影响气敏α-Fe2O3超细粒体粒度因素的研究

讨论化学共沉淀法工艺与粒度的关系。用化学共沉淀法,采用适当的掺杂、起始浓度、共沉淀温度和老化时间可以获得粒度较小的粉体。讨论了α-Fe     

Fe2O3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与ＮａＯＨ反应，用共沉淀法磷选出较好的γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料；再通过多种掺杂，研究杂质对材料灵敏度的影响，寻找γ－Ｆｅ２Ｏ３对ＣＯ，Ｈ２，ＬＰＧ灵敏的适宜掺杂剂，以促进γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件的实用化。同时，作者又通过对掺杂物热力学数据的研究，初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律。     

高选择性γ—Fe2O3LPG元件的研制

利用共沉淀法合成了γ－Ｆｅ２Ｏ３敏感基料，通过Ｃｒ２Ｏ３的掺杂研制出具有高选择性，灵敏度，抗湿性和稳定性的ＬＰＧ气敏元件     

四价金属元素锆（Zr）对氧化铁薄膜气敏特性的影响

对用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）工艺制备的纯α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜和掺锆（Ｚｒ）α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜的气敏特性进行了研究。实验表明掺Ｚｒ是改善α－Ｆｅ２Ｏ３薄膜材料气敏特性的一种有效途径。     

掺杂方式及掺杂量对α-Fe_2O_3敏感性能的影响

本文研究了用不同种类铁盐作原料,用共沉法制备α-Fe_2O_3粉体,在掺杂和不掺杂时的气敏特性。并进一步研究了掺杂方式对气敏特性的影响,解释了α-Fe_2O_3的初始电阻值、气体灵敏度随掺杂含量的变化关系,说明了SnO_2在α-Fe_2O_3气敏性中的作用。     

NiO/SnO2纳米复合粉体的制备及其气敏性能的研究

利用化学共沉淀法制备出NiO掺杂SnO2复合粉体,用X射线衍射仪(XRD),透射电镜(TEM),扫描电镜(SEM)对样品的组成、粒径、形貌进行了表征,并对样品的气敏性能进行了测试,结果表明:该复合粉体对甲醛的灵敏度较好,并在工作温度为95℃时对乙醇有较好的选择性.     

表面涂层对掺杂α—Fe2O3烧结型气敏元件敏感特性的影响

本文对掺杂α－Ｆｅ２Ｏ３烧结型气敏元件的表面涂上混合α－Ａｌ２Ｏ３和Ｍｎ２ｏ３的浆料，干燥烧结而成新型半导体气敏元件，测试了该气敏元件对甲烷，丁烷，乙酵气体的敏感顺序，阻温特性和长期稳定性。     

Cu~(2+)掺杂对In_2O_3电导和气敏性能的影响

为寻求新型气敏材料,用化学共沉淀法制备了Cu2+掺杂In2O3,研究了其相结构、电导和气敏性能。结果表明:900℃热处理4h所得掺2%Cu2+的In2O3微粉制作的元件对C2H5OH有较高的灵敏度和较好的选择性,有良好的应用前景。     

气敏元件的环境温度特性

研究了γ—Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＷＯ３、Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３气敏元件的环境温度特性。环境温度改变时（－４０～４０℃）元件的阻值Ｒ０的变化依基体材料及检测气体而异，Ｌａ１－ｘＳｒｘＦｅＯ３乙醇元件最为稳定，ＺｎＯ和ＷＯ３的Ｈ２Ｓ元件的Ｒ０有明显漂移，但在一定浓度Ｈ２Ｓ中的Ｒｇ比较稳定。这几种元件均适于在ＶＨ＝５Ｖ下工作。     

高选择性氢气和液化气元件的研制

作者以共沉淀法制备的γ－Fe2O3为气敏基料,通过多种金属氧化物的掺杂,研究了杂质的离子半径、元件电负性对元件氢气灵敏度的影响,并定量地研究了Ag2O掺杂特性,通过其掺杂修饰和用掺有PtO的Al2O3表面涂层修饰,研制出了高选择性氢气和液化气敏感元件。     

氧化铁薄膜的制备及其对乙醇气体敏感特性的研究

本文报道了以ＦｅＣｌ３·６Ｈ２Ｏ为原料,用热水解法和渗析法制得纯净Ｆｅ（ＯＨ）３胶体后,用加热离心法将胶体涂覆于载玻上,在马弗炉中４００Ｃ下加热３．５小时来制取Ｆｅ２Ｏ３薄膜的方法。ＸＲＤ研究表明：膜层主国是由α－Ｆｅ２Ｏ３和γ－Ｆｅ２Ｏ３两种晶体混合而成。膜片电阻测试表明：常温下膜片即对乙醇气体敏感。     

α-Fe_2O_3气敏元件可靠性工艺设计

利用可靠性设计技术，对α－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件进行可靠性工艺设计。通过失效源的确立与分析，提高元件的成品率，实现气敏元件可靠性的增长。     

非晶态SiO_2掺杂Fe~（2＋）薄膜气敏特性的研究

研制成功一种以ＳｉＯ２作为主体，掺杂Ｆｅ２＋离子薄膜制备的气敏元件，对ＣＯ气体有良好的气敏特性。它的线性范围为１．２×１０－４～８．９２×１０－３ｍｏｌ·ｄｍ－３，检测下限为５×１０－５ｍｏｌ·ｄｍ－３３，响应速度≤５ｓ．本工作以非晶态半导体的Ｍｏｔｔ－Ｄａｖｉｓ能带模型结合表面吸附理论，初步探讨了该材料的气敏机理，确立了元件阻值Ｒ与吸附浓度Ｃ的关系方程，以此解释元件的气敏特性．该方程对非晶态ＳｉＯ２掺杂薄膜是普遍适用的。     

SnO_2-LiZnVO_4系纳米湿敏陶瓷湿敏特性研究

采用共沉淀法制备出SnO2-L iZnVO4系纳米湿敏粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料湿敏特性的影响,并从氧化物表面的吸附理论出发,给出了反映湿敏特性的微观参数n值,湿敏线性越好的材料其微观参数n值与0.5越靠近。实验结果表明:适当的L iZnVO4液相掺杂可使材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的特性。理论计算得到的阻湿特性参数与实验结果符合得很好。     

NiFe2O4纳米材料的气敏性能研究

以FeSO4·7H2O和NiCl2*6H2O为原料,通过新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的NiFe2O4粉体,利用XRD、TEM等手段研究了其结构特性.NiFe2O4是一种新型的P型半导体气敏材料.以NiFe2O4纳米粉体为原料制备了烧结型旁热式气敏元件,该元件对甲苯具有较高的灵敏度和好的选择性,并对气敏机理给予了解释.     

超细MgFe_2O_4复合氧化物的气敏性能研究

以FeSO4·7H2O和MgCl2·6H2O为材料,用新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的复合金属氧化物MgFe2O4粉体。将样品做成厚膜型气敏元件,测定了其对乙醇、甲醛、丙酮、甲苯、苯氨气、石油醚等还原(可燃)性气体的气敏特性。测试显示:700℃下,热处理1h,所得纳米微粉制作的元件在300℃工作温度下对丙酮有较高灵敏度和良好的选择性,并对气敏机理给予了解释。     

TiO2掺杂α—Fe2O3薄膜的制备与气敏性能

以钛酸丁酯和二茂铁为源物质,用氧气做氧化剂,采用等离子体化学气相沉积的方法,合成了具有良好气敏性能的TiO_2掺杂α-Fe_2O_3薄膜。采用SEM,XRD、DTG、IR、XPS和XRF等方法对薄膜的结构和成份进行了分析和观察。气敏测试的结果表明,TiO_2掺杂有助干提高α-Fe_2O_3薄膜的气敏选择性和气体灵敏度,并降低其工作温度。     

Au-In2O3 CO气体传感器的性能与机理研究

为了探讨氧化铟气体传感器的CO气敏性能和气敏机理,分别用化学沉淀法和浸渍法制备了未掺杂和金掺杂的氧化铟气敏材料,利用XRD和TEM对合成产物进行了表征.采用静态配气法测试了合成材料的气敏性能,利用气相色谱在线测试了CO在气敏材料表面的催化氧化产物,根据气敏性能与催化氧化结果研究了金掺杂氧化铟的气敏机理.实验结果表明:以2%质量比的金掺杂氧化铟对一氧化碳的反应有较高的灵敏度和选择性.根据金掺杂氧化铟对CO的催化氧化性能与气敏性能基本一致的结果,提出了金对氧化铟的CO增敏机理为化学增敏作用.     

γ—Fe2O3超微粉的制备及气敏掺杂效应研究新进展

本文综述了近年来γ－Ｆｅ２Ｏ３超微粉在制备方法上的新进展,作为气敏材料时,通过掺杂不同化合物可提高其相变温度和气敏性的效应。     

WO3掺杂对NiO基纳米材料VOCs气体气敏性能的影响

用均匀共沉淀法制备纳米NiO材料,研究不同WO3添加量对材料气敏性能的影响.WO3的掺杂使NiO气敏材料对挥发性有机物(VOCs)气体的灵敏度有显著的提高,且通过XRD图谱分析,WO3的添加抑制了NiO晶粒生长,增大了材料的比表面积,改善了NiO材料的气敏性能.