有机酸酐在纳米掺锑氧化锡粉体制备中的应用

以SnCl_4·5H_2O,SbCl_3为原料,用醇盐水解法制备了掺锑氧化锡(antimony doped tin oxide,ATO)纳米粉体。为了消除粉体团聚,采用有机酸酐作脱水剂,对前驱体胶态沉淀进行脱水处理,并与其它处理方法进行了比较。用XRD,TEM,BET等方法对粉体进行表征,研究了处理方法对ATO纳米导电粉体的粒度、团聚度、晶粒生长以及电阻率的影响。结果表明：有机酸酐处理可以有效地脱除ATO前驱体胶态沉淀中的H_2O和粒子表面的—OH,具有很好的抗团聚效果,可以用来制备比表面积大(≈85.32 m~2／g)、团聚小、电性能好的纳米粉体。     

纳米锑掺杂氧化锡的研究进展

介绍了纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)材料独特的光电机理;系统综述了目前国内外纳米ATO粉体的主要制备方法,包括各制备方法的工艺路线与特点;并对纳米ATO在显示涂层材料、导电抗静电涂料、透明隔热涂料等领域中的应用进行了概括.最后,结合纳米ATO的光电特性,针对纳米ATO材料的制备与应用研究面临的问题提出几点建议.     

纳米锑掺杂氧化锡（ATO）的研究及其在透明隔热涂料中的应用

纳米锑掺杂氧化锡（ATO）粉体材料由于其特殊的结构而使它具有与其他材料所不同的光电性能,是一种极具发展潜力的新型多功能导电材料,因而制备出性能优良的纳米ATO粉体显得尤为重要。文章介绍了纳米ATO材料独特的光电性能,综述了纳米ATO粉体的主要制备方法,以及目前国内外纳米ATO粉体材料在透明隔热涂料中的应用研究,并且针对当前纳米ATO制备以及应用面临的问题提出几点建议。     

锑掺杂氧化锡(ATO)纳米粉体的表征与分散

锑掺杂氧化锡（ATO）纳米级粉体作为一种新型多功能粉体，具有可见光透过率高、能反射红外线等特征。与传统防静电材料，如炭黑、表面活性剂、金属粉体相比具有优良的性能。ATO纳米粉体已经成为性价比很高的建筑隔热材料和透明隔热涂料用基本材料。采用XRD（X射线衍射）、BET（布鲁瑙厄一埃梅特一泰勒法）和TEM（透射电子显微镜）对市场上3种锑掺杂氧化锡（ATO）纳米粉体进行了分析。结果表明：这3种ATO纳米级粉体的粒径为7．1～16．2nm，比表面积为37～82m^2／g，松密度为0．52-1．01g／mL，粉体的分散性能差异较大。     

KH560表面改性ATO纳米粉体的研究

以硅烷偶联剂KH560(γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷)为表面改性剂,对ATO(锑掺杂氧化锡)纳米粉体进行表面接枝改性,制得KH560偶联改性的ATO纳米粉体。采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)、热重分析(TG)、粒度分析等手段对其进行了分析和表征,研究了KH560用量、反应温度、反应时间对ATO纳米粉体表面偶联改性的影响。结果表明,在乙醇、水混合溶剂中可以实现KH-560对ATO纳米粉体的偶联改性,当KH560用量为0.4 ml,反应温度为30℃,反应时间为2 h时,ATO粉体表面接枝的KH560接枝率最大,并获得较好的分散性。     

水性聚氨酯功能涂料研究进展

介绍了功能性无机纳米材料ATO、ITO、Al2O3、SiO2、氧化铁和水滑石在水性聚氨酯涂料中的应用;并报导了水性聚氨酯在防腐、阻燃、防锈和导电等特殊功能涂料以及汽车涂料和外墙涂料中的应用.     

纳米材料制备方法及应用领域

总结了纳米粉体材料、纳米纤维材料、纳米薄膜材料、纳米块体材料、纳米复合材料和纳米结构的制备方法，综述了纳米材料的性能及其相关的应用领域，展望了纳米科技的未来。     

结构型导电高分子纳米粒子制备的研究进展

根据结构型导电高分子材料和纳米材料的发展趋势,介绍了结构型导电高分子材料的概念、分类及导电和掺杂机理,综述了近年来国内外科研工作者对导电高分子纳米粒子制备方法的研究进展状况,最后指出了纳米粒子研究中需要解决的问题。     

锑掺杂二氧化锡(ATO)导电粉体的研究进展

介绍了锑掺杂二氧化锡(ATO)的特点、导电机理、制备方法研究现状及目前存在的问题.ATO具有良好的导电性、浅色透明性、稳定性、粒子纳米化及多功能性,指出氧空位和Sb5+在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n型载流子是ATO导电的两种主要机理,主要介绍了液相法中常用制备超细ATO粉体的方法:沉淀法、溶胶一凝胶法和醇盐水解法,最后指出了制备超细ATO粉体存在的问题及解决方法.     

抗静电腈纶用纳米金属氧化物的分散工艺研究

选择氧化锌(Zn O)、铝掺杂氧化锌(AZO)、氧化锡锑(ATO)以及ATO包覆硫酸钡(Ba SO4)4种纳米粉体抗静电剂球磨分散得到其水相悬浮液,利用喷雾共混的方法制备改性聚丙烯腈(PAN)纺丝原液,进行湿法纺丝,研究了表面活性剂种类、研磨工艺对纳米粉体在水相中沉降性的影响,以及改性PAN纤维的抗静电性能。结果表明:采用自制的非离子/阴离子表面活性剂复配物(FCY)作为分散剂,FCY质量分数(相对于纳米粉体)为2%,研磨时间3 h,纳米粉体的水相分散效果好,分散工艺对4种纳米粉体均有很好的适用性;ATO改性PAN纤维具有较好的抗静电效果,当添加ATO质量分数为2.0%时,PAN纤维的体积比电阻为3.1×109Ω·cm,具有耐久性,可以满足抗静电织物对原料的要求。     

掺锑氧化锡纳米粉体的制备与表征

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,NH3为共沉淀剂,在表面活性剂存在下,采用室温固相法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体。探讨了掺锑量、表面活性剂对ATO粉体性能的影响。运用IR、XRD、TEM、比表面仪(BET)等对ATO粉体进行了表征。结果表明,当锑掺杂量为12.3%时,ATO纳米粉体具有最小电阻率,为3.36Ω·cm,ATO粉体为四方晶红石结构,颗粒形状为近似球形,粒度均匀,一次粒径为10 nm左右。     

包覆型导电填料的制备及在防静电陶瓷中的应用

以氧化硅粉体为载体,采用非均匀成核法制备了ATO包覆氧化硅导电粉.对比了该导电粉与ATO在防静电陶瓷中的应用效果.结果表明:以包覆型导电粉作为导电填料制备防静电陶瓷能够大大地减少ATO的用量,其中包覆物加入率为12.5%、25%、50%、75%和100%的ATO包覆氧化硅粉体加入陶瓷后分别能节省大约66%、40%、35%、30%和25%的ATO用量.     

超重力法制备纳米材料的研究现状

纳米材料的合成与制备技术已成为全球的研究热点。介绍了一种独创性的纳米材料合成方法即超重力法。论述了超重力法的理论依据,并介绍了目前根据该法合成碳酸钙、氢氧化铝、硫化锌、氧化锌、硫酸钡、钛酸钙等纳米粉体材料的制备方法和工艺流程。     

导电高分子材料制备及应用研究进展

在介绍导电高分子材料导电机理的基础上,对目前最常见的两种导电高分子材料的制备方法进行综述;重点讨论了含大型离域π键导电高分子材料、化学掺杂型共轭结构导电高分子材料和新型本征导电高分子材料等本征型导电高分子材料的制备方法,并研究了金属及其氧化物、碳系纳米材料、有机组分以及新型导电填料等对填充型导电高分子材料导电性能的影响;同时对其在电子电器材料、生物医学以及环境保护等方面的应用进行了总结,展望了新型导电高分子材料未来的应用研究方向。     

ATO包裹硅酸锆的制备与应用

采用化学共沉淀技术制备了锑掺杂二氧化锡(ATO)包裹硅酸锆的导电粉体,对比了该导电粉体与ATO在防静电陶瓷中的应用效果。结果表明与掺纯ATO相比较,掺入ATO包裹硅酸锆的防静电陶瓷颜色比较浅,并且能明显减少氧化锡的用量,当陶瓷的表面电阻为107Ω/□量级时,用ATO包裹硅酸锆作为导电填料可以节省25%左右的ATO。     

纳米橡胶

通常把纳米粉体材料加入橡胶基体中所得之复合体(即填充纳米材料的橡胶胶料)称为纳米橡胶，如同纳米粉体与纤维复合后得到纳米纤维一样。在了解了“纳米材料”的含意之后，再来介绍有关纳米的几个概念是必要的。     

导电填料ATO在防静电陶瓷中的应用现状

本文简要阐述了防静电陶瓷中使用导电填料——锑掺杂的氧化锡(ATO)的导电机理、研究现状,并介绍了导电填料ATO在防静电陶瓷釉料、坯料中的运用。     

纳米ATO粉体的制备及性能研究

采用非均相成核法制备了粒径为数十纳米的ATO导电粉体,运用XRD,TEM,粉体表面zeta电位测定等手段对粉体进行了表征.结果表明:粉体均为四方金红石结构,粒径在20nm左右.前驱体的等电点在pH=1～2之间,适当调整反应pH值,可制得分散均匀的纳米粉体.     

石墨烯/ATO纳米复合材料的制备与表征

以石墨烯、五水四氯化锡、三氯化锑为原料制备了石墨烯/ATO纳米复合材料,并通过XRD,FT-IR,SEM,TEM等分析测试方法对合成的复合材料进行了表征。结果表明:ATO纳米粒子吸附在石墨烯的表面,增加了导电结点、形成了导电网络结构,有效地避免了石墨烯片的堆叠,同时增强了石墨烯的导电性能。     

技术创新

中国科研人员研究成功″万能″纳米技术中国科研人员运用纳米材料、等离子体、真空、机电一体化等综合技术,研究成功了可以制造多种金属及其化合物的纳米材料、并且适合于工业化生产的"万能"纳米技术。目前,世界上制造纳米材料主要用物理、化学、机械方法,真正实现产业化生产的很少。兰州大学等离子体与金属材料研究所所长闫鹏勋教授利用"等离子体高温热源激发高能粒子的化学反应,与骤冷的应用组合成一个制备金属纳米粉体材料的等离子体过程"的原理,研制出了适用于工业化生产的"约束弧等离子体制备金属纳米粉体装置"。"约束弧等离子体制备金…