稀土离子掺杂对钛酸钡铁电记忆的影响

少量稀土离子并入钛酸钡晶格时降低晶粒尺寸和提高电绝缘性能的优势适于电子器件微小型化的开发,尤其是对于基于钛酸钡的铁电记忆功能的评价具有研究价值．由冷压陶瓷技术制备了镧系稀土中两个特殊元素铈和铕掺杂的钛酸钡陶瓷,电滞回线被测量,评价了稀土铈和铕在钛酸钡晶格并入对钛酸钡铁电记忆功能的影响．     

锆和铈掺杂对钛酸锶钡结构的影响

铈和锶、锆和锶两组不同元素离子在钛酸钡的双位掺杂的固溶性对室温高介电扩散的材料开发具有研究价值．由冷压陶瓷技术制备了以上两组离子共同掺杂的钛酸钡陶瓷．XRD被测量,比较并评价了铈和锶、锆和锶在钛酸钡晶格双位并入与锶在钡位并入对钛酸钡晶格固溶性的影响．     

镧系离子对钛酸钡陶瓷结构的修改在介电领域的进展

元素周期表中的镧系包含14种元素,作为“现代化学工业维他命”,当它们的离子被并入钛酸钡晶格中时,可以大大降低钛酸钡的介电损失、温度系数和晶粒尺寸,适于电子器件微小化和成为替代目前的基于钛酸铅高介电材料的环境友好材料,并提高钛酸钡的介电性能.因此,镧系离子对钛酸钡陶瓷结构的修改以提高钛酸钡陶瓷的介电物性在高介电材料基础研究与应用领域成为当前国际上的一个热点.在这篇评论中,系统地评价镧系离子因镧系收缩而并入钛酸钡陶瓷的位占据倾向、介电响应规律、一级相变和扩散相变、以及材料在室温高介电扩散的实现.     

大型钛酸钡基高介电陶瓷制备和绝缘电阻评价

采用固相反应的冷压陶瓷制备工艺,制备出以钛酸钡为基的双稀土掺杂大型Φ60和小型Φ10陶瓷材料BPTC．通过XRD和介电温谱测试,研究了稀土元素在钛酸钡晶格双位并入、晶体结构和介电性能．采用静电计对稀土掺杂钛酸钡基大型陶瓷材料的体电阻率进行了研究测量,侧面反应出了小型陶瓷片的高绝缘性能．     

锶掺杂二钛酸钡的熔盐法制备及其介电性能

为了获得织构化的二钛酸钡陶瓷,并利用元素替代调控和改善陶瓷介电性能的特点,采用熔盐法,以碳酸钡,二氧化钛和碳酸锶为原料,以氯化钠和氯化钾为熔盐,在840 ℃反应5 h,X射线衍射结果显示,得到的粉体为单相,说明锶离子完全进入了二钛酸钡晶格,成功制备出了摩尔比为1%锶掺杂的二钛酸钡粉体.通过扫描电子显微镜形貌分析显示,制备的二钛酸钡锶单晶颗粒呈棒状,长约2.0 μm,矩形截面宽约为100～200 nm.棒状颗粒所组成的粉体经单轴压力压片、烧结后得到的二钛酸钡锶陶瓷,居里温度约为415 ℃,说明当锶掺杂量为1%（摩尔比）时,相比未掺杂的单晶二钛酸钡的居里温度略有降低.在测量频率为10 kHz～10 MHz的范围内,陶瓷片在成型时压力轴垂直方向上的介电常数峰值约是平行方向上介电常数峰值的3倍,说明陶瓷的介电性能具有明显的各向异性,成功获得了织构化的二钛酸钡锶陶瓷.     

变价铈离子对(Li,Ce)改性的铋层状化合物结构和性能的影响

为了明确变价铈离子对铋层状化合物结构和电学性能的影响机理,采用传统固相工艺制备了不同价态铈离子为原料的(Li,Ce)改性的Sr0.6-x(LiCe)x/2(BiNa)0.2Bi2Nb2O9(SBNBN)陶瓷.实验结果表明:不同价态的铈离子由于实际取代位置的不同,会引起材料不同的晶格畸变;不同价态铈离子对SBNBN陶瓷介电性能的影响也不同,Ce3+离子降低了材料的居里温度和高温介电损耗,Ce4+离子则提高了材料的居里温度和高温介电损耗;不同价态铈离子取代均能有效提高(Li,Ce)改性的SBNBN陶瓷的压电性能,Ce3+和Ce4+离子改性的SBNBN陶瓷压电系数的最大值分别达到了28pC·N-1和32pC·N-1.     

(Ba_(1-x)La_x)(Ti_(1-x/2)Mg_(x/2))O_3陶瓷的结构相变

采用冷压陶瓷技术在1350℃12 h条件下制备了镧镁双掺杂的钛酸钡基陶瓷(Ba1-xLax)(Ti1-x/2Mgx/2)O3,并进行了密度、XRD、Raman测试,结果发现镧镁双掺杂能引起钛酸钡基陶瓷由四方相到立方相的结构相变.     

Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3织构化陶瓷制备与表征

采用凝固法制备出各向异性的片状钛酸钡作为模板,利用模板晶粒生长(TGG)法制备出Na0.5K0.5NbO3(NKN)织构化陶瓷.研究了NKN织构化陶瓷的工艺、组织和性能.研究结果表明,钛酸钡可以作为NKN陶瓷的模板,在陶瓷烧结过程中诱导NKN晶粒的生长,模板的取向决定了NKN陶瓷晶粒取向,随着烧结温度的升高陶瓷的压电性能(d33)达到69 pC/N,在合理的烧结工艺下得到了取向比较明显的织构化陶瓷.     

稀土铈参杂的钛酸钡陶瓷的制备和结构特性

采用冷压陶瓷处理技术制备了铈参杂的钛酸钡陶瓷.应用X光衍射谱来调查铈在钛酸钡晶格中的固溶性以及铈的参杂对钛酸钡介电陶瓷结构的影响.     

镨对锰掺杂钛酸钡陶瓷结构和介电性能的影响

采用冷压陶瓷技术制备了锰掺杂及镨锰共掺杂钛酸钡陶瓷.1.0%锰在钛酸钡中的掺杂导致形成四方和六方钙钛矿混合结构;镨的进一步掺杂导致六方相消失,形成四方钙钛矿单相结构.同时研究了镨对锰掺杂钛酸钡陶瓷介电性能的影响.     

去除As(V)的赤泥基环境修复材料的研究

针对重金属污染这一课题,文中采用溶胶-凝胶法、浸渍镀膜法在赤泥基多孔陶瓷滤球上涂覆Eu-Ce共掺杂纳米TiO2膜,利用多孔陶瓷的吸附作用及稀土共掺杂TiO2膜的光催化剂强还原作用去除电镀废水中的As(V)离子.研究了浸渍时间、涂覆次数、涂覆方式及膜热处理制度对膜与赤泥基多孔陶瓷滤球结合性及光催化性的影响,进行了涂覆Eu-Ce共掺杂纳米TiO2膜的赤泥基多孔陶瓷滤球对As(V)离子去除试验.结果表明,浸渍10 min、涂覆2次、550℃热处理的赤泥基环境修复滤球材料对As(V)离子去除率可达95.96％.通过SEM、TG-DTA、UV-Vis吸收光谱等现代测试技术对样品的结构及性能进行了表征,探讨了赤泥基多孔陶瓷滤球上涂覆Eu-Ce共掺杂纳米TiO2膜的赤泥基环境修复材料的成膜机理和去除重金属As(V)离子的作用机理.     

去除As(Ⅴ)的赤泥基环境修复材料的研究

针对重金属污染这一课题,文中采用溶胶-凝胶法、浸渍镀膜法在赤泥基多孔陶瓷滤球上涂覆Eu-Ce共掺杂纳米TiO2膜,利用多孔陶瓷的吸附作用及稀土共掺杂TiO2膜的光催化剂强还原作用去除电镀废水中的As(Ⅴ)离子。研究了浸渍时间、涂覆次数、涂覆方式及膜热处理制度对膜与赤泥基多孔陶瓷滤球结合性及光催化性的影响,进行了涂覆Eu-Ce共掺杂纳米TiO2膜的赤泥基多孔陶瓷滤球对As(Ⅴ)离子去除试验。结果表明,浸渍10min、涂覆2次、550℃热处理的赤泥基环境修复滤球材料对As(Ⅴ)离子去除率可达95.96%。通过SEM、TG-DTA、UV-Vis吸收光谱等现代测试技术对样品的结构及性能进行了表征,探讨了赤泥基多孔陶瓷滤球上涂覆Eu-Ce共掺杂纳米TiO2膜的赤泥基环境修复材料的成膜机理和去除重金属As(Ⅴ)离子的作用机理。     

铈参杂的钛酸钡陶瓷的微结构演变(英文)

对于采用冷压技术制备的铈参杂的钛酸钡陶瓷,应用扫描电子显微镜来铈的参杂对钛酸钡微结构的影响.目的是探索应用冷压技术对钛酸钡的化学修改而获得高密度高介电陶瓷的可行性.     

铁微量掺杂对二钛酸钡陶瓷介电性能的影响

采用常规固相反应法,以碳酸钡、二氧化钛和三氧化二铁为原料,制备微量铁掺杂的二钛酸钡陶瓷,研究了铁掺杂含量对二钛酸钡陶瓷的相纯度、相对密度和介电性能的影响.采用X射线粉末衍射仪检测二钛酸钡陶瓷的相成分,利用精密阻抗分析仪测量其介电性能.结果表明,微量铁元素进入了二钛酸钡晶格,能够获得单相二钛酸钡陶瓷的最大铁掺杂量在0.5%～1%之间.随着铁含量的增加,铁电相变居里温度快速减小,从未掺杂时的415 ℃降至铁含量为0.02%时的376 ℃和铁含量为0.5%时的324 ℃.同时介电常数逐渐减小,介电峰不断发生宽化,但并没有导致弛豫性铁电体的出现.微量铁元素的掺杂在实验测量误差范围内对陶瓷的密度影响不大.     

新型电子原材料——钛酸钡（BatiO3）粉体

超细粉体技术是当今高科技材料领域方兴未艾的新兴技术之一．粉体细化后生成的材料功能的特异性,使之成为新技术革命的新型电子原材料。钛酸钡粉体是电子陶瓷元器件的重要基础原料,高纯超细钛酸钡体主要用于介质陶瓷、敏感陶瓷的制造。利用钛酸钡粉体制备的多层陶瓷电容器、热敏电阻器件被广泛应用于冰箱启动器、彩电消磁器、程控电话机、节能灯、加热器等领域,制备的多层陶瓷电容在大规模集成电路方面得到广泛应用．     

钕掺杂钛酸钡陶瓷材料的制备及电阻-温度依存性的研究

讨论了稀土元素钕(Nd)对钛酸钡陶瓷材料的微观结构和介电性能的影响,以BaCO3、Nd2O3和TiO2为原材料采用固相法贮备了掺杂钕的BaCO3、TiO2纳米粉体,并经高温烧结后得到(Ba1-xNdx)Ti1-x/4O3基片,并对其进行测试,研究了钕掺杂对钛酸钡陶瓷电阻-温度依存性.     

高介电率钛酸钡陶瓷的制备(英文)

采用冷压陶瓷处理技术制备了高介电率钛酸钡陶瓷材料.应用X光衍射谱、扫描电子显微镜、介电率的温度与频率依存关系以及电滞回线测量,调查和研究所制备的钛酸钡陶瓷的结构、微结构、介电和铁电性质.这项工作为高介电的单片电容器材料的应用打下实验基础.     

碱土金属掺杂对BiFeO3陶瓷多铁性的影响

为了探究碱土金属离子掺杂对BiFeO3陶瓷多铁性的影响,采用固相法成功制备了BiFeO3以及Bi0.9 A0.1 FeO3(A=Ca、Sr、Ba)陶瓷,并对其铁电、铁磁等性能进行了研究.X射线衍射结果表明:晶体均为六方钙钛矿结构,空间群为R3 c,晶胞参数随掺杂离子半径的增大呈现先增大后减小的现象.电学性能测试发现:Bi0.9 A0.1 FeO3陶瓷的铁电极化值和漏电流密度均随着掺杂离子半径的增大而增大.结合X射线光电子谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)铁离子价态分析表明:Bi0.9 A0.1 FeO3陶瓷铁电性会受掺杂带来的结构畸变和氧空位浓度变化的双重作用的影响.BFO、BCFO、BSFO和BBFO陶瓷的磁化强度依次增大,磁场强度为14 T时磁化强度分别为0.150、0.356、0.497和0.995 emu/g,其铁磁性随掺杂离子半径增大而增强,这与掺杂造成的结构畸变以及铁离子变价有关.     

YAG荧光粉的制备与表征

采用高温固相法制备了不同稀土离子(M:铽(Tb),镨(Pr))掺杂的钇铝石榴石型(Y3Al5O12(YAG))荧光粉(YAG:M),并通过XRD表征了煅烧温度和掺杂的稀土离子对晶化程度的影响,荧光发射光谱(PL)表征了不同稀土离子掺杂和掺杂浓度对荧光发射强度和荧光波长位置的影响。透射电镜(TEM)和扫描电镜(SEM)分析了不同条件下合成的荧光粉的分散性、粒径尺寸和粒形貌结构信息。     

Schiff碱双冠醚及其多核配合物的合成和表征

合成了Schiff碱双冠醚配体N,N′-二[(4′-苯并15冠5)次甲基]三乙烯四胺(L)及其稀土—镍硝酸盐配合物Ln3Ni(NO3)11·L(Ln=La,Ce,Pr,Eu,Gd,Y).元素分析、摩尔电导、红外光谱、紫外光谱等分析结果表明:配合物的组成为Ln3Ni(NO3)11·L·nCH3CN(n=0,1),属于1∶1型大阴大阳离子缔合物.配合物中,镍离子与桥链上的四个氮原子配位,其中两个稀土离子分别与冠醚环上的氧原子及硝酸根离子配位形成大阳离子,另一稀土离子与硝酸根离子配位形成阴离子.