一种用于太阳能电池背电极的超细球形铝粉浆料

采用具有不同粒径级配的球形铝粉制备了能够与硅片形成性能良好太阳能电池背电极的铝浆,并在硅片上制备了铝电极膜。研究了铝粉粒径级配对铝电极膜性能的影响。结果表明:随着超细球形铝粉(0.5~2.0μm)含量的增多,铝电极膜层的填充性、致密性得到了增强,太阳能电池的光电转换效率η得到了提高;与不含超细球形铝粉的样品相比,w(超细球形铝粉)为8%时的太阳能电池的η提高了约4%。超细球形铝粉含量过多(如15%)时,铝电极膜表面容易析出铝珠,电极膜机械强度降低甚至出现灰化脱落。     

低温烧结型银基浆料烧结膜孔洞率的研究

观察了低温烧结型银基浆料烧结膜的表面形貌,比较了有机载体含量对浆料烧结膜孔洞率的影响,分析了单一溶剂及混合溶剂有机载体所配浆料的TGA曲线。结果表明:采用混合溶剂可将浆料烧结膜的孔洞率从49.5%降低到21.6%。随着有机载体含量的增加,浆料烧结膜孔洞率增大。当w(有机载体)为21%时浆料可获得较佳的综合性能。     

有机载体挥发特性对PTC陶瓷铝电极性能的影响

为了制备出满足铝电极性能要求的电极浆料,采用两种具有不同挥发特性的有机载体烧渗PTC铝电极,通过XRD和SEM研究了烧渗后铝电极的物相和微观形貌对电极性能的影响。结果表明:采用阶梯式挥发的有机载体制备的铝电极浆料,烧渗后的电极结构致密,假电阻小,|RAl-RIn-Ga|/RIn-Ga约为0.3%;抗老化性能优良,沸水中老化24h后,电阻变化率不超过2.3%,经400V交流电压冲击500h后,电阻变化率不超过1.0%。     

双功能苯并恶嗪聚合物的制备及抗粘性能研究

合成了苯并恶嗪单体B-a,通过非等温和等温DSC测量考察了单体的热固化行为;考察了固化温度及固化时间对聚合物膜表面能的影响,并对其热稳定性进行了研究。结果表明,随着固化温度的升高,单体聚合所得聚合物的表面能先降低后基本保持不变,达到210℃后所得聚合物表面能即没有显著变化,在210℃下随着固化时间的增加,单体聚合所得聚合物的表面能先降低后升高,在固化时间为1h时所得聚合物表面能最低,单体在210℃固化1h所得聚合物膜的表面能为16.73mN/m,比纯的聚四氟乙烯的表面能(21mN/m)还要低,该条件下得到聚合物膜的表面粗糙度仅为0.204nm,玻璃化转化温度为161℃,失重5%的温度T5为334℃,可以作为抗粘材料应用在热压印技术中。     

LB技术制备金纳米粒子单层膜

利用LB技术在Si(100)基片上制作了金纳米粒子单层膜,采用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层膜的表面形貌进行表征。实验结果表明,将表面压控制在22mN/m～26mN/m进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。研究结果对于采用金纳米粒子单层膜构建DNA传感器和单电子器件方面具有重要的应用价值。     

Al/Ag/Al复合薄膜电极的抗氧化性和电性能研究

为开发大尺寸场发射显示器需要的能承受高温热处理的薄膜电极,以Al作为Ag层的保护层和与玻璃衬底的粘附层,采用直流磁控溅射制备了Al/Ag/Al复合薄膜及其电极.采用XRD、AFM、光学显微镜和电性能测试系统,研究不同温度热处理对复合薄膜和电极结构、表面形貌和电性能的影响.由于表面致密的Al2O3膜的保护,使得加热退火(<600℃)不会对Al/Ag/Al薄膜和电极造成明显的氧化,然而Al层与Ag层发生的界面扩散和固相反应增大了电极的电阻率(从5.0×10~(-8) Ω·m 上升至23.6×10~(-8) Ω·m).另外热处理温度足够高时(500℃、600℃),Ag原子向表面的扩散一定程度上降低了电极的化学稳定性.尽管如此,与Cr/Cu/Cr薄膜电极相比Al/Ag/Al薄膜电极仍然是一种能够承受高温热处理并且保持较低电阻率的新型电极.     

制造彩色电视荧光屏的乳胶膜

在制造彩色显象管过程中,要对荧光屏内表面施加荧光粉组成的上万计之荧光粉点或条状物,然后在这些连续的粉点或条组成的面上,盖上一层光亮如镜厚度约0.1～0.3μm铝(蒸铝)。当我们剖开显象管观察荧光屏内表面时,举目可见。就在采用蒸发方法将这镜状铝层固定于荧光粉点或条组成的表面之前,必须首先涂上一层厚度约0.2μm胶状膜,俗称有机膜。也就是说,铝粉蒸发在有机膜上,而不直接蒸发在荧光粉点或条上,当这个镜状铝层完成之后,有机膜这个层间物也就完成其工艺使命,要采用加温烘烤方法将其完全排除出去而不留痕     

具有无机有机双绝缘层和修饰电极的薄膜晶体管

研究了有机薄膜晶体管器件.器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.实验表明采用一种硅烷耦合剂-十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰SiO2可以有效地降低栅绝缘层的表面能从而明显提高了器件的性能.器件的场效应迁移率提高了2.5倍、阈值电压降低了3 V、开关电流比从103增加到104.同时我们采用MoO3修饰铝作为器件的源漏电极,形成MoO3/Al双层电极结构.实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al 电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流Ids.结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层的及MoO3/Al 电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能.     

消除黑白显象管铝破,铝泡的有效方法

本文介绍了一种消除黑白显象管铝破、铝泡的有效方法——热水洗膜法。把洗膜用纯水的温度提高到30～45℃之间,促使玻壳温度及其内部空间温度、相对湿度、气氛的变化,引起屏上有机膜的粘滞性、表面张力系数减少,流动性能增加,屏锥封接线附近的膜层变得薄和均匀,达到了消除铝破、铝泡的目的。同时,由于膜层性能的改善,得到了更接近镜面的铝膜层,而使显象管亮度大幅度提高。     

LB膜与AFM技术研究磷脂酰乙醇胺单分子膜结构

用LB膜技术对磷脂酰乙醇胺(PE)单分子膜的影响因素进行了研究。实验发现溶液浓度、亚相温度、pH值以及胆固醇含量等因素对磷脂酰乙醇胺单分子膜成膜条件有一定的影响。当溶液浓度为0.32 mg/mL,加入量在100~500μL范围内,随着加入量的增多,磷脂分子越易形成致密的单分子层;温度升高对单分子膜有一定的破坏作用,在39.1℃时,亚相的pH值在中性或接近中性的弱酸条件下,PE分子排列更有序;胆固醇的加入降低了PE分子膜的流动性,对单分子膜有显著的稳固作用。用Y型LB提膜法将单分子膜转移到新解离的云母表面,用原子力显微镜技术对其进行了分子结构的观察研究,实验结果表明,膜压低于1 mN/m时,液面上磷脂分子的烃链自由弯曲运动,取向性呈无序随机排列。但在大于1 mN/m时,PE分子较易形成有序分子膜,膜压为33 mN/m,形成高质量的LB膜。     

ULSI铜互连线CMP抛光液的研制

介绍了一种碱性抛光液,选用有机碱做介质,SiO2水溶胶做磨料,依据强络合的反应机理,克服了SiO2水溶胶做磨料对铜去除速率低及在溶液中凝胶的难点.实验结果表明:该抛光液适用于Cu化学机械抛光过程第一阶段的抛光,并达到了高抛光速率及铜/钽/介质层间的高选择性的效果.     

硅烷偶联剂在PDP显示电极制作中的应用

提出用硅烷偶联剂对PDP基板玻璃进行预处理，降低其表面能，使得厚膜工艺制作的PDP上板显示电极线条宽度变窄，进而增加透射比，在一定程度上改善了PDP的发光亮度。     

Directional coupling of magnetostatic surface waves in layered magnetic thin films

The propagation characteristics of magnetostatic surface waves (m.s.s.w.) in a layered system of y.i.g. film, dielectric, y.i.g. film, are theoretically investigated. It is shown that the directional coupling of m.s.s.w. is possible between y.i.g. films. The directional coupling has frequency filtering characteristics due to dispersion of m.s.s.w.     

硅烷偶联剂表面处理氢氧化铝在覆铜板中的应用研究

通过研究硅烷偶联剂表面处理氢氧化铝填料对界面及其力学性能等方面的影响,为覆铜板产品配方设计提供借鉴.     

Acceleration Factors for IC Leakage Current in a Steam Environment

Leakage current measurements were made across the surface of silicon test chips up to a temperature of 130°C (403°K) and 70% relative humidity (RH) to develop a more accelerated temperature-humidity-bias corrosion test. Several equations were fitted to the data in order to extrapolate the surface conductivity data to operating conditions. A smooth transistion from atmospheric pressure into the pressurized steam region was observed. The leakage current acceleration factor is the same at 130°C/60%RH and 85°C/85%RH for bare gold electrodes. For nitride-covered aluminum conductors the equlvalent conditions are 130°C/65%RH or 85°C/85%RH. The advantage in the steam region is a larger temperature differential between the sample and saturation; approximately 15°C as opposed to 4°C for the 85°C/85%RH. This makes the steam test easier to control, but might raise the temperature beyond the decomposition limits for organic packaging materials. For inorganic systems with nitride-covered aluminum electrodes, an acceleration by a factor of three compared to 85°%C/85%RH can be obtained at 140°C/70%RH or 17°C/60%RH. Coefficients were determined by multiple regression analysis for three forms of equations which express the surface conductivity in terms of reciprocal absolute temperature and RH. The acceleration factors determined by a power law are consistently lower than those determined by two forms of an exponential equation.     

二氧化硅在CCL中的应用研究

为了给铜箔积层板设计提供科学指导，采用动力学分析（DMA）和热力学分析（TMA）等表征手段，研究了二氧化硅和硅烷偶联剂对产品尺寸稳定性及力学强度的影响。结果表明：（1）二氧化硅（未使用硅烷偶联荆处理）添加比例为30％时，热膨胀系数为2．76％，产品的储能模量和力学损耗tanδ拐点温度分别达到15615MPa和163．53℃，产品的尺寸稳定性和力学强度最好。（2）二氧化硅和硅烷偶联剂添加比例分别为25％和1．5％时，产品的储能模量和力学损耗tanδ拐点温度分别达到14644MPa和169．5℃，表明添加硅烷偶联剂能够显著提高产品的力学强度。     

Silicon nitride thin-film deposition by LPCVD with in situ HF vaporcleaning and its application to stacked DRAM capacitor fabrication

Silicon nitride film deposited by LPCVD with newly developed in situ HF vapor cleaning has been studied and applied to fabricate dielectric films for stacked DRAM capacitors. Using this method, an oxide-free surface of underlaid poly-Si can be obtained. Silicon nitride film deposited on this surface has been verified by FTIR measurement to have the stoichiometrically proper composition of Si₃N₄ . However, the film was found to be selectively deposited on poly-Si electrodes. This selective deposition degrades the reliability of the stacked capacitor, because the silicon nitride can not completely cover the periphery of poly-Si electrodes on SiO₂. We propose a simple process that avoids the problem making it possible to apply silicon nitride film to stacked-capacitor fabrication. Stacked capacitors fabricated by this process exhibit very low leakage current and high electrical reliability even for ultra-thin silicon nitride films less than 5 nm thick     

微纳工艺中防粘连自组装薄膜技术的研究

研究在硅基表面形成1,1,2,2 H过氟癸基三氯硅烷防粘自组装膜的方法和特性。成功地在硅基表面形成了防粘连自组装薄膜,从浸润角、表面能、薄膜成分和表面粗糙度几个角度对该薄膜进行了分析,证实薄膜可将硅基表面能降低47.35%,可满足半导体工艺中的微纳器件加工工艺的防粘连涂层的需要。     

AlN薄膜体声波谐振器性能分析

采用体硅微细加工工艺制备了背空腔型AlN薄膜体声波谐振器。研究了压电层、上电极及支撑层厚度对谐振器性能的影响。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有(002)择优取向,器件频率特性良好。当上电极、压电层、底电极和支持层的厚度分别为110,2600,110,200nm时,谐振频率为1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。结合Mason等效电路模型模拟分析与实验结果,分析了各层厚度对频率特性的影响机理。