电子入门小制作——二极管篇（3）

七、开关二极管1.什么是开关二极管开关二极管是专门用来做开关的一种二极管,它由导通变为截止(既由开到关)或由截止变为导通(既由关到开)所需的时间比一般二极管短。所以,开关二极管主要用于频率比较高的数字脉冲电路和开关电路中。常见的国产开关二极管有2AK、2CK系列玻璃封装二极管,进口开关二极管有1N4148等,其外形如图1所示。     

反向使用的二极管

很多常用的二极管如整流二极管、开关二极管、发光二极管等,都是工作在正向导通状态下。图1是晶体管驱动发光二极管LED电路,LED的正极接高电位, 负极接低电位,这就是二极管的正向接法。但有些二极管,如稳压二极管、光敏二极管却是工作在反向击穿或反向导通的状态下。图2是硅稳压二极管组成的并联式直     

用光耦制作双掷开关

4N35光耦合器可制作"单刀双掷"或"双刀双掷"开关,这类开关适用于自动控制和遥测设备中。1、"单刀双掷"开关的组成及工作原理电路组成:整个电路由电阻R1、R2、R3,三极管V,二极管D,4N35光耦合器组成。工作原理:当输入正脉冲时,三极管V导通,U1导通使A接通O,其中外接的二极管D起到配合电位的作用从而使U2关断;当输入低电平时三极管V截止,U2导通使O接通B。其电路图如下图1所示。2、"双刀双掷"开关的组成及工作原理     

比较电路与双扩散金属氧化物半导体开关对小信号线性整流

用常规硅二极管对低电平信号整流一直都比较麻烦。其原因是:输入信号比二极管接通电压低约0.6伏,输出便成非线性,要使其成为线性还要加1至2个运算放大器。但是,如果用一个模拟比较电路和一个双场效应晶体管开关来取代硅二极管和放大器的组合,就可以对幅度低至6毫伏、频率高至3兆赫的波形进行整流,滤波后,其输出的直流值与输入信号的幅度成正比。电路如下图所示。这种精密半波整流的原理是:输入信号加     

高速操作的磁心均分负载开关

本文讨论了在高速操作中采用磁心均分负载开关驱动一个双向二极管矩阵的可能性。为了便于分析,将每个开关磁心看作是一个脉冲变压器。达脉冲变压器的必要参数是利用波源阻抗、负载阻抗及脉冲的要求而计算出来的。给出了脉冲变压器及一个由3×3个二极管及作为负载的磁心元件构成的矩阵(用三个磁心均分负载开关驱动的)的实验结果。得出的结论是:采用四个均分负载开关来驱动一个重复频率为十兆赫的双向二极管矩阵是可能的;采用两个均分负载开关可获得五兆赫的操作。     

对称齐纳二极管及其应用

<正> 齐纳二极管就是硅稳压二极管,对称齐纳二极管则相当于两只对接的硅稳压管。它没有极性要求,有双向稳压和吸收浪涌电压的特点,可以广泛应用于交、直流电路中,简称为 VRD 管。此外,还可用来组成一些实用电路。1.消火花电路(如图1所示)     

计算机用硅扩散掺金二极管

高速开关的脉冲线路,特别是工作于高频中的计算机基本线路需经常用二极管。不论在逻辑线路还是在再生整形线路中二极管都起很重要的作用。现在晶体三极管的制造工艺的迅速发展使它的开关速度能达10毫微秒的数量级,在开关线路中与晶体三极管相配     

自制数字温度计

附图所示电路是以半导体二极管作为温度传感器的数显电子温度计,其测温范围为-50～ 150℃,测温精度达±0.1℃。电路工作原理半导体二极管的正向压降决定于正向电流的大小和环境温度,当正向电流一定时,正向压降随温度的升高而下降。对于普通的硅二极管1N4148而言,具有约-2.1mV/℃的温度系数,当两个1N4148串接时,总的正向压降与温度的关系约为-4.2mV/℃,理论和实践都     

1N4000硅小型塑封二极管生产鉴定会在京召开

<正> 北京无线电器件工业公司最近在京召开1N4000硅小型塑封二极管生产鉴定会。参加会议的有电子工业部器件总公司、市经委、市仪表局、738厂和二七通讯工厂等单位。会议听取了北京半导体器件四厂关于试制该产品的各方面报告。一致认为该产品同国内同类产品2CZ、     

电子入门小制作——二极管篇（2）

五、整流二极管1.什么是整流二极管整流二极管是一种能够将交流电能转变为直流电能的半导体器件,它通常由一个PN极组成,其内部结构如图1所示。图1整流二极管内部结构示意图整流二极管一般采用硅或锗等半导体材料制造,目前以硅材料整流二极管为多见。硅整流二极管具有击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好等特点。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶     

ACP电阻耦合开关线路的设计

在“先进的线路計划”中发展了一种硅晶体管的直接耦合邏辑线路。硅晶体管在集-基极“二极管”中具有足夠的电場梯度,它允許在正向偏压条件下高速工作。电流开关技术提供了合适的控制电平,使得晶体管能在不牺牲高速度的区域内工作。在这个区域中工作,可以得到线路的簡化并且只有很低的功率损耗。对于組合状态的器件作了定义。描述了邏辑线路和功率放大器装置的設計技术。功率驅动和傳輸线驅动线路中采用了鍺隧道二极管。为测量延迟时間,組成含有424个线路的模型。发现ACP线路(为这类线路所取的名称)能在3.2毫微秒内完成两級邏辑作用。     

采用硅光电二极管阵的快速光谱记录系统

硅光电二极管阵快速光谱记录系统包括硅光电二极管阵探测器及其致冷装置、扫描及驱动电路、低噪声前放及视频放大电路、采样保持及A/D变换电路计算机接口及相应的系统控制软件。这是我们自行设计的一种新型光多道分析器,系统框图如图1。来自光谱仪的分光光谱被硅光电二极管阵(RL     

基于S0I光子集成技术的高速微型光子开关及大规模矩阵光开关

光开关及矩阵光开关是在多个光信号通道之间实施信号交换的操作器件,可以在任何输入端和输出端之间建立信号连接。本项目利用先进光波导技术研制与开发高速集成光开关与矩阵光开关。利用绝缘体硅（SOD技术和硅材料的电光调制效应研制超高速光子开关,开关速度为纳秒量级;进而利用超短网络结构研制高度集成大规模矩阵光子开关,这也是本项目两个主要创新点。     

Stretch計算机采用隧道二极管存儲器

美国IBM公司已把隧道二极管存储器安装在已投入运行的Stretch计算机中。隧道二极管是目前最快的开关元件之一,它的开关时间约为1毫微秒。过去,人们曾提出过一些隧道二极管的电路和器件并制成了实验模型;但是IBM公司研制的这个隧道二极管存储器被安装在计算机中并已投入运行。     

晶体二极管过渡特性的测量

由于二极管开关线路具有简单、稳定、可靠、廉价及其它优点,所以在计算机里得到了广泛的应用。随着机器速度的提高,对二极管提出愈来愈高的要求。因此对二极管需要严格测试,确凿的鉴定二极管开关特性。为此本文介绍一下二极管开关参数:正向恢复,反向恢复,存贮电荷。同时谈到测量方法以及测量用的一套线路。     

高速蓝敏光电二极管

<正> 我们在新颖而又独特的构思上,采用常规平面扩散工艺,制成了高速蓝敏光电二极管,其性能酷似p-i-n光电二极管,而总体成本不到p-i-n光电二极管的十分之一。对于1mm~2这种二极管的结电容(零偏)仅15pF、上升时间10ns、100Lx下的开路电压大于400mV、     

隧道二极管高速逻辑线路

引言隧道二极管(TD)有极快的开关能力,因而如何将隧道二极管用于数字计算机里在过去几年中引起了广泛的兴趣,然而这种二端器件在获得方向性、放大和反相方面有困难,所以在线路中须用高频交流电源。这里所介绍的线路可在直流供电下工作,且能处理在高速情况下由于导线延迟而产生的时间问题。     

高速射极电流开关

本文先对晶体管开关技术作了简要的讨论,指出了射极电流开关在速度和稳定性方面的优越性。给出了典型晶体管的参数,并注意到高速开关线路中二极管的特性。然后详细地分析了射极电流开关,并根据分析结果列出了设计这种线路的一套原则。用一个方波发生器、一个脉冲形成线路和一个运用在高达80兆赫的计数器作为例子来说明电流开关技术的潜力。上述线路全都采用了OC 170型晶体管。     

高速结式二极管罗辑线路的一种理论分析方法

p-n 结二极管的电荷存聍(因而也卸恢复时间)问题曾经是结式二极管在开关线路中应用的一个最麻烦的现象。如果一遇辑门中的许多二极管同时从通导开关到截止,那么将产生大量的存聍电荷,它趋向于去翻转同一线路中未开关的二极管状态。因此,可能引起一个虚假的罗辑响应。由于现有的一些二极管模型不适于分析这样的暂态问题,因此本文介绍一种新的二极管模型。根据对结式二极管中物理过程的研究,在二极管端点的电性能和它的基区材料中的电荷存聍之间,可以建立一个极好的关系式。这个关系式可以表为一个简单的流线图,根据这个流线图,提出了 p-n 结二极管的集中电荷模型。利用这个模型,可以简单而又极好地解决二极管开关线路中遇到的暂态问题,而为了求数值解仅仅需要两个参数——饱和电流 I_s 和二极管时间常数 T_d。     

隧道二极管存储器

利用隧道二极管的非线性伏-安特性可以得到高速双稳开关线路,所以把它作为存儲元件是非常有前途的。1961年日本已試制成了容量为17位×16字、工作周期为0.2微秒的隧道二极管存儲器。1962年吴国又試制成了容量力9字×3位、存取周期为15毫微秒的存儲器模型。这篇文章簡单說明隧道二极管存儲元件的工作原理,介紹各种存儲方案及1963年上半年前所发表的一些存儲器的性能,并归纳了所存在的問题。对該项工作的发展也进行了探討。