氧化铝的加热荷电补偿研究

在环境扫描电镜(ESEM)中配置加热台,对Al2O3样品进行加热实验.结果表明,Al2O3表面的荷电效应随温度的稳定升高而逐渐减小.当温度上升至～360 ℃时,荷电效应完全消除,得到清晰的二次电子(SE)像.在加热过程中,Al2O3样品的吸收电流(Ia)值不断提高,在～360 ℃时达到2.67×10-7 A.这个值相当于Al样品台的Ia值,表明加热可增加Al2O3表面的导电率.此外,在高真空环境中通过加热消除荷电后,得到的Al2O3样品的SE像衬度优于通常在低真空环境中通过电子-离子中和作用得到的图像衬度.     

模拟空间辐照环境对卫星用第二表面镜性能的影响

介绍了模拟空间辐照环境对卫星用掺铈玻璃型第二表面镜光(热)学性能的影响。对导电型和非导电型两类掺铈玻璃第二表面镜进行了模拟空间辐照试验。试验项目包括真空中的紫外辐照、真空中两种能量的电子和两种能量的质子辐照。经过相当子同步轨道卫星南北极处7年剂量总和的紫外、电子、质子辐照后,导电型掺铈玻璃第二表面镜的太阳吸收率从0.081上升到0.105;法向发射率从0.84下降到0.80,非导电型掺铈玻璃第二表面镜的太阳吸收率从0.085上升到0.092;法向发射率从0.85下降到0.82。     

不锈钢纤维-石墨/ABS-PVDF复合材料相转变与导电特性

以丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（ABS）和聚偏氟乙烯（PVDF）为基体,不锈钢纤维（SSF）和石墨为导电填料,通过熔融法制备SSF-石墨/ABS-PVDF导电复合材料,探究了其导电性能及流变性能。讨论了SSF/ABS-PVDF复合体系中导电填料的分布、导电性能及基体的相转变行为。结果表明:SSF倾向于分布在PVDF相中,当SSF含量为20wt%时,SSF/ABS-PVDF复合材料的电阻率随PVDF比例增加,先降低经历一个平台期后继续降低。PVDF在ABS-PVDF复合基体中含量为30wt%~40wt%和70wt%~80wt%时,SSF/ABS-PVDF复合材料出现相态转变行为。当SSF含量为16.84wt%和25wt%~30wt%时SSF-石墨/ABS-PVDF复合材料出现二次逾渗的现象,且与其动态模量及复数黏度的变化相符合。      

CuO掺杂对10NiO-NiFe2O4复合陶瓷导电性能的影响

利用冷压-烧结技术制备了CuO 掺杂的10NiO-NiFe2O4复合陶瓷,研究了CuO 掺杂量对10NiO-NiFe2O4复合陶瓷物相组成、显微结构、致密度及导电率的影响.结果表明:当CuO掺杂量为0～12.5%(质量分数)时, 烧结样品中主要含有NiO、Cu和NiFe2O4、CuO在氮气气氛下分解为金属Cu,在烧结温度下为液相促进了致密化烧结;1473K烧结时,8.75%CuO掺杂样品的相对密度最大,达到94.43%,比未掺杂样品的相对密度提高了18.16%;当CuO掺杂量为4%时,在1233K温度下样品达到最大导电率5.169S/cm,是未掺杂样品的导电率1.026S/cm的5倍.     

铜电子浆料的制备及性能

本文采用微米级铜粉为导电填料,抗坏血酸为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为分散剂,环氧树脂为基料,聚酰胺树脂为固化剂,制备获得空气中低温固化铜电子浆料。利用X射线衍射仪、金相显微镜、四探针电阻测试仪、粘度测试仪等对电子浆料各性能进行了表征。实验结果表明,当铜粉与有机载体的比例为85∶15时,在烘箱中75℃烘干得到的导电铜膜性能最佳,电阻率为3.627×10-3Ω·cm,空隙较少,样品表面较为平整,导电性较稳定。     

(La0.9Bi0.1)2/3Ca1/3MnO3磁性和电输运性质研究

利用固相反应法制备了(La0.9Bi0.1)2/3Ca1/3MnO3样品,研究了它的导电特性和磁性.在电阻和磁化测量中观察到热滞现象. 在电阻-温度(R-T)曲线中出现了两个峰,当施加5T外场时,电阻中的热滞现象被抑制,只观察到一个峰.磁化(M-T)曲线表明,在居里温度(Tc)以下发生了顺磁-铁磁(PM-FM)相变. 样品不同寻常的M-T行为能够很好地解释测量到的R-T曲线.     

填充型聚合物基复合材料的导电和导热性能

研究了高密度聚乙烯为基体、炭黑和炭纤维为填料复合体系的导电和导热性能。发现当导电填料的含量达到渗流阈值时,复合材料的电导率急剧升高;而在渗流阈值附近,其热导率未出现突变。这表明电导渗流现象不完全是由导电粒子通过物理接触生成导电链所致。其导电机制是相当数量的导电粒子相互发生隧道效应。     

四探针电阻率微区测量改进的Rymaszewski法厚度修正

为了解决四探针技术在微区测量中不能测试较厚样品的问题，提出了一种厚度修正方法该方法基于镜像源理论，以样品的上下边界为镜面，反复镜像电流源得到无限系列镜像源．将这些镜像源所产生的电位对测试点的影响进行叠加，推导出利用改进的Rymaszewski方形四探针法进行电阻率测量时的厚度修正公式，又利用规范化拟合法得到了多项式．修正后的结果反映了样品的真实电阻率，实验结果验证了该修正公式的正确性，从而完善了改进的Rymaszewski方形四探针的微区测量方法，使该方法能够应用到实际的测量中，提高了其实用性．     

有机金属——一种发展中的新材料

近十年来出现了一种新的有机材料,称为“导电聚合物”或“有机金属”。这种材料具有和绝缘体或半导体那样的特性,但当搀入适当的能放出电子或接受电子的分子时,他就能获得与金属一样的导电性。     

溶胶-凝胶法制备Bi0.975La0.025Fe0.975Ni0.025O3铁电薄膜的结构及物理性能

采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si(111)衬底上制备了Bi_(0.975)La_(0.025)Fe_(0.975)Ni_(0.025)O_3(BLFNO)铁电薄膜。利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及其压电模式(PFM)对薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电畴结构进行了研究。研究发现,BLFNO为结晶良好的钙钛矿结构多晶薄膜,且薄膜表面颗粒生长均匀。PFM测试图显示铁电薄膜在自发极化下的铁电畴结构清晰,铁电电容器具有良好的铁电性能。应用铁电测试仪对Pt/BLFNO/Pt电容器进行测量,得到了饱和性良好的电滞回线。在828kV/cm的外加电场下,Pt/BLFNO/Pt电容器的剩余极化强度为74.3μC/cm~2,表明La、Ni的共掺杂没有明显抑制铁电电容器的剩余极化强度,铁电电容器具有良好的铁电性能。漏电流研究结果表明,La、Ni元素的共掺杂有效降低了薄膜的漏电流密度,在277.8kV/cm外加电场下漏电流密度在10-4 A/cm2量级,明显小于纯BFO薄膜的漏电流密度。正半支漏电流曲线满足SCLC导电机制,对于负半支曲线,当电场强度大于22.2kV/cm时,同样遵循SCLC导电机制;但是,当电场强度小于22.2kV/cm时,曲线斜率约为4.8,表明参与导电贡献的电子数较多,归因于极浅陷阱俘获的电子在外加电场作用下参与了导电行为。室温下磁滞回线测试结果表明BLFNO薄膜具有反铁磁性质。     

Electron Diffraction Using Transmission Electron Microscopy

Electron diffraction via the transmission electron microscope is a powerful method for characterizing the structure of materials, including perfect crystals and defect structures. The advantages of electron diffraction over other methods, e.g., x-ray or neutron, arise from the extremely short wavelength (≈2 pm), the strong atomic scattering, and the ability to examine tiny volumes of matter (≈10 nm³). The NIST Materials Science and Engineering Laboratory has a history of discovery and characterization of new structures through electron diffraction, alone or in combination with other diffraction methods. This paper provides a survey of some of this work enabled through electron microscopy.     

On the Electron–Electron Interaction in Superconductors

By using an attractive potential that varies in reverse proportion with respect to the third power of the distance between the two particles, we resolved the Schrodinger equation for an electron pair. We applied these statements to superconductors and obtained a good agreement with experimental data and BCS theory.     

Characterization of Dynamics in Materials Using Time-Resolved Electron Microscopy Incorporating Electron Counting and Electron Correlation Spectroscopy

Time-resolved electron microscopy incorporating electron counting and electron correlation spectroscopy can be used to quantify the dynamics in materials faster than the shot noise limit of the real-time observation in conventional transmission electron microscopy. An imaging electron beam current, temporally modulated by the dynamics of the specimen, is selected by the aperture in the image plane, and is measured by means of an electron counting technique. Applications of the method to the study of the dynamics of superconducting vortices and to the observation of nanovibrations of materials associated with elastic properties are discussed.