V-Sb-Nb/TiO_2催化剂的制备及其抗中毒性能研究

采用浸渍法制备了负载Sb、Nb的V-Sb-Nb/TiO2催化剂,研究了典型中毒物质对其脱硝活性的影响,并将其催化性能与V2O5/TiO2、V2O5-WO3/TiO2做了比较。结果表明,与V2O5/TiO2相比,V-Sb-Nb/TiO2具有良好的抗金属氧化物及氯化物中毒的能力,同时其抗氯化物中毒的性能优于V2O5-WO3/TiO2。另外,在V-Sb-Nb/TiO2催化剂的基础上添加少量的WO3可以进一步提高催化剂脱硝活性。试验表明,Sb和Nb氧化物替代V2O5-WO3/TiO2催化剂(VWTi催化剂)中的WO3在经济技术上可行。     

锂金属聚合物电池正极材料V2O5的进展

介绍了V2O5的发展概况;论述了溶胶-凝胶法合成非晶态V2O5的研究进展;指出了V2O5作为锂金属聚合物(LMP)电池正极时,存在的大电流放电性能差、容量低、循环寿命短等问题,分析了原因,并给出了解决办法,如V2O5掺杂Ag、Cu、聚吡咯和聚噻吩改性等.     

锂离子蓄电池钒系正极材料的研究进展

综述了锂离子蓄电池中钒系正极材料的研究和发展。对钒的氧化物V2 O5和V6O13 以及钒酸锂系化合物Li1 x V3 O8、LiNiVO4、Li6V5O15和LixV2 O5等电极材料的特点、合成方法、放电容量和循环性能等作了总结。比较详细地介绍了钒的氧化物V2 O5在充放电过程中结构变化的情况、钒酸锂系化合物Li1 xV3 O8的结构特点、在充放电过程中物相的变化情况和容量衰减的原因 ,以及最近几年提出的旨在提高其容量的几种新的合成方法。对最近研究热点之一的V2 O5凝胶和其衍生物质Cu0 .1V2 O5干凝胶的研究情况也作了介绍。     

锂金属聚合物电池正极材料V2O5的进展

介绍了V2O5的发展概况;论述了溶胶-凝胶法合成非晶态V2O5的研究进展;指出了V2O5作为锂金属聚合物(LMP)电池正极时,存在的大电流放电性能差、容量低、循环寿命短等问题,分析了原因,并给出了解决办法,如V2O5掺杂Ag、Cu、聚吡咯和聚噻吩改性等.     

正极材料V2O5的研究进展

综述了近年来锂离子电池正极材料V2O5的不同制备方法与V2O5的结构、电化学性能的关系,重点阐述了用低温法(溶胶-凝胶法)制备非晶态V2O5(包括干凝胶、气凝胶、类气凝胶).     

(V2O5,Ta2O5)双掺杂的WO3陶瓷的电学行为研究

用电子陶瓷工艺制备(V2O5,Ta2O5)双掺杂的WO3电子陶瓷,研究了(V2O5,Ta2O5)双掺杂对WO3陶瓷的微观结构与电学行为的影响。X射线衍射结果表明,(V2O5,Ta2O5)双掺杂能明显抑制WO3中三斜相的形成,使WO3陶瓷单相化。I-V特性测试表明,掺杂V2O5和Ta2O5后,陶瓷的压敏电压明显增大,非线性系数显著减小。     

制备参数对V_2O_5/TiO_2催化剂脱硝性能的影响

研究分析了制备参数对V2O5/TiO2催化剂选择性催化还原脱硝性能的影响,考察了V2O5/TiO2催化剂的抗水抗硫性能。结果表明,载体TiO2的比表面积越大,结晶度越弱,越有利于V2O5/TiO2催化剂上的SCR反应;在煅烧温度为500℃和煅烧时间为5 h的条件下制备的1 wt.%V2O5/TiO2催化剂具有最高的脱硝活性,在典型的SCR反应温度范围(300～400℃),NO转化率达到92.7%～98.8%;随着催化剂上V2O5担载量的增加,有序的V2O5晶体随之增加,反应温度的升高将导致N2O生成量的增多,降低催化剂的选择性;当烟气中含有10%H2O和(0～0.2%)SO2时,对V2O5/TiO2催化剂的脱硝活性影响不大。     

V_2O_5/MoO_3掺杂对NiCuZn铁氧体结构和性能的影响

采用固相反应法制备了NiCuZn铁氧体,研究了V2O5/MoO3不同掺杂量对材料电磁性能的影响以及V2O5/MoO3这两种物质掺杂效果的对比。结果表明,在900℃烧结条件下,随V2O5/MoO3掺杂量的增多,样品起始磁导率呈现出先增大后减小的规律(掺杂0.25wt%V2O5/0.5wt%MoO3时出现磁导率峰值)。对比两种掺杂物质,发现掺MoO3样品的起始磁导率和饱和磁化强度略好于掺V2O5的样品;掺V2O5样品的品质因数和矫顽力好于掺MoO3的样品。     

非晶态V2O5类气凝胶正极材料的性能

以晶态V2O5(c-V2O5)为原料,采用熔融淬冷法制取了非晶态V2O5类气凝胶(a-V2O5ARG-like).XRD、EIS、CV和充放电实验结果说明该样品较c-V2O5有更好的电化学性能;在0.1 C和1 C倍率下放电,其首次放电比容量分别为c-V2O5的1.3倍和1.8倍;循环100次后,容量保持率高达79.5%.     

非晶态V2O5类气凝胶正极材料的性能

以晶态V2O5(c-V2O5)为原料,采用熔融淬冷法制取了非晶态V2O5类气凝胶(a-V2O5ARG-like).XRD、EIS、CV和充放电实验结果说明:该样品较c-V2O5有更好的电化学性能;在0.1 C和1 C倍率下放电,其首次放电比容量分别为c-V2O5的1.3倍和1.8倍;循环100次后,容量保持率高达79.5%.     

超级电容器用五氧化二钒材料的研究进展

概述了近年来在超级电容器五氧化二钒(V_2O_5)电极材料方面的研究工作,主要包括3D V_2O_5、V_2O_5薄膜、V_2O_5/聚合物、V_2O_5/石墨烯和V_2O_5/碳基等电极材料;重点介绍了通过不同制备方法得到各种形貌的V_2O_5以及复合物,分析材料电化学性能得到改善的原理。对V_2O_5材料的发展趋势进行展望。     

V_2O_5发泡材料的制备及电化学性能

以五氧化二钒(V_2O_5)为原料,采用熔融冷却法制备V_2O_5干凝胶;以有机胺为插层物及结构导向剂,制备具有层状结构的V_2O_5材料。通过XRD、SEM和BET测试,对V_2O_5原料、干凝胶和发泡材料进行分析;通过循环伏安、恒流充放电和交流阻抗等方法对电化学性能进行研究,在m(V_2O_5)∶m(C16H35N)∶m(H2O2)=1∶2∶50条件下制备的V_2O_5发泡材料,电化学性能最佳,在1 mol/L Na_2SO_4溶液中以0.2 A/g的电流在-0.2~0.8 V充放电,充电比电容为170.3 F/g。     

V_2O_5/DBSA-PANI复合材料的制备及电容性能研究

制备了V2O5/DBSA-PANI复合材料,用XRD、IR及SEM对材料进行了表征.结果表明,复合材料为片状,V2O5和DBSA-PANI之间有化学键形成;材料的恒流充放电性能测试结果表明.当电流密度为0.2～0.8 mA.电压范围为-0.2-0.8 V(vs.SCE),电解液为1 mol/L KNO3溶液时,所得材料具有良好的电容特性,复合材料的比电容比单独的V2O5明显提高,而循环性能比单独的DBSA-PANI好.电压范围为-0.2～0.8 V(vs.SCE),以2～10 mV/s扫描速率进行循环伏安测试,该复合材料均表现出良好的赝电容性能.     

纳米负载型选择性催化还原反应催化剂的制备和性能研究

采用溶胶凝胶法和浸渍法制备了以陶瓷颗粒为骨架的纳米级V2O5-WO3/TiO2(C)催化剂，并用X射线衍射(X-ray diffraction，XRD)和扫描电子透镜(transmission electron microscopy，TEM)表征了催化剂的晶型和形貌。研究了TiO2凝胶热处理温度和WO3负载量等重要参数对催化剂在以NH3为还原剂的选择性催化还原(selective catalytic reduc- tion，SCR)系统中的反应温度窗口、抗硫性的影响。最后考察了催化剂在不同NH3/NO比、O2含量、空速等因素下的性能指标。结果表明，在260~420℃的温度范围内，以陶瓷为骨架的负载型纳米V2O5-WO3/TiO2催化剂具有较高的SCR催化活性，且性能稳定； TiO2以锐钛形式存在的催化剂表现出高的抗硫性能，而TiO2以锐钛和金红石混晶形式存在时，抗硫性能比较差，但硫的中毒是可逆的，可再生；WO3负载量的增加提高了催化剂的活性。     

Co2O3或/和V2O5掺杂对NiZn铁氧体磁性能的影响

一定量的V2O5掺杂有利于NiZn铁氧体烧结温度的降低，且在一定范围内起始磁导率升高；而Co2O3掺于Nizn铁氧体，起始磁导率降低，但损耗特性可得到改善。我们采用Co2O3-V2O5复合掺杂，发现选择适当的配比，在起始磁导率没有大的下降的情况下，烧结温度和损耗特性等其他磁特性可得到较好的改善。     

V_2O_5添加对NiCuZn铁氧体材料磁性能的影响

在前期实验的基础上并根据实际需要,选用Ni0.25Cu0.4Co0.15Zn0.2Fe2O4为主配方,采用普通氧化物陶瓷工艺制备NiCuZn铁氧体材料,通过添加V2O5助熔剂来改善材料的显微结构。主要研究了助剂含量对材料致密化程度、起始磁导率、截止频率、比损耗、温度稳定性等的影响。最终制备出可以用于射频领域的宽频带铁氧体材料,性能为:起始磁导率为7.4,截止频率700MHz左右,在-60～120℃磁导率的比温度系数小于4.5×10-4/℃,比损耗系数在100MHz以下小于1×10-2。     

水热法制备V_2O_5纳米材料的研究进展

介绍通过简单易操作的水热法制备各种纳米尺寸结构的五氧化二钒(V_2O_5)材料,包括低维度纳米结构材料、二维结构材料和三维结构材料。指出V_2O_5作为正极材料亟待解决的问题(如结构稳定性、电子导电率、锂离子扩散系数等),并展望水热法制备V_2O_5纳米结构材料的发展趋势。     

V_2O_5掺杂对低温烧结宽温NiCuZn铁氧体显微结构及性能的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备低温共烧铁氧体(LTCF)多层片式器件用NiCuZn铁氧体材料,研究了V_2O_5掺杂对材料微观结构、磁导率及其温度特性的影响。结果表明,随V_2O_5掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸增大,材料烧结温度降低,磁导率先增大后降低;宽温NiCuZn铁氧体配方采用0.4wt%的V_2O_5掺杂,可使材料实现低温烧成(烧结温度900℃左右),并具有高磁导率(500左右)、致密的细晶粒显微结构,从而获得满足LTCF多层片式铁氧体器件高、低温应用环境(-55~+85℃)下磁性能要求的低温烧结NiCuZn铁氧体宽温材料。