基于ADS的ku波段线性低噪声放大器的设计

主要介绍了宽带低噪声放大器的设计理论及用安捷伦公司的ADS仿真软件进行Ku波段（10.8~12.7 GHz）放大器的设计和仿真。在设计的过程中选择了Hittite Microwave公司的HMC564LC4芯片和安华高的AMMP-6408芯片,其噪声系数更低,增益和工作频率更高。使用微带线进行电路匹配,最终仿真结果：增益平坦度小于1 dB,增益大于30 dB,噪声系数小于2 dB。     

GPS低噪声放大器的设计与制作

利用仿真软件ADS,设计仿真了一个GPS的1575MHz频段的低噪声放大器,选用ATF-34143FET作为两级级联结构电路的放大器件,用微带线作为传输线,应用于GPS的天线接收系统中。首先设计稳定电路解决场效应管的稳定问题,然后重点进行匹配电路的设计,最后包括电源电路在内构成一个完整的低噪声放大器电路。制作实物,并进行调试,最后测试结果：增益30．5dB,噪声系数0．7dB,输入输出驻波比优于1．4,增益平坦度带内每5MHz小于0．2dB,1dB压缩点11dBm。     

一种新型负反馈超宽带低噪声放大器的设计与实现

随着超宽带技术的发展,系统设计对低噪声放大器的性能提出了越来越高的要求。针对宽带放大器增益平坦度低。匹配性差等问题,本文从负反馈理论着手,改进了负反馈网络。通过ADS软件的辅助设计,实现了30MH—1．35GHz频段下的低噪声放大器的设计。通过对各项电路参数的优化,实现了增益为17．7dB,增益平坦度小于dB,输入输出电压驻波比小于1．5,噪声系数小于2．6的技术指标。     

导航系统中频滤波器的设计

针对导航系统射频接收机中中频滤波器只能接收单频段信号的问题,采用TSMC RFCMOS 0.18μm工艺,设计了一款带外抑制高、带内平坦度低和线性度好的六阶切比雪夫中频滤波器,用于接收北斗卫星导航系统的B1频段信号和全球定位系统(Global Positioning System,GPS)的L1频段信号的射频接收机中。该滤波器以具有增益的双极点节结构为基础,通过采用三阶级联的方式实现。利用Cadence软件中Spectre对电路进行仿真表明,该滤波器的中心频率为4MHz,-3dB带宽为4 MHz,有源增益为13dB,增益平坦度±1dB,在28MHz时衰减大于20dB,运放增益大于45dB,运放带宽大于190 MHz,运放的相位裕度大于60°,1dB压缩点为-14dBm。     

一种智能传感器射频前端的低功耗设计与实现

叙述了一种应用于智能传感器的低功耗射频前端电路,包括低噪声放大器和下混频器。智能传感器的无线通信一般基于Zigbee协议,Zigbee接收机一般采用低中频的架构以获得灵敏度和低功耗之间较好的折中。主要研究了从提高晶体管跨导效率和提高电流利用效率两个角度实现低功耗的方法,低噪声放大器采用交叉耦合输入的噪声抵消结构,增强了输入管的等效跨导,因而在较低功耗代价下获得了低噪声系数并实现50Ω阻抗匹配;下混频器采用基于电流放大器的无源混频结构,输入跨导级通过电流复用提高了电流利用效率而输出跨阻级引入跨导增强技术减少了中频电流的泄漏,这使得在同等功耗水平下可以获得更高的线性度,即节省了功耗。讨论了电路设计过程并在TSMC 0.13μm CMOS射频工艺下进行流片验证,在1.2 V电压下整个前端电路消耗5.4 mW功耗和0.12 mm2芯片面积,仿真结果表明低噪声放大器获得了2.1 dB的噪声系数和小于-30 dB的S11,混频器转换增益为27.7 dB;而芯片测试得到的前端噪声系数为5.4 dB,IIP3达到5.5 dBm,能够满足智能传感器无线通信的需要。     

一种L波段低噪声放大器的设计与仿真

研究射频电路前端的天线信号放大和抑制噪声,进行了加快低噪声放大器的设计,提出了一种利用史密斯圆图和ADS软件快速设计和仿真LNA的方法.设计时输入端采用最佳噪声匹配,以获得较小的噪声系数;输出端采用输出共扼匹配,以获得较高的功率增益和较好的输出驻波比.通过对一个L波段低噪声放大器的噪声系数、功率增益、输入输出驻波比等参数进行仿真,结果验证了上述的方法.经反复调整后放大器在L波段内噪声系数小于1dB,增益达30dB,输出驻波比小于1.5,满足了设计要求,对从事LNA的设计来说有着重要的参考价值.     

基于噪声消除技术的超宽带低噪声放大器设计

基于TSMC 0.18μm工艺研究3 GHz~5 GHz CMOS超宽带无线通信系统接收信号前端的低噪声放大器设计。采用单端转差分电路实现对低噪声放大器噪声消除的目的,利用串联电感作为负载提供宽带匹配。仿真结果表明,所设计的电路正向电压增益S21为17.8 dB~19.6 dB,输入、输出端口反射系数均小于-11 dB,噪声系数NF为2.02 dB~2.4 dB。在1.8 V供电电压下电路功耗为12.5 mW。     

基于ADS的低噪声放大器设计

高性能的放大器对设计一个好的射频通信系统具有重要意义。本文分析了低噪声放大器设计的基本理论,并完成了一个中心频率为2.4GHz的低噪声放大器的设计。该设计选用了P-HEMT ATF54143器件.Agilent Advanced Design System（ADS）仿真结果表明该放大器的增益达到15 dB,噪声系数小于0.7 dB,输入输出驻波比均小于1.5,满足放大器预定的设计目标。     

一种12GHz的高增益低噪声放大器

通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器。采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电流结构,降低了放大器的功耗,同时降低电路噪声。输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络,具有良好的匹配性,并使用CAD软件对电路进行设计优化。电路仿真结果表明,在中心频率12 GHz下实现了增益为27.299 dB、噪声系数为0.889 dB、S11和S22均小于-10 dB的性能,工作带宽为600 MHz。此低噪声放大器作为12 GHz频段的接收机的前端设计研究,具有一定意义。     

射频宽带放大器设计

基于VCA821射频的宽带放大器设计,系统前级使用射频LNA作为前级低噪声放大器,中间级使用压控线性增益放大器VCA821,最后一级使用两片OPA695增加整体增益倍数与提高输出幅度能力。其增益可控范围为0~60dB,-3dB的截止频率约为100kHz~100MHz左右,通带内增益起伏很小,在1MHz~80MHz的频带内增益起伏不超过1d B,输入电压有效值小于20mV,通频带内最大输出正弦波电压有效值大于1V。     

基于噪声消除技术的超宽带CMOS低噪声放大器设计

为满足3.5 GHz单载波超宽带无线接收机的射频需求,设计了一种工作在3～4 GHz的超宽带低噪声放大器。电路采用差分输入的CMOS共栅级结构,利用MOS管跨导实现宽带输入匹配,利用电容交叉耦合结构和噪声消除技术降低噪声系数,同时提高电压增益。分析了该电路的设计原理和噪声系数,并在基于SMIC 0.18μm CMOS射频工艺进行了设计仿真。仿真结果表明:在3～4GHz频段内,S11和S22均小于-10 dB,S21大于14dB,带内起伏小于0.5dB,噪声系数小于3dB;1.8V电源电压下,静态功耗7.8mW。满足超宽带无线接收机技术指标。     

基于RX3605的导航接收机射频前端模块设计

设计了卫星导航接收机射频前端部分,介绍了以RX3605芯片为基础的导航接收机射频前端的组成及工作原理,同时对RX3605芯片的内容和应用特点进行了介绍。完成了以GPSL1／BDB2双频点双通道的卫星导航接收机射频前端的电路的集成设计。通过相关计算,估算出了射频前端接收链路的载噪比,通过实验对其可靠性进行了验证。本设计的射频前端模块高度集成,使得导航接收机变得更加小巧、灵活。     

3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA).电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器.仿真结果表明,在1.8V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW.在3 GHz～5 GHz 的超宽带频段内,...     

一种超宽带低噪声放大器

提出一个共源共栅结构的超宽带低噪声放大器。该电路基于台积电0.18μmCMOS工艺,工作在3GHz～5GHz频率下,用来实现超宽带无线电。仿真结果表明,该低噪声放大器有最大13.6dB的增益。整个频段噪声系数小于1.9dB。输入和输出反射损耗都小于-11dB。一阶压缩点在-15dBm左右。功耗为18.7mW。     

一种0.8GHz～6GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

给出了一个针对0.8GHz～6GHz 的超宽带低噪声放大器 UWB LNA(ultra-wideband low noiseamplifier)设计。设计采用0.18μm RF CMOS 工艺完成。在0.8GHz～6GHz 的频段内,放大器增益 S21达到了17.6dB～13.6dB。输入、输出均实现良好的阻抗匹配,S11、S22均低于-10dB。噪声系数(NF)为2.7dB～4.6dB。在1.8V 工作电压下放大器的直流功耗约为12mW。     

A CMOS low noise amplifier based on common source technique for ISM band application

In this paper a 2.45 GHz narrowband low noise amplifier (LNA) for wireless communication system is enunciated. The proposed CMOS Low Noise amplifier has been verified through cadence spectre RF simulation in standard UMC 90 nm CMOS process. The proposed LNA is designed by cascoding of two transistors; that is the common source transistor drives a common gate transistor. To achieve better power gain along with low noise figure, cascoding of two transistor and source degeneration technique is used and for low power consumption, the MOS transistors are biased in subthreshold region. At 2.45 GHz frequency, it exhibits power gain 31.53 dB. The S11, S22 and S12 of the circuit is ?9.14, ?9.22 and ?38.03 dB respectively. The 1 dB compression point of the circuit is ?16.89 dBm and IIP3 is ?5.70 dBm. The noise figure is 2.34 dB, input/output match of ?9.14 dB/?9.22 dB and power consumption 8.5 mW at 1.2 V.     

A miniature low‐power ultra‐wideband low noise amplifier in 0.18 μm CMOS

A 0.18‐μm CMOS low‐noise amplifier (LNA) operating over the entire ultra‐wideband (UWB) frequency range of 3.1–10.6 GHz, has been designed, fabricated, and tested. The UWB LNA achieves the measured power gain of 7.5 ± 2.5 dB, minimum input matching of ?8 dB, noise figure from 3.9 to 6.3 dB, and IIP3 from ?8 to ?1.9 dBm, while consuming only 9 mW over 3–10 GHz. It occupies only 0.55 × 0.4 mm² without RF and DC pads. The design uses only two on‐chip inductors, one of which is such small that could be replaced by a bonding wire. The gain, noise figure, and matching of the amplifier are also analyzed. © 2011 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE , 2011.     

A W‐band RF‐MEMS switched LNA in a 70 nm mHEMT process

This work presents a monolithic integrated reconfigurable active circuit consisting of a W‐band RF micro‐electro‐mechanical‐systems (MEMS) Dicke switch network and a wideband low‐noise amplifier (LNA) realized in a 70 nm gallium arsenide (GaAs) metamorphic high electron mobility transistor process technology. The RF‐MEMS LNA has a measured gain of 10.2–15.6 dB and 1.3–8.2 dB at 79–96 GHz when the Dicke switch is switched ON and OFF, respectively. Compared with the three‐stage LNA used in this design the measured in‐band noise figure (NF) of MEMS switched LNA is minimum 1.6 dB higher. To the authors’ knowledge, the experimental results represent a first time demonstration of a W‐band MEMS switched LNA monolithic microwave integrated circuit (MMIC) in a GaAs foundry process with a minimum NF of 5 dB. The proposed novel integration of such MEMS switched MMICs can enable more cost‐effective ways to realize high‐performance single‐chip mm‐wave reconfigurable radiometer front‐ends for space and security applications, for example. © 2015 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 25:639–646, 2015.     

DC到2.6GHz硅基MMIC放大器

本文采用基于硅基的：BiCMOS工艺设计制作了一款带宽为DC到2．6GHZ的低噪声、高增益MMIC放大器。该放大器为了实现从DC到2．6GHz的带宽，保证有足够的增益和理想的增益平坦度，采用了负反馈结构，两级级联，并选用了一种结构新颖的微波晶体管。该放大器具有功率增益高、频带较宽、噪声系数较小的特点。在仿真过程中其3dB带宽约3GHz，增益为26．6dB(1．5GHz时)，1dB压缩点输出功率约为1dBm；样品的实测结果为3dB带宽约2．6GHz，增益为26dB(1．5GHz时)，1dB压缩点输出功率约为1dBm。