CuxS(x=1,2)纳米薄膜的异步脉冲超声喷雾热解法制备

采用改进的异步脉冲超声喷雾热解技术在玻璃衬底上成功地制备了CuxS(x =1,2 )纳米薄膜 .研究发现 ,所制备的CuxS薄膜为多晶态 ;薄膜的晶相结构依赖于CuCl2 ·2H2 O和硫脲的摩尔比及衬底温度 .XRD和XPS分析表明 :样品为纯CuxS(CuS ,Cu2 S) ,拉曼谱研究表明其峰位分别在 472cm- 1 (Cu2 S)和 474cm- 1 (CuS)处 .     

BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的I-V特性研究

为了有效阻止锆钛酸铅镧（PLZT）与半导体界面发生反应和互扩散，根据锆钛酸铅镧和钛酸铋（BIT）各自的铁电性能，采用脉冲准分子激光淀积（PLD）方法制备了BIT／PLZT／BIT多层结构铁电薄膜，测量和分析了它的I-V特性曲线．结果表明，这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点，提高了铁电薄膜的铁电性能，为进一步研究薄膜的存储特性提供了基础．     

等离子喷涂ZrO2纳米热障涂层及热导率

采用大气等离子喷涂技术制备了纳米ZrO2热障涂层,采用XRD和SEM方法分析了涂层的相结构和微观组织,并采用激光脉冲法测量了纳米涂层的热导率．结果表明,喷涂前后涂层与粉末的相成分没有发生变化,涂层具有典型的等离子涂层微观组织结构,孔隙率约为12．33％．纳米涂层热导率的平均值约为传统微米ZrO2涂层的86％,涂层中大量的纳米晶是纳米涂层隔热性能改善的主要原因．     

金属纳米颗粒光散射提高薄膜光伏电池光能吸收率的理论研究

在准静态近似下,分析了球形金属纳米颗粒的光散射和吸收特性．金属纳米颗粒的介电函数用Drude模型描述的情形下,得出了银纳米颗粒在可见光、红外波谱范围散射效率与纳米颗粒半径的关系．利用金属纳米颗粒的光散射特性可提高薄膜光伏电池的光能吸收率．简要分析了其提高薄膜光伏电池光能吸收率的机理．     

TiO_2纳米晶和薄膜的制备及光催化性能

采用溶胶-凝胶法制备了TiO2纳米晶和薄膜,分别用X射线衍射(XRD))和差热-热重分析(DTA-TGA)对不同温度热处理的样品进行了表征,并考察了薄膜的光催化性能.结果表明:在500℃焙烧2h制备的TiO2纳米晶及薄膜具有完整的锐钛矿相结构,粒径约30nm左右,60min内甲基橙降解率可达到90%,具有很好的光催化活性.     

BaTiO3薄膜的Sol-Gel制备工艺及性能

利用溶胶－凝胶法（Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了BaTiO3薄膜，研究了不同退火条件下BaTiO3薄膜的晶相结构及表面形貌，测试了BaTiO3薄膜的电学性能。发现经900℃、120min退火处理的BaTiO3薄膜的介电－温度（εr-T)关系具有明显的弥散相变特性。     

超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜及其性能的研究

以CdCl2.2.5H2O为镉源,Na2SeSO3为硒源,柠檬酸钠为络合剂,采用超声注射喷雾热分解法制备了CdSe薄膜。并用XRD、UV-Vis、AFM等方法对其进行了表征。结果表明,所制备的薄膜为n型半导体,在可见光区有较高的吸收,可以获得较好的光电流。应用超声注射喷雾热分解法制备CdSe薄膜的优化条件为:基板温度为300℃,络合剂比例为1∶2,酸度为9,喷雾速度为0.3mL/min,退火温度为350℃。新的制备薄膜装置采用注射超声雾化手段,克服其雾化不均问题。     

溶胶凝胶法制备（Pb,La）TiO3纳米晶

采用溶胶－凝胶法制备掺镧钛酸铅（ＰＬＴ）纳米晶,分别用Ｘ射线衍射仪、透射电子显微镜、红外光谱仪和差热扫描量热分析仪对其晶化温度、结构、形貌特性进行了分析测试．结果表明ＰＬＴ系列纳米晶的晶化温度为５００℃,６５０℃热处理２ｈ得到的纳米晶粉的粒度大小为３０ｎｍ左右．     

纳米二氧化钛的制备及其电流变性能

利用水热法和水解法制备TiO_2纳米颗粒,通过改变表面活性剂的复配,研究了不同表面活性剂组合条件对纳米TiO_2形貌、结构和电流变性能的影响,将得到的二氧化钛纳米颗粒分别分散在硅油中得到了一系列的电流变液。采用X射线衍射仪,扫描电镜对纳米颗粒的表面形貌和结构进行了分析表征,采用流变仪对电流变液的电流变性能进行了测试。X射线图谱分析得知不同的制备方法得到的TiO_2纳米颗粒的晶型不同,在水热法和水解法两种制备方法中分别得到锐钛矿型结构和无定型结构的TiO_2纳米颗粒,并且,由水热法制备的纳米TiO_2电流变性能相比水解法总体上要好一些。     

沉积温度对ZnO薄膜结构形貌及光学性能的影响

以Zn(NO3)2·6H2O为前驱体,采用超声喷雾热解法在玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外光谱仪(UVS)等对所得ZnO薄膜进行表征,研究了沉积温度对ZnO薄膜的结构、微观形貌及光学性能的影响。结果表明,沉积温度为500℃时所制备的薄膜质量最佳,形成的是六角纤锌矿ZnO结构,且薄膜沿(002)晶面择优取向生长显著,薄膜表面光滑致密,晶粒细小均匀,尺寸在50~60nm。薄膜表现出良好的光学性能,可见光透过率可达87%。     

AC measurements of spray-deposited CdS:In thin films

Indium doped cadmium sulfide thin films (CdS:In) were produced by the spray pyrolysis technique on glass substrates. AC measurements were used to investigate the electrical properties of the films depending on Brick-layer model for polycrystalline materials. The measurements were performed at room temperature in the dark and room light in the frequency range from 20 Hz to 1 MHz using coplanar indium electrodes. The data were analyzed by using Bode plots for the impedance Z and dielectric loss tanδ with frequency f. It is found that the impedance has no dependence on frequency in the low frequency region but has 1/f dependence in the high frequency region. One dielectric loss peak is obtained, which means the presence of a single relaxation time, and hence the films are modeled by just one RC circuit which represents the grains. This means that there is just one conduction mechanism that is responsible for the conduction in the bulk, due to electronic transport through the grains. Real values of the impedance in the low frequency region and relaxation times for treated and as-deposited films were estimated.     

ZnO films on transferable and low thermal resistance graphite substrate grown by ultrasonic spray pyrolysis

ZnO thin films were deposited on graphite substrates by ultrasonic spray pyrolysis method with Zn(CH 3 COO) 2 ·2H 2 O aqueous solution as precursor. The crystalline structure, morphology, and optical properties of the as-grown ZnO films were investigated systematically as a function of deposition temperature and growth time. Near-band edge ultraviolet(UV) emission was observed in room temperature photoluminescence spectra for the optimized samples, yet the usually observed defect related deep level emissions were nearly undetectable, indicating that high optical quality ZnO thin fi lms could be achieved via this ultrasonic spray pyrolysis method. Considering the features of transferable and low thermal resistance of the graphite substrates, the achievement will be of special interest for the development of high-power semiconductor devices with suffi cient power durability.     

ALD淀积温度对HfO2高k栅介质材料特性的影响

采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少.     

铅掺杂对钛酸锶钡铁电薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在Pt／Ti／SiO2／Si（100）村底上制备了末掺杂和掺铅的钛酸锶钡（BST）薄膜，研究了铅的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。实验结果表明：随着铅的加入量的增加，BST薄膜的晶粒尺寸增大；在同一频率下，介电常数呈增大趋势。在测试频率低于50kHz时，介电常数和介电损耗急剧降低。     

TiO2/Graphene多孔微球对亚甲基蓝和乙醛的光催化活性

通过喷雾高温分解的方法制备了TiO2多孔微球和TiO2/Graphene多孔微球.石墨烯作为电子受体,能够增强TiO2电子和空穴的分离效率.另外,石墨烯的引入提高了TiO2对太阳光的利用率.在太阳光的照射下,TiO2/Graphene多孔微球对亚甲基蓝具有较高的光催化活性,然而其对乙醛的降解和CO2的生成均显示了较低的光催化活性.     

注射超声喷雾热分解方法制备ZnO薄膜研究

以乙酸锌为原料加水合成ZnO前驱液,利用注射超声喷雾热分解方法在玻璃衬底上成功制备ZnO薄膜。通过正交选择液体注射速度、注射量、衬底温度、退火温度为实验要素,通过XRD、SEM、可见光透过率分析优化的制备条件为:液体注射速度为0.2 mL/min,注射量为3 mL,衬底温度为450℃,退火温度为500℃。制备的ZnO薄膜透光率达到85%。新的制备薄膜装置采用注射超声雾化手段,克服其雾化不均问题。     

超声喷雾热分解制备ZnO薄膜及其光学性能的研究

以醋酸锌水溶液为前驱体,采用超声喷雾热分解方法在普通玻璃衬底上沉积了ZnO薄膜,以X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）和紫外-可见光分光光度计（UV—Vis）等手段对所得ZnO薄膜的晶体结构、微观形貌和光学性能进行了分析,着重考察了衬底温度、衬底与喷嘴之间的距离、生长时间对ZnO薄膜晶体结构和光学性能的影响。结果表明,衬底温度大于450℃,载气流量为4L／min,衬底与喷嘴之间的距离为6cm,生长时间为30min下所得的ZnO薄膜较好,衍射峰较强,表面均匀致密,在可见光区域透过率为80％以上。