Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体材料研究概述

综述了ＧａＮ，ＡｌＮ及其固溶体等Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体材料的结构，性能与ＭＯＣＶＤ生长技术，并着重阐明其研制，开发现状及应用前景。     

氮化物半导体的发展趋势

本文论述了ＧａＮ的三种生长方法（即ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ和ＨＶＰＥ法）及关键技术，探讨了Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的发展趋势。     

MOCVD法制备ZnS：Mn薄膜中锰掺杂浓度的实验研究

用ＭＯＣＶＤ方法制备ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜，研究了薄膜中锰浓度与ＴＣＭ源温度、衬底温度及ＴＣＭ源流量之间的关系。以ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜为发光层，制备了双绝缘层结构的交流薄膜电致发光显示器。     

高速电子器件MODVD8材料的研究动态

阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论，同时介绍了硅上外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。     

MOCVD技术制备ZnS∶MnACTFEL的研究现状和前景

综述了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术制备ＺｎＳ∶Ｍｎ交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）器件的发展历史及研究现状，对各种改进技术和使用的源材料进行了比较，并指出进一步的研究方向。     

MOCVD系统中的在位实时监测—自动光度椭偏仪的应用

提出了一种用于ＭＯＣＶＤ系统在位实时监测的快速、自动、旋转检偏式激光椭偏仪（ＲＡＥ）。这种椭偏仪可由常规手动消光椭偏仪改装而成。阐述了它的工作原理、数据采集方法和数据处理程序。最后讨论了与ＭＯＣＶＤ生长过程的在位实时监测有关的问题。如光学窗口、反应器管壁沉积物及其它误差来源。     

石墨炉原子吸收光谱测定三甲基镓中痕量元素

石墨炉原子吸收光谱测定三甲基镓中痕量元素赵毅，彭淑娟，刘玉璇（化工部光明化工研究所１１６０３１）（一）引言Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ族元素的烷基化合物和Ⅴ、Ⅵ族元素的氢化物及烷基化合物可结合用于ＭＯＣＶＤ法中，用以制备化合物半导体材料。但对这些高反应活性的金属有机化...     

MOCVD生长GaAlAs／GaAs HBT材料的研究

研究了ＭＯＣＶＤ法ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制，得出了ＧａＡｌＡｓ发射极的ＰＬ性质和多层材料的纵向浓度分布是ＨＢＴ材料的质量表征的结论，采用提高系统密封性和载气纯度、生长阻挡层等手段改善了材料质量，达到良好的器件特性。     

MOCVD法ZnS：Mn电致发光薄膜的结晶与光学特性

用Ｘ射线衍射仪研究了ＭＯＣＶＤ法制备的ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜的结晶特性，用二次离子质谱仪分析了锰在立方晶相硫化锌中的分布，解释了薄膜两侧原子堆积层的成因，测量了ＺｎＳ：Ｍｎ电致发光薄膜的光学特性。     

MOCVD外延生长GaInAsSb合金半导体薄膜的模式识别和人工神经网…

用模式识别和人工神经网络法总结ＭＯＣＶＤ外延生长ＧａＩｎＡｓＳｂ薄膜的生长条件与外处层组成的关系。结果表明，气相中ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ的含量，Ⅴ／Ⅲ比和生长温度是影响外延层组成的主要因素。