共查询到10条相似文献，搜索用时 15 毫秒
1.
Fe2O3的CO气敏特性的研究 总被引：3，自引：0，他引：3
本文研究了γ-Fe_2O_3材料的制备和掺杂对CO气敏特性的影响。实验表明用硫酸盐制备的γ-Fe_2O_3材料具有相对高的灵敏度,进行适当的Ti-Rh复合氧化物掺杂又明显提高了γ-Fe_2O_3材料对CO的灵敏度。讨论了该掺杂的量对CO灵敏度的影响,及相应元件的基本性质。 相似文献
2.
1962年清山哲郎提出ZnO薄膜的气敏特性后,研究目标较集中于以ZnO,SnO_2,γ-Fe_2O_3和α-Fe_2O_3为基质的氧化物半导体陶瓷材料,并已有商品出售.氧化铁基气敏材料与氧化锌、氧化锡相比,它有无需添加贵金属催化剂便可达到实用气敏灵敏度的优点.我们也曾从催化活性、磁学性能和气敏特性等方面,对α-Fe_2O_3基气敏材料的气敏机制进行了研究,得到满意的结果.本文旨在探讨α-Fe_2O_3-SnO_2配比和氧化铁粒度与气敏性能间关系,并且也浅析了气敏机制,以期为此复合材料实用化提供依据. 相似文献
3.
众所周知,与γ-Fe_2O_3相比,α-Fe_2O_3气敏材料的灵敏度较低,而且工作温度较高(一般在400℃左右),但是由于α-Fe_2O_3具有很高的稳定性,而且具有热、电、光等多种功能,因而近年来对此气敏材料的研究受到了普遍的重视.γ-Fe_2O_3是根据表面的氧化还原而导致的电导变化进行检测的,但α-Fe_2O_3的气敏机理还不很清楚,一般认为它也具有与γ-Fe_2O_3相似的体控制机理,即还原性气体与α-Fe_2O_3表面接触还原α-Fe_2O_3生成Fe_3O_4而使元件的电导增加,Fe_3O_4再与空气反应生成α-Fe_2O_3使电导降低. 相似文献
4.
本文研究了用不同种类铁盐作原料,用共沉法制备α-Fe_2O_3粉体,在掺杂和不掺杂时的气敏特性。并进一步研究了掺杂方式对气敏特性的影响,解释了α-Fe_2O_3的初始电阻值、气体灵敏度随掺杂含量的变化关系,说明了SnO_2在α-Fe_2O_3气敏性中的作用。 相似文献
5.
Fe2O3气敏材料的制备及掺杂研究 总被引：6，自引：3，他引：6
作者以不同铁盐与ＮａＯＨ反应，用共沉淀法磷选出较好的γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏材料；再通过多种掺杂，研究杂质对材料灵敏度的影响，寻找γ－Ｆｅ２Ｏ３对ＣＯ，Ｈ２，ＬＰＧ灵敏的适宜掺杂剂，以促进γ－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件的实用化。同时，作者又通过对掺杂物热力学数据的研究，初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律。 相似文献
6.
氧化铁薄膜的PCVP过程
及其气敏性能初探 总被引：1，自引：0，他引：1
由于α-Fe_2O_3具有较高的化学稳定性,一般认为它无气敏效应,后来才发现微细化、低结晶化及薄膜化的α-Fe_2O_3具有显著的气敏性,因此其气敏效应的发现晚于γ-Fe_2O_3。现已有了实用化的α-Fe_2O_3气敏元件,因而研究微细化的α-Fe_0O_3薄膜气敏村料成为必要,这对于材料的稳定生长和质量控制以及薄膜生长的微机控制都具有现实的意义,而研究氧化铁气敏薄膜的成膜工艺及动力学目前还未见详细报道。 实验是在一个真空反应管内进行的,衬底用电炉加热,温度由水银计显示,用10.5MHz高频电场等离子体激发源,以二茂铁为源材,以氧气为氧化剂兼作载气。氧 相似文献
7.
补偿式气敏元件的研究 总被引：2，自引：0，他引：2
提出了由n型气敏材料和p型气敏材料构成的补偿式气敏元件的原理及实现补偿的条件.据此原理制作了由γ-Fe_2O_3和LaFeO_3构成的补偿式元件.该元件有效地克服了乙醇的干扰,提高了对丁烷的选择性. 相似文献
8.
超微粒氧化铁的制备与气敏性能的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
本文采用PCVD法制备了纳米级的超微粒氧化铁气敏材料.用这种材料制备的气敏元件具有工作温度低、灵敏度高、响应速度快、稳定性好等优点.不需掺杂,改变工作温度和热处理温度便可获得对酒精蒸汽和C_2H_2气体具有选择性的气敏元件.这种材料像SnO_2,ZnO气敏材料一样,在205℃左右出现电导极值.超微粒α-Fe_2O_3的气敏机制属表面控制型. 相似文献
9.
TiO2掺杂α—Fe2O3薄膜的制备与气敏性能 总被引：1，自引：0，他引：1
以钛酸丁酯和二茂铁为源物质,用氧气做氧化剂,采用等离子体化学气相沉积的方法,合成了具有良好气敏性能的TiO_2掺杂α-Fe_2O_3薄膜。采用SEM,XRD、DTG、IR、XPS和XRF等方法对薄膜的结构和成份进行了分析和观察。气敏测试的结果表明,TiO_2掺杂有助干提高α-Fe_2O_3薄膜的气敏选择性和气体灵敏度,并降低其工作温度。 相似文献
