基于ADS的2GHz低噪声放大器设计

该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1．0dB,输出驻波比小于1．3,输入驻波比小于2．5。     

全球定位系统接收机的低噪声放大器设计

利用仿真软件先进设计系统（ADS2009）设计中心频率为1575MHz的低噪声放大器,应用于手机全球定位接收系统。选用恩智浦公司的BGU8009放大器芯片作为放大电路,通过外围匹配电路设计,使用最少的元件构成单级、低成本的低噪声放大器电路。仿真结果显示,放大器的增益大于16dB,噪声系数小于0．75dB,增益平坦度比较好,稳定系数大于1,达到系统要求的各项指标,并具有一定裕量。     

CMOS 3～5GHz超宽带低噪声放大器的设计

设计了一个应用于超宽带(UWB)系统的3~5 GHz超宽带低噪声放大器.电路由二阶切比雪夫滤波器,电阻并联反馈,两级共源共栅结构,源级跟随器组成.低噪声放大器采用0.18 mCMOS工艺进行设计,利用ADS 2006 A进行仿真.结果表明,低噪声放大器在3~5 GHz带宽范围内噪声系数(NF)小于2dB,功率增益在23.9~24.8 dB之间,输入端口反射系数小于-10dB,输出端口反射系数小于-15dB,IIP3为-11dBm在1.8 V的电源电压下,核心电路功耗为10 mW.     

一种平坦高增益的宽带低噪声放大器设计

针对宽带低噪声放大器带宽内增益波动性大的问题,设计一种平坦高增益的宽带低噪声放大器。采用两级放大器级联形式,在第一级放大电路中引入负反馈电路,设计ATF-54143的偏置电路并分析其稳定性。在两级放大电路之间添加增益补偿网络,改善宽带低噪声放大器的阻抗匹配和增益平坦度。仿真结果表明,在0.9~2.5GHz频率范围内,该宽带低噪声放大器的增益为(30.0±0.3)dB,噪声系数小于1.5dB,输入、输出反射系数均小于-10dB,达到设计要求。在误差允许范围内,实物测试结果与仿真结果相符合。     

400MHz～2.4GHz宽带低噪声放大器设计

采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款频率400 MHz~2.4GHz宽带低噪声放大器。采用两级级联结构,将前级放大器的输入阻抗匹配到最佳噪声阻抗得到最小噪声;后级放大器采用负反馈结构得到较宽的工作频带;级间引入失配补偿方法,即在晶体管增益滚降处引入高频增益,使得放大器工作频带拓宽,提高带内平坦度。仿真结果表明,该低噪声放大器工作频率为400 MHz~2.4GHz,频带内噪声系数为1dB,增益为34dB,增益平坦度为3.1dB,回波损耗优于-10dB,满足了低噪声、超宽带和高平坦度的要求。     

L波段低噪声放大器的分析与设计

利用Advanced Design System（ADS）完成了L波段低噪声放大器（LNA）的设计。分析了实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素利用ADS进行了电磁仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF-35143器件设计,达到了预定的技术指标,工作频率1.21GHz,增益G大于14dB,噪声系数NF小于0.5 dB,输入1dB压缩点大于5dbm。     

0.18μm CMOS 5.1GHz低噪声放大器的设计

一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的5.1GHz频率下的CMOS低噪声放大器。采用源极电感负反馈共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,保证较高的品质因数和信噪比。利用ADS对电路进行调试和优化,设计出低功耗、低噪声、高增益、高稳定性的低噪声放大器。通过ADS软件仿真得到较好的结果:在1.8V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为16.12dB,噪声系数为1.87 dB,直流功耗为9.84mA*1.8V。     

CMOS低噪声放大器Miller效应分析与噪声优化

根据反馈分解理论将晶体管栅漏电容分解等效到放大器输入输出两端,研究了栅漏电容对低噪声放大器(LNA)输入阻抗和噪声系数的影响.基于分析结果对阻抗及噪声公式进行了修正,提出功耗约束条件下的LNA噪声优化方法.设计的2.4 GHz LNA基于中芯国际(SMIC) 0.18 μm RF CMOS工艺,版图后仿结果表明：在1.2 V的工作电压下,该低噪声放大器直流功耗仅为2.4 mW,噪声系数为1.0 dB,功率增益为16.3 dB,输入输出反射损耗均小于-22 dB,三阶互调点IIP3为-3.2 dBm.相比已有的设计,根据修正公式设计的LNA在功耗、输入阻抗匹配、噪声系数等性能指标上有较大的改善.     

兼容5G毫米波n257和n258频段的氮化镓低噪声放大器设计研究

基于100 nm的氮化镓(Gallium Nitride, GaN) 高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT) 工艺设计了一款毫米波低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA) 单片式微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC) 芯片。该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构,对带宽、噪声和增益进行了联合优化设计。测试结果显示,工作频率范围覆盖24~30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5~29.5 GHz) 和n258(24.25~27.5 GHz) 频段,噪声系数可达到2.4~2.5 dB的水平,小信号增益在21.1~24.1 dB之间,输出1 dB功率压缩点大于14.4 dBm的水平。     

60GHz单级功率放大器的设计

该文探讨了60 GHz 功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0．07μm GaAs 工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1．2 V,工作电流为27 mA,在62．2 GHz 时有最大小信号增益4．9 dB,60 GHz 时仿真的输出1 dB 压缩点功率为12 dBm。     

煤田地震勘探在高角度狭长地堑复杂地区资料采集处理解释效果分析

随着煤田勘探技术的不断提高和发展,地震勘探逐步进入复杂地区。由于地表条件复杂,地层倾角较大,使得地震采集干扰严重,处理静校正量大,从而导致地震资料信噪比和分辨率降低,严重影响资料解释的精度。本文以舒兰煤田为例,采用理论与实践相结合,详实的分析和研究了煤田领域在狭长地堑复杂地区地震资料采集及处理各个环节上采用的方法、手段和措施,最终得到高信噪比、高分辨率地震资料,为地震报告的提交提供有利的数据保障,从而达到提高煤田地震勘探水平的目的。     

超高压装置在食品工业中的应用

超高压装置是高压食品研制、开发、生产的关键设备．能否提供性能优良、价格相对适中的高压装置是高压食品产业化的关键．本文系统介绍了食品高压处理的方法及高压处理装置,并就高压技术在食品工业中的发展方向提出了几点建议．     

高层建筑高位水箱设计研讨

高层建筑高位水箱是高层建筑生活给水和消防给水设计中的重要环节。对高位水箱设置的必要性,高位水箱的容积、高位水箱坑度进行了研究和探讨 。     

X-超树结构高可用性集群的设计与分析

高可用性集群是在系统出现故障时仍能提供服务的解决途径,但采用什么样的拓扑结构是一个关键问题.在分析了网络互连的几种常用拓扑结构的基础上,对超树结构进行了改进,提出了X-超树,并对它的高可用性和可靠性进行了分析,结果证明X-超树具有比超树更高的可用性和可靠性.     

超临界水氧化实验装置的建立

超临界水氧化是一种新兴的处理有机废料的环保技术。该技术开发应用的关键是主要设备（如反应器）用材能经受住高温高压强腐蚀性环境的考验。为此,作者建立了一套连续式超临界水氧化实验装置,可以进行有机废水超临界氧化处理的工艺试验及设备试验。试用结果表明,该装置可以在压力为25MPa和温度为450℃的超临界水条件下连续运行,技术水平国内领先。     

高抗干扰的S通讯协议收发器

“S网络”是一种高性能,高精度和具有非常突出的高抗干扰能力的通用工业实时测控网络,在我国应用较多,但其内部工作原理却很少公开,因而专门介绍了“S网络”的收发器工作原理及其特性,为用户维修提供方便,也为新型网络协议的开发提供参考。     

大连小野田3150kW变频器节能应用

介绍了襄樊大力变频器在大连小野田3 150 kW电机上的应用,并阐述了变频器的工作原理.     

ZA—27新型铸造材料分析

新型铸造材料ＺＡ—２７是用来代替锡青铜合金的理想材料。我们对该合金的化学成分，熔炼工艺、浇铸工艺及其主要性能，金相组织进行了较为系统的研究。     

数控机床高速高精度化的实现方法及发展趋势

随着航空领域及模具业的发展，需要对复杂型面的零件进行高速高精度的加工。这就对加工业提出了更高的要求．为此对实现数控机床高速高精度化的方法进行了归纳，得出智能控制理论和方法必定是全面提升机床运动控制性能。实现数控机床高速、高精度化的根本途径．     

高温后高强混凝土的微观结构分析

利用扫描电子显微镜对不同温度作用后Ｃ７０和Ｃ８５两种高强混凝土的微观结构进行了观察和分析,总结了掺加粉煤灰和硅灰的高强混凝土内部结构随温度的变化规律,较好地解释了高温后高强混凝土宏观力学性能的试结果,深化了人们对高温后高强混凝土损伤机理的认识。