微带无源单平衡下变频混频器的研究与设计

利用ADS软件辅助设计一工作在LS波段的微带无源单平衡下变频混频器.介绍了电路的工作原理,ADS仿真设计过程,给出了电路制作版图和测试结果,测试结果和仿真结果吻合,电路具有较低的变频损耗.混频器射频输入信号2440MHz,本振信号为2070MHz,输出中频信号370MHz,变频损耗为9.33 dB.     

重频超宽带脉冲对混频器的干扰特征分析

重频超宽带脉冲可对多种电子设备与电子器件产生干扰。针对电子器件的干扰效应,着重从仿真分析和实验两方面研究了重频超宽带脉冲对无源混频器的干扰特征。分析了混频器对超宽带脉冲信号的响应特性,给出了不同参数条件下重频超宽带脉冲信号对混频器及混频滤波电路的干扰特征。研究表明,作为干扰信号,重频超宽带脉冲信号并不能影响混频器正常工作;当重频超宽带脉冲信号与通信信号一起注入混频器时,混频器可实现其正常的变频功能,而作为衡量混频器工作性能的重要指标,变频损耗可认为基本不变;重频超宽带脉冲信号经过混频滤波电路后变为同中频信号同样频率的连续波信号,其对混频滤波电路的干扰以及之后电路的干扰类似定频连续波信号干扰。     

逻辑门混频器的特性分析与选择

在基于频率输出的传感器测量电路设计中,存在如何测量由测量参数引起的小频率增量问题,将被测信号和参考信号进行混频并进行滤波可以解决这个问题.将仅频率变化的两准数字信号施加于逻辑门进行混频,对混频器输出的特性进行了理论分析和实验验证,结果表明:异或门和同或门用作差频测量的混频器时,其输出效果明显好于其他基本逻辑门;当信号为...     

基于四端口矢网AV3672的混频器测试应用

混频器广泛应用于雷达、卫星、通信等射频微波领域,其特殊的三端口工作模式决定了其众多的测试参数、复杂的测试方法和昂贵的测试成本。为解决混频器的测试问题,本文围绕AV3672四端口矢量网络分析仪的混频器测试功能以及矢量混频器校准技术。最后,给出了混频器的变频损耗、相位和群时延的测试结果。     

基于CMOS模拟开关实现平衡混频器

详细介绍了有源单平衡混频器的电路组成,分析了有源平衡混频器的工作原理。基于CMOS模拟开关设计实现了一种(低功耗、高线性度的)开关平衡混频器,最后对混频器的指标进行了测量和分析。测试结果表明(在3.3V电源电压下,消耗电流小于10mA,射频输入信号)在60～110MHz频带范围内,(本振信号+10dBm时)插入损耗小于7dB,波动小于1dB,输入P1dB压缩点大于13dBm。     

24GHz高线性低功耗CMOS混频器的设计

采用一种新颖的前馈补偿差分跨导结构和LC-tank折叠共源共栅技术设计了一种适用于汽车防撞雷达系统前端的24 GHz高线性低功耗CMOS下变频混频器,详细分析了Gilbert单元混频器的线性度指标和其优化技术。该混频器工作电压为1.8 V,射频信号为24.0 GHz,中频信号为100 MHz,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺实现了电路仿真和版图的设计,仿真结果表明:该混频器IIP3可达4 dBm,增益为-9.2 dB,功耗为5.7 mW。     

GPS/BD射频接收机中镜像抑制混频器设计

针对GPS/BD射频接收机中镜像干扰信号难消除的问题,采用TSMC 0.18μm COMS工艺,设计了一款高镜像抑制比(IRR)、高转换增益、单边带噪声系数(NF)和线性度指标良好的镜像抑制混频器。基于传统Hartely镜像抑制结构,混频器中采用了共射频输入端正交混频结构和无源多相滤波器(Poly Phase Filter,PPH),有效地抑制了所需频带内镜像信号的干扰。另外在PPH后级设计了加和电路,对前级PPH引起的电路损耗进行增益补偿。利用Candence软件中的Spectre对电路进行仿真表明,针对GPS L1和北斗B1两个不同频段,镜像抑制混频器输出中频频率均为4 MHz,IRR均为47.8 d B,转换增益均为24 d B,输入1 d B压缩点(P1d B)均为-23.4 d Bm,单边带NF均为14.9 d B。     

一种带有巴伦电路的24 GHz上混频器设计

设计了一个24 GHz上变频混频器,基于吉尔伯特结构全集成了3个片上巴伦电路。采用gm/I方法协调晶体管大小为了获得较好的转换增益、隔离度与电路耗散功率。电路实现采用厦门三安0.5μm PHEMT工艺,5 V电压供电,在本振LO为0 dBm时,转换增益为9 dBm。工作在24 GHz频段时,1 dB压缩点为-20 dBm,混频器的最大输出功率为-10 dBm,射频输出端口与本振的隔离度大于32 dB,整个电路直流功耗40 mW,芯片面积为1 mm×1.3 mm。     

低压低功耗混频器的设计

本文对常见的混频器结构进行了调整,提出了一种新的混频器结构--低压低功耗混频器,分别降低了跨导级、本振级与输出负载正常工作时所消耗的直流电压降,从而达到降低电源电压的目的.采用1.5v TSMC 0.35 μm CMOS工艺进行仿真,该混频器仿真结果表明,电路转换增益为-10.5 dB,噪声系数为20.648 dBm,1 dB压缩点为-5.764dBm,三阶输入交调点为4.807 dBm.     

应用于RFID的超低功耗CMOS温度传感器设计

针对融合射频识别( RFlD)的无线温度传感器节点设计的需求,采用0. 18μm 1P6M台积电CMOS工艺,设计了一种低功耗集成温度传感器.该温度传感器首先将温度信号转换为电压信号,然后通过经压控振荡器将电压信号转换为受温度控制的频率信号,再通过计数器,将频率信号转换为数字信号.传感器电路利用MOS管工作在亚阈值区,并采用动态阈值技术获得超低功耗.测试结果显示:所设计的温度传感器仅占用0. 051 mm2 ,功耗仅为101 nW,在0~100℃范围内误差为-1. 5~1. 2℃.