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相似文献
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1.
将渐进因子分析法应用于俄歇深度剖面的化学态研究。通过对Au/Ni/Si薄膜样品深度剖析过程的渐进因子分析,最终获得了各元素的化学状态和深度分布,并发现Au/Ni/Si样品中Ni/Si界面在室温下已发生反应,生成富Si的NixSi化合物层。样品经真空退火处理后,Ni/Si界面进一步反应生成Ni2Si合金,而原有的NixSi化合物含量相对减少,并向Si基体侧扩展,同时Ni穿透Au膜在样品表面富集。渐进因子分析的结果与XPS分析相一致。  相似文献   

2.
常规铸造工艺条件下SiCp/Al-Si复合材料中的界面反应   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用搅拌复合法制备了10%SiC/Al—5Si—Mg,10%SiC/Al—7Si—Mg(体积分数)复合材料,研究了在常规铸造工艺条件下重熔后复合材料中的界面反应。通过透射电镜和能谱分析可知,SiC界面基本上都是单一的SiC/Al及SiC/Si界面,部分界面上有MgAl2O4颗粒相形成,由于基体合金中Si的存在,生成Al2C3的有害界面化学反应得到了抑制。对不同文献中抑制Al4C3产生所需临界Si含量实验测定结果的差异进行了分析。  相似文献   

3.
光电子封装中,光导纤维的定位键合是一项关键技术,并且焊点界面处的显微组织对于焊点的可靠性有重要影响.本文选用80Au20Sn和52In48Sn钎料实现了激光钎焊条件下的光纤键合,采用扫描电子显微镜及能谱分析的方法对于两种钎料分别与硅片上的Au/Ti镀层和光纤上的Au/Ni镀层反应形成的界面微观组织形态及形成规律进行了分析.结果表明:对于80Au20Sn钎料,除了共晶组织ζ相+δ相,在AuSn/Au/Ti镀层界面形成了大量枝状的先共晶ζ相,在AuSn/Au/Ni镀层界面形成了针状的(Au,Ni)3Sn2;对于52In48Sn钎料,在InSn/Au/Ti镀层界面形成了连续层状的Au(In,Sn)2,随着输入能量的增加,其逐渐转变为不连续的块状化合物AuIn2,在熔融钎料流的作用下部分AuIn2脱离界面进入钎料中,在InSn/Au/Ni镀层界面形成了一层极薄的Au(In,Sn)2.  相似文献   

4.
运用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)以及卢瑟福背散射谱(RBS)研究了Ti/Si(100)样品在快速热退火(RTA)过程中的界面反应机理及物种分布。研究结果表明,Ti/Si(100)样品在600℃快速热退火10s后,界面上的钛和硅就发生了明显的界面反应,形成了TiSi_2金属硅化物相。在750℃RTA后,TiSi_2相已基本形成完善,再提高RTA温度,TiSi_2相增加甚少。快速热退火过程不同于一般的慢退火过程,主要通过TiSi_2晶格传递Si,从而促使界面处的钛和硅的继续反应。界面扩散的速度很快,TiSi_2物相的形成速度由Ti和Si的反应速度限制,不受Si扩散效应的影响。此外,俄歇线形分析还揭示了,在硅化物的形成过程中,钛硅物相在各界面层中的存在形式。  相似文献   

5.
报道了在正己硫醇作表面活性剂下,还原HAuCl_4为Au纳米粒子沉积到Si纳米线表面,并利用吸收光谱研究了Au粒子修饰Si纳米线前后的光学性质。通过SiO粉末氧化物辅助生长技术合成了Si纳米线,测量了Si纳米线的吸收光谱,结果表明,与覆盖有SiO_2层的Si纳米线相比,HF处理后的Si纳米线的吸收峰略微“蓝移“。Au纳米粒子沉积到Si纳米线上以后,出现了两个新的吸收峰,波长分别为460和550nm。550nm的吸收峰表明Au纳米粒子的存在,460nm的吸收峰可能是由于Au粒子与Si线之间的界面作用导致的。  相似文献   

6.
Au-Si 系统是一种典型的共晶体系。B.X.Liu 等通过对 Au 与 Si 迭层膜的研究得到多种组分比和相结构的 Au 与 Si 的混合层~([1]);S.S.Lau 等通过对 Au 膜-Si 衬底样品的研究0得到过 Au_(71)Si_(29)(~Au_5Si_2)亚稳相~([2])。本文在更宽的离子束参数及更宽的温区(77—573K)下,系统地研究了 Ar 离子束诱导的 Au 膜-Si衬底体系的原子混合现象,  相似文献   

7.
运用XPS和AES研究了PZT薄膜/Si在热处理过程中的薄膜及界面化学反应:在热处理过程中,气氛中的氧气通过PZT的缺陷通道扩散到PZT/Si界面上,并与界面上的硅发生氧化反应形成SiO2界面层。同时基底上的硅通过PZT的缺陷扩散到样品表面形成SiO2表面层。此外,在PZT/Si界面上,Ti的氧化物和Si发生还原反应,形成了TISix金属硅化物,并残留在PZT膜层和SiO2界面层中。在PZT膜层内,有机结碳和钛的氧化物发生还原反应形成了TiCx物种,并存在于PZT膜层中。  相似文献   

8.
SiC/Fe界面固相反应模型   总被引:7,自引:0,他引:7  
使用XRD、EPMA和SEM等研究了SiC/Fe界面固相反应产物的相组成、反应区的显微结构以及反应区中反应物原子的浓度分布.SiC/Fe界面固相反应形成Fe3Si、Fe(Si)和石墨态C沉积物,Fe3Si的形成为该反应提供了足够的热力学驱动力.1100℃×3h热处理后,反应区由调整的C沉积物区/均匀的C沉积物区/无C沉积物区(从SiC侧至Fe侧)构成.建立SiC/Fe界面固相反应模型以解释SiC/Fe界面固相反应的微观机理.在SiC/Fe界面固相反应过程中,SiC分解是不连续的,从而在SiC界面前沿形成调整的C沉积物区独特结构.  相似文献   

9.
Si对AZ91D镁合金显微组织与力学性能的影响   总被引:14,自引:2,他引:14  
利用光学金相显微镜OM和XRD分析了加入微量Si的AZ91D合金显微组织和相组成,测试了合金室温拉伸力学性能和硬度,利用SEM分析了合金拉伸断口形貌.结果表明,加入一定量Si后AZ91D合金组织中形成汉字状Mg2Si相,富集于固液界面前沿,阻碍α-Mg基体的自由长大,从而细化合金铸态组织;汉字状Mg2Si相的存在导致合金力学性能的降低;AZ91D合金室温拉伸断口是以解理断裂为主的脆性断裂,加入Si后,断裂常发生于α-Mg基体和汉字状Mg2Si相间的界面处.  相似文献   

10.
运用俄歇电子能谱深度剖析和线形分析研究了PZT/Si界面氧化反应的机理和动力学过程。研究结果表明,在PZT/Si样品的热处理过程中,环境气氛中的氧可以透过PZT薄膜层扩散到PZT/Si界面,并与硅基底反应形成SiO2界面层。界面氧化反应由氧在PZT层和SiO2层中的扩散过程所控制。  相似文献   

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