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相似文献
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1.
WO3掺杂对NiO基纳米材料VOCs气体气敏性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用均匀共沉淀法制备纳米NiO材料,研究不同WO3添加量对材料气敏性能的影响.WO3的掺杂使NiO气敏材料对挥发性有机物(VOCs)气体的灵敏度有显著的提高,且通过XRD图谱分析,WO3的添加抑制了NiO晶粒生长,增大了材料的比表面积,改善了NiO材料的气敏性能.  相似文献   

2.
ZnO-WO_3纳米复合氧化物的气敏性能研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
以纳米ZnO为原料掺入4种质量分数的纳米WO3,经不同温度烧结制作了ZnO-WO3纳米复合氧化物气敏元件,讨论了掺杂质量分数和烧结温度对材料的相组分和气敏性能的影响。研究表明:Zn-W-O敏感体系中,WO3等辅相对材料气敏性能的影响十分明显,与纯纳米ZnO比较,450℃烧结、掺入质量分数为30%的WO3的敏感材料对200×10-6体积分数的乙醇和苯的灵敏度分别达到150和16。由于WO3与ZnO的酸碱中心相互催化作用,致使ZnO-WO3复合氧化物有着优异的敏感性能。  相似文献   

3.
采用中温水热法合成了三维花状WO3纳米结构,通过X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的物相成分及微观形貌进行了表征。同时基于合成的花状WO3纳米材料制备了气敏元件,测试了其在200℃的最佳工作温度下,对体积分数为40×10^-6的HCHO气体的气敏性能。结果表明,该气敏元件对HCHO气体有优异的选择性及稳定性,同时对HCHO气体灵敏度可达18.57。  相似文献   

4.
WO_3掺杂NiO的气敏性能研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
用水热法制备出NiO纳米粉体,对其进行了WO3系列掺杂。利用XRD对产物晶相结构进行表征,测试了掺杂材料的气敏性能。结果表明:适量WO3的掺杂明显改善了NiO材料的气敏性能,其中,掺杂质量分数为6%的气敏元件性能最好,350℃时对Cl2的灵敏度可达到37.5,200℃时对H2S的灵敏度可达30.4。说明该元件在不同温度下对不同气体具有选择性,且该元件对H2S响应恢复快。  相似文献   

5.
Zn2+掺杂WO3基气敏材料的制备及气敏性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
通过加热分解钨酸制备的WO3与Zn(NO3)2溶液超声分散,制备出了掺杂Zn2 的WO3基气敏材料。研究了Zn2 掺杂对WO3气敏材料性能的影响。结果发现,Zn2 掺杂WO3基传感器对H2S有较好的气敏性能,在常温下对极低浓度(5×10-6)H2S也有很高的灵敏度(56),适量掺杂可以提高其灵敏度,Zn2 掺杂n_Zn~(2 )/n_W=2%的WO3基传感器的灵敏度最大,对50×10-6H2S在200℃灵敏度可达1800。通过X-射线衍射仪(XRD),比表面测定仪(BET)对材料进行了表征,比表面积范围介于2.5~3.5m2/g之间。结合有关理论,对元件气敏现象及机理进行了解释。  相似文献   

6.
纳米WO_3-ZnS系H_2S气敏元件的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
以纳米WO3 材料 ,分别掺入SnO2 、ZnS ,制备成H2 S气敏元件。实验表明 ,当WO3 掺入适量ZnS ,元件对H2 S气体具有较高的灵敏度及选择性  相似文献   

7.
碳纳米管掺杂WO_3气敏元件敏感特性的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究以碳纳米管(CNT)为掺杂剂制备的CNT-WO3旁热式气敏元件。采用球磨、超声分散的方法对碳纳米管进行分散处理,溶胶—凝胶方法制备WO3微粉,用SEM观察了WO3气敏材料的显微结构,测试了元件对丙酮的气敏性能。结果表明:碳纳米管存在于平均粒径为30~50 nm的WO3晶粒间,从而增加了材料的气孔率。碳纳米管掺杂元件对丙酮的灵敏度远高于纯WO3元件,质量分数为0.4%的掺杂量对丙酮有最高灵敏度,具有能检测低体积分数丙酮气体、选择性好的优点,特别是掺杂碳纳米管明显提高了WO3元件的响应速度。  相似文献   

8.
铈掺杂WO_3纳米材料气敏特性研究   总被引:4,自引:1,他引:3  
以金属W粉为原料采用溶胶—凝胶法制得纳米级WO3粉体,探讨了不同CeO2添加量对气敏特性的影响。CeO2掺杂WO3材料对挥发性有机化合物(VOCs)气体灵敏度有显著提高,而器件的工作温度有所降低。FE—SEM测试结果说明:CeO2掺杂对晶界的移动形成某种"钉扎"效应,使晶粒减小,比表面积增大。复阻抗谱分析认为,Ce4+主要存在于晶界,使晶界电阻增大,晶界电容减小,提高了WO3材料的气敏特性。  相似文献   

9.
针对多孔硅气敏传感器在室温下对NO2气体灵敏度较低、选择性不强的问题,采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,然后在多孔硅顶部溅射沉积金属钨薄膜并经高温热处理氧化形成WO3纳米线,制备出WO3纳米线修饰多孔硅结构及其气敏传感器,对WO3纳米线/多孔硅材料进行了SEM和XRD分析,测试了传感器室温下对NO2的气敏特性。结果表明,制备WO3纳米线的最佳热处理条件是700℃,此温度下增加金属钨膜溅射时间可提升WO3纳米线的生长密度? 所制备的传感器对NO2气体表现出反型气敏响应,特别是溅射1min金属钨的样品显示出优异的NO2室温探测能力与选择性,对4×10-6NO的气敏灵敏度是单纯多孔硅样品的 5.8倍。  相似文献   

10.
WO3纳米材料的NO2气敏特性   总被引:10,自引:1,他引:10  
通过固相掺杂法制得一系列不同掺杂量的WO3纳米粉体,利用X射线衍射仪,透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,测试了元件的气敏,分现,适量掺杂SiO2有利于提高WO3纳米材料对NO2气体的灵敏度,其中掺杂量为3%(质量分数)的烧结型气敏元件在120℃下对NO2有较高的灵敏度的选择性,是一种工作温度较低气敏性能很好的NO2气敏元件。  相似文献   

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