欧盟开始监测重要原材料供应情况

全球最现代化的LED芯片工厂在马来西亚槟城建成投产，欧司朗第二家LED芯片工厂奏响业务拓展“主旋律”。世界上最先进的LED芯片工厂现已完成最后的安装工作，测试阶段也已圆满结束，从现在开始，即全速投入LED芯片的日常生产。在槟城的芯片制造工厂，让欧司朗这家德国公司一举成为第一家在欧亚地区拥有高产量芯片生产设施的LED制造商。     

矿井LED灯的发热分析及光源设计

从光源光辐射与热传导理论出发,分析矿井巷道灯的圆形LED布局结构的等效热阻网络,在保证光源光通量不变的情况下,对比分析不同的散热方式、额定功率不同的LED芯片、LED芯片的驱动电流及其数量,来分析LED光源的发热及散热情况,最后结合实际光源对比分析散热效果。结果表明:在保证LED光源光通量及PCB板的大小不变时,降低LED芯片的驱动电流并增加LED芯片的数量,可以改善光源的温度分布,并降低光源的经济成本。     

6亿美元LED芯片项目落户广州

据悉,晶元光电LED项目已正式落户广州市增城国家级高新区,该项目投资总额达6亿美元,预计项目投产后年产芯片可达180万片,将打造为华南地区最大的LED外延片、芯片生产基地。据介绍,LED外延片、芯片项目是增城开发区LED产业园首家落户的龙头上游项目,由晶元光电股份有限公司、台达电子工业股份     

色温连续可调的大功率LED芯片手术无影灯在重庆研制成功

日前，重庆在市级科技攻关计划项目“LED手术无影灯研发”的支持下，重庆天海医疗设备有限公司攻克了矩阵阵列式大功率LED（半导体）芯片技术，成功开发出色温连续可调的大功率LED芯片手术无影灯，标志着重庆市在LED医疗照明技术的研究和应用水平达到了国际先进水平。     

矿用高亮度白光LED灯串封装技术研究

分析了半导体照明高功率白光LED灯串采用InGaN(蓝)/YAG荧光粉将芯片倒装结构,以提高发光效率和散热效果,从白光LED灯串的材料构成,电流/温度/光通量关系得出在倒装芯片的蓝宝石衬底部分(Sapphire)与环氧树脂导光结合面上加上一层硅胶材料以改善芯片出光的折射率。经过光学封装技术的改善,可以大幅度地提高大功率LED灯串的出光率(光通量)。     

大功率LED芯片粘结材料和封装基板材料的研究

采用美国Analysis Tech公司生产的Phase11型热阻测试仪,以表征热问题的关键参数热阻为基础,分别对采用不同粘结材料和封装基板的LED进行了测试,并通过结构函数对LED传热路径上的热结构特性进行了分析.结果表明,GaN陶瓷封装基板、MCPCB板以及塑料PCB板的LED总体热阻分别为8.95、10.66和22.48℃/W;采用Sn20Au80和银胶芯片粘接的LED,芯片到Cu热沉的热阻分别为3.75和4.80℃/W.因此对于大功率LED封装,可在结构函数的指导下选择材料,实现降低热阻,提高LED寿命和稳定性的目标.     

全色LED照明器

三洋电子公司制成直径5mm的全色LED照明器,发出白、红、橙、黄、绿、蓝和紫各色光。这种全色LED照明器有亮度为3mcd(正向电流5mA)的磷化镓红色芯片,亮度为8mcd(15mA)的磷化镓绿色芯片和总亮度为1.3mcd(2片40mA)的2片碳化硅蓝色芯片,它们安装在网孔系统中。一红色芯片和一绿色芯片连接于接头的上部,两个蓝色芯片连接于接头的下部,该装置采用4个芯片共用的阳极。     

我国LED专利部署进入快速发展期

LED产业快速崛起 北京奥运会开幕式上，富有古典情韵的发光二极管（LED）大卷轴“惊艳全场”。这个徐徐展开的LED显示屏长147米，宽22米，装有4.4万颗LED灯，是全球最大的地面全彩LED屏。它不但节能、防水、防热，而且耐压——每平米可承受2吨的压力。为处理其LED芯片数据流，后台有460多个双CPU4核刀片服务器参与数据处理。     

基于单片机的装箱机系统硬件设计

设计了一种装箱机系统,该系统以AT89C51作为数据处理主控芯片,并以串行移位寄存器74HC164、七段LED数码管作为显示模块,以ISD2560语音芯片和功率放大芯片LM386组成语音播报模块,附加4×4矩阵键盘和其他辅助电路共同构成。     

一种新型的隔爆型矿用机车照明灯的设计

介绍了一种基于恒流恒压控制芯片SE1051的LED驱动电路的设计。该电路用来驱动3个串联的3W高亮白LED灯及3只3W高亮红LED灯。此灯用于煤矿井下蓄电池牵引电机车照明及信号,具有寿命长、亮度高的优点。同时电路具有工作电压范围宽、可靠性高、免维护的特点。     

我国成功研发出高稳定性LED芯片

近日，由扬州大学物理学院承担的江苏省科技攻关项目大功率高亮度LED芯片取得重要进展，首批试制样品已上线接受1000小时的性能测试。这款由我国自主研发的新光源芯片，将用于替代国外同类产品。     

昭和电工使用大直径蓝宝石底板生产蓝色及绿色LED

昭和电工将使用直径达100mm的蓝宝石底板量产蓝色及绿色GaN类发光二极管（LED）芯片。此前该公司一直使用直径为50mm的蓝宝石底板，今后则将加大底板直径，由此在2007年底之前将产能提高到每月1亿个（按350μm见方的蓝色LED芯片换算）。目前的生产能力由于使用的是直径为50mm的蓝宝石底板，因此仅为每月3000万个。该公司打算在2007年下半年停止使用50mm底板，改用100mm底板生产所有的GaN类LED芯片。月产达1亿个时，蓝宝石底板投入枚数将与目前使用50mm底板的投入枚数一样。设备投资包括开发投资在内约为35亿日元．     

单片机控制的全桥移相式LED井下照明电源设计

针对大量使用LED灯安全照明的煤炭矿井,提出基于数控调光技术的集中照明方案,设计了能同时驱动60根LED日光灯的大功率开关电源,研究了开关电源的软开关技术,使用具有移相功能控制芯片UC3875设计ZVC开关电源并与Atmega16单片机构成闭环控制系统,由单片机输出PWM控制信号对开关电源输出功率进行调节,以实现LED日光灯调光及远程控制。     

多芯片阵列组合白光LED封装研究

阐述了LED器件的发光原理和芯片电极结构,围绕白光HB-LED的封装工艺,设计单个大功率芯片封装结构并对整个封装工艺进行研究,提出了多芯片阵列组合封装的创新理念,将其应用于多芯片阵列封装模块中。得出HB-LED封装中关键技术问题是提高外量子效率,采用高折射率硅胶减少折射率物理屏障带来的光子损失;采用高热导率的材料,减少由于封装工艺的缺陷带来的界面热阻。     

斯坦利电气公司2006年底量产1801m白色LED

日本斯坦利电气公司展出了在6W功率下可获得1801m(流明)光束的白色发光二极管(LED)；主要面向汽车前照灯、照明器具及液晶显示器背照灯等，计划2006年12月开始量产。由蓝色LED芯片和黄色荧光体材料构成，通过蓝色光与黄色光混台可产生近似白色光。     

基于高压线性恒流技术的COB模组开发及其封装技术研究

本文开发设计了一种基于高压线性恒流技术的COB模组,结合高压线性恒流芯片和蓝光LED高压芯片,采用去电解电容技术,将H V-L ED芯片及高压线性恒流IC、整流桥等电子元件集成封装在陶瓷基板上,并通过实验研究了固晶胶对COB模组光通量的影响。研究结果表明,采用高压线性恒流技术一体化封装的COB光源,具有体积小、使用方便等优势,是未来室内照明光源的发展趋势。     

日本信越化学株式会社将投资越南生产稀土和LED灯材料

据越南通讯社消息,日本最大的化学公司—信越化学株式会社将在越南投资建两个工厂,分别生产高亮度LED灯用的硅基材料和高纯稀土材料,总投资50亿日元,约合6400万美元。     

两种美制LED

东芝美国电子元件公司制造的TLYA 190P琥珀色LED,采用InGaAIP技术,在4°观看角范围发光强度达到6000 mcd,透镜直径10 mm,峰值波长590 nm。基片上方的反射器用以防止光吸收。各种不同的透镜直径、发光强度和视角可组成多种多样的LED。 Lumex Opto Components公司制造的MC LED系列在金制终端陶瓷头上有2～8芯片,用导线端接形式或用各种各样的标准基底制成,可替代各种白炽灯。工作电压2～120V,交直流均可。该系列LED也可直接安装于PC插板,在同一陶瓷头上配以不同数量的芯     

基于自动温控光谱测试系统的深紫外LED光电特性研究

为研究温度对AlGaN基274nm深紫外LED光电参数的影响.基于自动温控深紫外光谱分析测量系统的测试结果表明,在25～100℃范围内该深紫外LED的工作电压和基板温度呈负线性关系,温度系数约为-8.79 mV/℃,较大的温度系数可能来源于深紫外LED中p-AlGaN较低的掺杂浓度.通过瞬态和稳态工作电压测试及结合温度系数,计算得到深紫外LED样品的热阻为20.8℃/W,该热阻对应芯片PN结到管壳引脚之间的导热通道.随温度升高,该深紫外LED峰值波长的稳定性和单色性较好.该深紫外LED辐射光谱由UVA、UVB和UVC三种成分组成;随着温度升高,UVA和UVC成分减少,UVB成分增加,UVB成分可能来源于器件中低Al组分外延层材料吸收量子阱发光后的二次辐射.研究表明,温度对深紫外LED的工作电压、热阻以及辐射光谱等性能有着重要影响,相关光电参数的准确测量需要精确控温.     

对计算机控制灯阵列分析

LED点阵设计主要应用于显示屏,它是利用发光二极管点阵模块或像素单元组成的平面式显示屏幕。本文利用芯片多方面综合比较优化,将控制灯阵列系统分为显示和核心等部分进行分析,并给出了系统的主要架构和硬件布设。