性进行对比研究。结果表明:球磨-转喷微注法制备的纳米Al2O3p/Al(7075)复合材料晶粒较小,且增强相在基体中分布均匀且结合良好;随着载荷增大,纳米Al2O3p/Al(7075)复合材料磨损量的上升趋势慢于Al(7075)基体。载荷为35 N时,纳米Al2O3p/Al(7075)复合材料的磨损量较Al(7075)基体少,磨屑尺寸较小,其耐磨性能明显改善,这主要得益于纳米Al2O3p的支撑作用和材料的细晶强化作用。   相似文献   

13.
用水热法合成具有多级结构形貌的甲酸氧铋,将其作为自牺牲前驱体调节热处理温度制备出不同的产物,其中一种是具有可见光响应的新型β-Bi2O3/BiOCOOH复合光催化材料。使用X射线衍射(XRD)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)、扫描电子显微镜(SEM)和光电化学响应等手段表征不同温度热处理后产物的晶型结构、光吸收性能、形貌、光电流等物理化学性质。以罗丹明B作为光催化活性评价的探针分子,研究了在不同温度热处理产物的可见光光催化性能。结果表明,热处理温度从250℃提高到330℃、400℃、450℃,甲酸氧铋发生以下转变:BiOCOOH→β-Bi2O3/BiOCOOH→β-Bi2O3α-Bi2O3。在330℃和350℃热处理后的β-Bi2O3/BiOCOOH复合光催化剂可见光催化性能最优,其降解速率比β-Bi2O3α-Bi2O3分别高6.7倍和100倍。对罗丹明B表现出最佳脱色率的样品,光照90 min的矿化率可达88%。与纯相物质(β-Bi2O3、BiOCOOH)相比β-Bi2O3/BiOCOOH复合材料具有更大的光电流响应和更小的阻抗。结合UV-vis DRS和莫特-肖特基曲线可推测,β-Bi2O3与BiOCOOH可紧密结合形成Z-型光催化结构,具有更高的光生载流子分离效率并实现光生电荷的分离。  相似文献   

14.
以Al2O3为背层(硅溶胶为粘结剂), 电熔BaZrO3作为面层材料(钇溶胶为粘结剂), 1550℃烧结后制成50 mm×25 mm×5 mm的Al2O3/BaZrO3双陶瓷试样。通过光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和EDS等手段观察了BaZrO3层和Al2O3/BaZrO3界面的显微结构, 研究了BaZrO3与Al2O3的界面反应。结果表明, 面层由BaZrO3基体和分布其上的大小10 μm左右的Y稳定的ZrO2晶粒组成; Al2O3/BaZrO3界面发生反应形成厚约300 μm的过渡层, 界面反应生成物有BaOAl2O3、ZrO2和BaO·Al2O3·2SiO2。界面从单纯的BaZrO3/Al2O3双陶瓷结构演变为BaZrO3、ZrO2、BaO·Al2O3、BaO·Al2O3·2SiO2和Al2O3等多种物相组成的复杂结构。反应过程中Al元素基本不迁移扩散, BaZrO3中Ba元素向Al2O3所在的位置扩散形成BaO·Al2O3, 残留物形成一层条状ZrO2, 而BaO·Al2O3·2SiO2围绕着EC95(Al2O3+5%SiO2)粉体颗粒周围生成。  相似文献   

15.
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在(010)Fe掺Ga2O3半绝缘衬底上进行同质外延生长Ga2O3薄膜,系统性地研究了生长温度(880℃/830℃/780℃/730℃)和生长压强(80/60/40/20 Torr)对外延薄膜表面形貌、晶体质量以及电学特性等的影响。结果表明随着生长温度和压强的增加:薄膜生长速率分别呈现出略微增加和大幅下降的趋势;薄膜表面阶梯束(step bunching)的生长方式逐渐增强,并且呈现出沿着[001]晶向生长的柱状晶粒;高分辨X射线衍射(XRD)扫描显示薄膜均只在(020)面存在衍射峰,表明生长的薄膜为纯β相单晶薄膜,且半高宽可达到45.7 arcsec;霍尔测试表明780℃和60 Torr的生长条件下薄膜的室温电子迁移率最高。本文为基于MOCVD的Ga2O3同质外延生长提供了系统的参数指导,为高质量Ga2O3薄膜的制备奠定了基础。  相似文献   

16.
利用Al-La2O3的原位反应和粉末冶金工艺制备出(Al11La3+Al2O3)/Al复合材料。结果表明,高能球磨和高温烧结促进了原位反应,使Al与La2O3充分反应并制备出致密无缺陷的材料。对其微观组织的分析表明,微米Al11La3和纳米Al2O3颗粒均匀分散于基体之中。这种复合材料的室温抗拉强度为328 MPa、延伸率为10.5%,350℃的高温抗拉强度为119 MPa、延伸率为10.2%。与传统Al-Cu-Mg-Ag和Al-Si-Cu-Mg耐热铝合金相比,本文的制备的(Al11La3+Al2O3)/Al复合材料其高温抗拉强度提高了大约20%。这种材料的室温强化机制源于Al11La3和Al  相似文献   

17.
作为钠硫电池陶瓷电解质的核心材料, Na-β-Al2O3粉体对钠硫电池的性能影响很大。实验以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为络合剂, 合成了纳米Na-β-Al2O3粉体。结果表明, 以PVP络合的前驱体形成Na-β-Al2O3相的温度低至900?℃, 相比于传统固相合成法及其他化学合成法有显著的降低, 可有效抑制传统制备Na-β-Al2O3粉体方法中由于高温而导致Na2O组份的挥发, 从而避免Na-β-Al2O3性能的下降。X射线衍射、扫描电镜和透射电镜对粉体的分析表明, 所获得的粉体为纯相的Na-β-Al2O3, 粉体粒径60~70 nm, 分散性好。高分散性的纳米粉体有助于制备高致密度的Na-β-Al2O3陶瓷。这种粉体制备烧结的Na-β-Al2O3陶瓷的电导率在350℃可达0.22 S/cm。  相似文献   

18.
采用干压成型法制备了多孔α-Al2O3基陶瓷片, 研究了烧结温度和掺杂SiO2对其结构、形貌和性能的影响. 提高烧结温度能增加α-Al2O3基陶瓷片的抗压强度, 但收缩率也会随之增大。最佳烧结温度为1180℃, 收缩率小于0.5%, 抗压强度大于80 MPa。当掺杂SiO2粉体后, 陶瓷片中的无定形SiO2在烧结过程中晶化形成方石英, 能够促进α-Al2O3陶瓷片的烧结。当SiO2含量为12wt%, 并在1180℃下烧结时, 陶瓷片的收缩率仅为1.2%, 抗压强度大于110 MPa。与α-Al2O3陶瓷片相比, 其孔径更小但孔径分布更宽。研究表明, α-Al2O3和SiO2/Al2O3陶瓷片均具有良好的分子筛膜生长活性。但由于载体具有不同的物化性质, 所制备的ZSM-5分子筛膜具有不同的形貌和尺寸。  相似文献   

19.
针对Al熔液在850℃以下不润湿Al2O3而难以直接钎焊的困难, 本工作研究了溅射Al对Al2O3的“润湿”作用, 提出了一种采用溅射Al基薄膜作为钎料直接钎焊Al2O3的方法。结果表明, 这种方法可以在不满足熔态Al润湿条件的680℃实现Al和Al-Cu合金对Al2O3的直接真空钎焊, 并且仅需0.1 Pa的真空度。所获得的Al/Al2O3的接头剪切强度达到115 MPa, Al-1.6at% Cu合金钎焊接头的剪切强度可提高到163 MPa, 当钎料中的Cu含量提高至14.3at%后, 钎焊接头中焊缝与陶瓷界面产生Cu的偏聚, 接头的剪切强度因界面断裂降低为127 MPa。并对这种不基于金属熔态润湿钎焊方法的原理进行了分析讨论。  相似文献   

20.
选用Nextel610型Al2O3纤维为增强体、ZL210A连续氧化铝合金为基体,采用真空压力浸渗法制备纤维增强铝基复合材料(Al2O3f/Al),纤维的体积分数为40%,预热温度分别为500、530、560和600℃,研究了纤维预热温度对Al2O3f/Al复合材料的微观组织、纤维损伤和力学性能的影响。结果表明:随着纤维预热温度的提高复合材料的致密度随之提高,最大达到99.2%,材料的组织缺陷最少,纤维的分布均匀;随着纤维预热温度的提高从复合材料中萃取出来的Al2O3纤维的拉伸强度不断降低,纤维预热温度为600℃的复合材料中Al2O3纤维的拉伸强度仅为1150 MPa,纤维表面粗糙,有大尺寸附着物。纤维的预热温度对Al2O3f/Al复合材料的拉伸强度有显著的影响。预热温度为500、530、560和600℃的复合材料其拉伸强度分别对应于298、465、498和452 MPa。组织缺陷、纤维损伤和界面结合强度,是影响连续Al2O3f/Al复合材料强度的主要因素。  相似文献   

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