锌枝晶的抑制剂

本文介绍一种可以有效防止电解液循环型二次电池中枝晶沉积的抑制剂。枝晶抑制剂由季铵盐和从Pb、Sn、Cd离子中至少选择两种金属离子所组成,它与电解液混合,通过电化学反应抑制枝晶沉积。     

镍基合金耐氟盐腐蚀防护涂层的性能研究

作为第四代反应堆堆型之一的钍基熔盐堆(TMSR,thorium molten salt reactor)具有固有安全性和防止核扩散等特点,由于使用熔盐做冷却剂和慢化剂,熔盐堆结构材料要具备高温下与氟盐良好的相容性,因此对材料性能也有更加苛刻的要求。目前作为TMSR结构材料的镍基合金对抗氟盐腐蚀的效果不明显,因此本研究采用了表面涂层技术在镍基合金表面获得一层防护层,以提高材料的耐氟盐腐蚀能力。通过电化学方法在镍基合金基体上沉积得到一层纯镍防护层,采用扫描电子显微镜(SEM)和背散射电子衍射(EBSD)等分析测试手段,研究了镀液体系、电沉积时间等对涂层性能的影响。研究发现,在氨基磺酸镍镀液体系中得到的涂层性能优于瓦特液体系,涂层厚度随沉积时间延长不断增大。同时对涂层的耐腐蚀性能进行了研究,研究结果表明涂层在700℃氟盐中400 h后未发生明显的腐蚀,因此利用表面涂层技术能够提高TMSR结构材料的耐氟盐腐蚀性能。     

改进的热裂解法制备高纯钛的研究

对传统的以高价钛卤盐(TiI4)热裂解制备高纯钛的实验方法进行了改进,使用了低价钛卤盐(TiI2)的热裂解法制备4N高纯钛,使得卤化源区温度、热裂解区(又称沉积区)温度更为优越。并对卤化源区及沉积区温度、高价卤化物的生成、原料中杂质行为以及沉积区低价碘化物的蒸汽压等影响钛沉积速率的因素进行了分析。结果表明:炉内两区温度更易于控制,且可使钛卤盐保持较高的蒸汽压与转移速度,可以有效抑制部分杂质卤化物的转移分解,从而得到制备高纯钛较为理想的沉积速率。     

连铸中间包水口堵塞问题浅析

研究了浸入式水口堵塞的形成机理。堵塞沉积主要是由于氧化物颗粒附着到浸入式水口耐火材料的内表面，继而烧结在一起所致。小沉积颗粒的烧结形成不规则的网状物。耐火材料和钢水问反应层的形成，尤其是当耐火材料中含二氧化硅可还原组分，则加速沉积。另外，采取改善水口材质、改善和维护水口形状、提高钢水清洁度、对钢水夹杂物进行变性处理等措施，可有效防止水口堵塞。     

莱钢TRT叶片积盐原因及解决措施

简要分析了TRT叶片积盐形成的原因。通过提高煤气温度和在煤气中添加阻垢剂等试验积累了防止积盐的运行经验,提高了TRT运行可靠性。     

TRT叶片积盐原因及解决措施

分析了TRT叶片积盐形成的原因,并通过提高煤气温度和在煤气中添加阻垢剂等试验积累了防止积盐的运行经验,提高了TRT运行可靠性。     

铝氧化膜锡盐电解着色稳定剂研究

锡盐电解着色的主要问题之一,是锡盐着色液中Sn~(2+)离子不稳定,易被氧化为Sn~(4+)离子、水解而从着色液中沉淀出来。本文提出采用含有稀土化合物的新型稳定剂(RTG型)后,由于稀土离子的催化作用,使RTG型稳定剂发挥了络合、吸氧和还原的协调作用。有效地防止Sn~(2+)离子的氧化和水解使锡盐着色液能长期稳定,同时能满足着色膜的工艺性能要求。     

电厂水力排灰管道结垢机理的研究及防垢措施的探讨

本文根据热力学的基本原理,讨论了有关结垢反应的平衡过程,推导出了P[Ca~(2 )～P[X]的函数式、描绘出了P[Ca~(2 )]～P[X]图,确定图上的结晶(结垢)区和溶解区。判断了山西铝厂发电厂水力排灰管道系统中CaCO_3、Ca(OH)_2、CaSO_4结垢形成的可能性,并通过对工艺过程的不同测点的分析研究结果表明,其结垢机理是CaCO_3从煤、煤粉经一系列的物理化学过程,向灰管沉积的结垢链,构成此链有若干环节。根据各环节的形成过程只要消除此环节上任何一个链节,就可以终止结垢的形成,从而防止结垢。从这一理论及现场实际情况出发,提出了若干条防止结垢的措施并进行了探讨及比较,谨此对国内类似的灰渣管道的防垢处理有所指导和启示。     

一种防止赤铁矿除铁法反应器沉积结垢的方法

赤铁矿渣为一种粘稠状固体,长时间在反应器内会形成结垢。介绍了一种防止赤铁矿除铁法反应器沉积结垢的方法,在保证除铁效果的前提下,控制浸出溶液在反应器内较短停留时间,使反应形成的赤铁矿渣及时排出,防止反应器除铁沉积结垢。     

熔盐堆结构材料的涂层技术研究

熔盐堆中使用的结构材料除了要保证高温力学性还要在高温下与熔盐具有良好的相容性,本文拟采用涂层技术,在高温力学性能较好的镍基合金上沉积一层耐氟盐腐蚀的纯镍金属层,解决镍基合金与高温氟盐相容性差的问题。纯镍金属层采用脉冲电沉积的方法获得,系统研究了电流密度对涂层性能的影响,并通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等测试手段对涂层微观形貌、结构特征等进行分析。结果表明,随着电流密度的增加,涂层厚度呈线性增加,电流密度为40 m A·cm-2时,涂层厚度达102μm;而涂层织构系数(TC)在不同电流密度下都呈现(111)晶面增大而(200)晶面减小的趋势,织构强弱变化的本质与镍晶体不同晶面的表面能大小、沉积过电位、Ni(OH)2和氢原子对生长晶面的吸附作用有关;涂层显微硬度随着电流密度增大呈现出增加趋势。     

电沉积Pd-Fe合金的溶液热力学分析

以由主盐FeSO4.7H2O,Pd(NH3)2Cl2和导电盐(NH4)2SO4所组成的溶液体系为研究对象,基于溶液各组成同时处于平衡的热力学原理,通过对Fe-H2O系、Pd-H2O系和Fe-NH4+-H2O系三种体系的热力学分析与计算及其电位-pH图的绘制与分析,对电沉积Pd-Fe合金的溶液进行了较为系统的热力学分析。对三者的电位-pH图进行比较分析的结果表明:Pd2+和Fe2+发生共沉积的区域很大,为Pd-Fe合金发生共沉积的可能性提供了理论依据;在简单的Pd2+和Fe2+水溶液中,二者很难发生共沉积,必须在镀液中添加一定量合适的络合剂才能使Pd2+和Fe2+产生共沉积;由于在Fe-NH4+-H2O系中存在Fe2+与NH3和OH-的络合,使游离Fe2+的浓度变小,其电位-pH图中的腐蚀区域比Fe-H2O系电位-pH图的腐蚀区域稍有扩大,且其腐蚀区中含有Fe2+,∑i=1,2,4Fe(NH3)2+i和∑4Fe(NH3)i2+和∑Fe(OH)j2-j三类水溶物。     

NASA研究出用于高精度光学镜面的新型涂层材料

<正>日前,美国航空航天局(NASA)针对超高敏感度的天文望远镜应用,正在研究最新的涂层材料,用于保护NASA迄今为止最为强大的一个镜面项目的背面铝基材,以便使该项目最终得以有效运转。而NASA研究的方法之一是采用物理气相沉积方法将二氟化氙的薄涂层应用到铝表面上,所形成的氟离子将有效防止铝氧化。而另一种方法是通过离子辅助物理气相沉积或原子层沉积方法,将三氯化铝直接涂覆在基材上。据NASA介绍,此前项目研究团队最接近目标的方法是通过物理气相沉积工     

Yb-La改性化学镀制备钯无机复合膜的动力学研究

采用单因素实验方法考察了化学镀钯各主要工艺参数(氯化钯、水合肼、乙二胺四乙酸二钠盐、镱-镧混合物的浓度和镀覆温度)对钯沉积速度的影响.在此基础上,建立了钯沉积速度的动力学方程.经实验验证,该数学模型与实验结果吻合度较好,对化学镀钯沉积过程的调节和产物的控制具有一定的参考价值.     

英美联合推进FFC—剑桥法的工业化生产

1 FFC-剑桥法的提出自20世纪40年代克劳尔(Kroll)开发成功的熔炼金属钛的克劳尔法投入工业生产以来,人们一直在设想采用电解法生产金属钛。但那时人们的思路是将钛盐溶入另一种熔融盐中,在电解过程中,让金属钛在阴极上沉积下来。试验结果证明此法行不通,虽然在电解过程中有金属钛在阴极沉积下来,但是一些很细的粉末,非常容易氧化,生产效率非常低,难以实现工业生产。1997年,英国的剑桥大学提出了一个被普遍认为是可以经济地提炼金属钛的新方法。提出这     

高钠废水代盐再生树脂的研究

介绍了高含钠废水作为工业软化水钠型阳离子树脂再生液的可行性,其被利用来代盐再生树脂的关键是解决再生系统中硫酸钙的析出问题。当采用低硫酸根离子浓度(20~25 g/L)、高流速(8~10 m/h)和逆流再生操作时可有效防止硫酸钙的析出。高钠废水代盐再生时盐耗约150 g/mol,树脂工作交换容量在1mol/L以上,与常规树脂的工作交换容量相符。     

多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响

硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄膜,借助择优腐蚀和金相显微(OM)观察等手段研究了沉积厚度对重掺硼硅片内氧沉淀形成与分布的影响。结果表明:沉积的多晶硅薄膜越厚,硅片的形变量越大,小尺寸的氧沉淀数量增多并在表面附近聚集,大尺寸的氧沉淀则倾向于在体内和背面形成,洁净区的厚度则减小直至无洁净区建立。多晶硅薄膜通过对硅片施加应力引起硅片形变,从而影响氧沉淀硅片体内形成的位置,起到促进内吸杂的作用。最佳多晶硅沉积厚度为800 nm。     

氧化铝生产高压溶出及蒸发工序结疤物质的矿物学特征及形成机理

采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜背散射电子成像(BSE)技术和电子能谱分析技术(EDS)对拜耳法生产氧化铝过程中高压溶出和蒸发工序结疤物质矿物特征、沉积结构及形成机理进行系统研究。结果表明:结疤物质形成可划分为早期沉积作用和晚期沉积作用。高压溶出工序结疤物质是以粗结晶赤铁矿、钙钛矿、针铁矿为主的化学结晶,这些粗结晶在高压溶出阶段分别垂直各自管壁生长,在管壁上形成密集粗大晶簇,之后残留粗结晶与溶液通过再结晶形成结疤填隙物,主要为细粒铝针铁矿、钠硅渣、氢氧化镁、钙镁硅渣、水化石榴石和橄榄石等组分,是以早期沉积作用为主。蒸发工序结疤物质因晚期沉积作用而形成,早期大量易结晶杂质组分结晶析出后,残余组分发生物理沉积,沉积初始形成结构松散、具有流动性的微细粒或隐晶质碳酸钠和钠硅渣基体,之后再析出钛酸钙铁、铁石榴子石、碳酸钠等晶体,沉积物最终固化形成结疤。     

浸入式水口堵塞的机理及其改善措施

研究了武钢第二炼钢厂浸入式水口堵塞的形成机理。浸入式水口中 Al2 O3的堵塞降低了连铸生产率 ,也是引起钢材表面缺陷的一个原因。堵塞沉积主要是由于氧化物颗粒附着到浸入式水口耐火材料的内表面 ,继而烧结在一起所致 ,小沉积颗粒的烧结形成不规则的网状物 ,耐火材料和钢水间反应层的形成加速沉积 ,尤其是当耐火材料中含有可还原组分 (Si O2 )。提出了改善水口堵塞的措施 ,主要有改善水口材质、改善和维护水口形状、改善钢水清洁度、对钢水夹杂物进行变性处理。     

沉积磷块岩浮选

按照矿物、岩相特徵,通常将磷酸盐矿床区分为岩浆型的磷灰石矿床,以及沉积型磷块岩矿床两个基本类型。对于后者,可进一步分为沉积变质型及沉积型两种类型。磷块岩中,磷酸盐矿物成份上接近于氟磷灰石: Cα_(10)(PO_4)_6F_2但几乎不形成良好结晶。和纯磷灰石相比,前者晶格中部份PO_4~(---)常被CO_3~(--)、SO_4~(--)、OH~-类质同象交代。     

双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上，以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜，得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840s。采用高分辨率DCXRD，扫描电子显微镜(SEM)分析。结果表明，以1040℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si-Ga结构，是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0．21，GaN峰强达7K。