Bi_2Ru_2O_7+WO_3复合陶瓷的制备及热电性能

用RuCl_3·6H_2O、Bi(NO_3)3·5H_2O、WO_3及氨水为原料,通过沉淀反应制备水合二氧化钌和氢氧化铋混合包覆的WO_3粉体;再采用传统烧结工艺制备了Bi_2Ru_2O_7+WO_3复合陶瓷,并对其微观结构、形貌、热电性能进行了研究。结果表明,Ru、Bi形成了Bi_2Ru_2O_7第二相分散于体系中,陶瓷样品的电导率随着钌元素浓度的提高而增大。当钌元素的摩尔分数低于5%时,陶瓷样品的Seebeck系数为负值,样品为n型热电材料。该陶瓷具有明显的热电性能,在573K下,浓度为5%的样品的功率因子可达0.125 66μW/(m·K~2)。     

LiCe掺杂对铋层材料K0．5Bi2．5Nb2O9的影响

用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2 x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响。LiCe掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.44(LiCe)0.03 0.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31 pC/N、5%和22%。     

SiO_2掺杂SnO_2-ZnO-Nb_2O_5压敏陶瓷的电学特性

研究了 Si O2 掺杂对 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的影响。实验结果表明 ,Si O2 可以十分显著地影响Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的物理和电子性质。掺杂范围为 0 .0 5 %～ 0 .40 % (摩尔分数 )时 ,材料密度在 6.2 1～ 6.5 6g/ cm3之间变动 ,非线性系数在 7.42～ 12 .80之间。烧失率、势垒电压和非线性系数的测量均表明 :掺有x (Si O2 ) =0 .2 %的 Sn O2 - Zn O- Nb2 O5 压敏陶瓷的非线性最好 ,其势垒电压为 0 .67e V,非线性系数达 12 .80     

CeO_2掺杂TiO_2基压敏陶瓷的性能研究

该文在TiO2压敏陶瓷中掺杂CeO2,研究了烧结温度和CeO2掺杂量对TiO2基压敏陶瓷的电学性能的影响。结果表明,烧结温度为1 400℃、CeO2掺杂摩尔分数为1.0%时,TiO2基压敏陶瓷表现出较好的综合电学性能:压敏电压为7.7V/mm,非线性系数为3.8,漏电流为0.1A,且具有优的介电常数和介电损耗。     

陶瓷电子倍增器用ZnO-TiO_2系半导体材料的研究

本文报导了适合于制作陶瓷二次电子倍增器的ZnO—TiO_2系半导体材料的研制情况;给出了材料电阻率和电阻温度系数与组份的关系,添加杂质离子对性能的影响;对某些实验结果作了定性分析;指出了适合制作陶瓷二次电子倍增器的材料组份围范;试制了弯曲型陶瓷电子倍增器.     

Sr_(1-x)Ba_xHb_2O_6热电探测器电性能的研究

本文叙述了在10～500°K范围内的铁电铌酸锶钡(SBN)的介电常数、电导率,比热及热电系数与温度的关系,并研究了它们与材料Sr/Ba成分的关系。文中介绍一种测量铁电体绝对热电系数和自生极化的简单方法;对介电特性与电场、频率的关系也进行了研究;并从材料的观点讨论了热电探测的理论。把SBN用作电磁辐射热电探测器时,对其实验数据进行了探讨。     

TiO2-V2O5陶瓷的复合特性研究

报道了TiO2-V2O5陶瓷的制备工艺和复合功能特性的研究结果。该陶瓷使用传统的陶瓷工艺制备，并测量了其性能参数。该陶瓷具有复合功能特性，即半导体特性、介电特性和压敏特性。用TiO2—V2O5陶瓷可以制备复合功能陶瓷器件。     

脉冲激光沉积法制备Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜及其激光感生的热电电压效应

采用脉冲激光沉积(PLD)法在倾斜Al2O3(0001)衬底上制备了Bi2Sr2Co2Oδ(BSCO)系列热电薄膜,发现该类薄膜中有激光感生热电电压(LITV)效应.X射线衍射(XRD)谱显示Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜沿c轴外延生长.采用标准四探针法测试了Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜的电阻随温度的关系.结果表明所制备的Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜在80～360 K范围内呈半导体导电特性.研究发现,在倾斜角度分别为10°和15°的倾斜衬底上制备的Bi2Sr2Co2Oδ热电薄膜都存在一个最佳厚度,在这一厚度下可使激光感生热电电压(LITV)信号的峰值电压达到最大,分别为0.4442 V和0.7768 V.可以认为该激光感生热电电压信号是由Bi2Sr2Co2Oδ薄膜面内和面间塞贝克系数张量的各向异性引起的.     

热电复合材料的研究进展

目前常规的热电材料LiTaO_3、TGS、SBN晶体,PbTiO_3、PZT陶瓷,已为人们所熟知。这些材料具有性能优良、工艺繁杂和成本较高等特点。随着对热电材料及器件工艺的深入研究,根据热电探测器R_v∝d的关系(R_v——     

电场激活压力辅助烧结对(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8热电材料微观结构及热电性能的影响

采用电场激活压力辅助烧结（FAPAS）技术制备了(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8热电材料,采用无电场、低电场强度和高电场强度三种烧结方式作为对比实验,研究了烧结过程中施加电场强度对(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8热电材料微观结构和热电性能的影响。研究结果表明,在烧结过程中施加电场,可明显提高(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8热电材料的电导率和Seebeck系数,从而提高其综合电功率因子;而采用大电场强度烧结则会使(Bi2Te3)0.2(Sb2Te3)0.8材料出现层状结构择优取向,在电性能相对较高的情况下亦使其热导率明显减低,从而获得较高ZT值。     

新型热释电单晶材料与红外探测器的研究

主要阐述了当前热释电红外探测器的发展状况,并重点介绍了我国尤其是我们在新型热释电材料以及红外探测器方面的主要进展和成果。弛豫铁电单晶是一类具有优异压电性能的新型材料,同时我们发现该类晶体还具有优异的热释电性能。我们所生长的PMNT单晶的热释电系数超过15.3×10^-4cm^-2.K^-1,Mn-PMNT的介电损耗降至0.0005,探测优值达到40.2×10^-5Pa^-1/2,高居里温度点单晶PIMNT的居里温度达到180℃以上。与合作单位一起利用该类晶体研制的红外探测器的性能远优于利用传统热释电材料（如LiTaO₃）制作的探测器,其比探测率达到1.07×10⁹ cm·Hz^1/2/·W^-1,说明利用该新型弛豫铁电单晶制作的红外探测器具有广阔的应用前景。     

PbO和Bi_2O_3-Li_2CO_3助烧剂对Pb(Zr_(0.9)Ti_(0.1))O_3厚膜热释电性能的影响

采用丝网印刷工艺制备了Pb(Zr0.9T0.1)O3(PZT)厚膜,研究了过量PbO和Bi2O3-Li2CO3共同助烧对PZT厚膜低温烧结特性、微观结构、相构成以及介电和热释电性能的影响。结果表明:随着过量PbO及Bi2O3-Li2CO3添加量的增加,PZT厚膜的烧结温度和晶粒尺寸均逐渐降低。当PbO过量6.4%(质量分数)、Bi2O3-Li2CO3添加量为5.4%(质量分数)时,PZT厚膜可在900℃低温下致密成瓷,且其热释电系数和探测率优值均得到大幅提高;所得样品在30℃时的热释电系数为10.6×10–8C.cm–2.K–1,探测率优值为8.2×10–5Pa–1/2。     

采用热电探测器对CO_2激光快速探测的新方法

针对大功率CO2 激光光束光斑质量诊断仪对大功率激光截面强度分布测量的要求 ,设计了一种新的光热电转换电路 ,得到了高增益的快速光热电转换 ,响应时间比常规方法短一个量级。满足了对大功率激光功率分布的检测。此光热电转换电路适于采用热释电探测器快速响应的应用     

热释电薄膜在红外探测器中的应用

介绍了热释电效应及热释电薄膜红外探测器的工作模式，特别是探测器单元对热释电薄膜的材料与低温生长要求。为了克服薄膜生长过程中较高的基片温度对读出集成电路(ROIC)的破坏性影响，一方面发展了离子束辅助沉积、外延缓冲层等多种低温生长技术，另一方面发展了复合探测器结构设计。已研制出了性能良好的铁电薄膜非制冷红外焦平面阵列，其噪声等效温差(NEDT)可达20mK。     

非晶YBCO薄膜热释电红外探测器

介绍了非晶YBCO薄膜用作非制冷热释电红外探测器材料。它在室温下显示出强的热释电行为,并且容易在室温下采用射频磁控溅射法沉积,制备工艺与CMOS工艺相兼容,是 一种很有潜力的热释电探测器材料。并介绍了非晶YBCO热释电薄膜的研究现状,阐述了该薄膜及其探测器的制备技术和研究动向。     

钛酸铋钠基铁电陶瓷的热释电性能研究进展

介绍了高光谱用红外探测器的性能及使用情况,并将其与国外同类型高光谱红外探测器的关键指标(如信噪比、暗电流、读出噪声等)进行了对比测试分析。经过衬底去除工艺,短波探测器的光谱响应达到0.4~2.6 μm,平均量子效率超过75%,动态范围内响应线性度拟合曲线的R²值都大于 0.99,半阱信噪比可达到1600。该探测器的性能超过了国外报道的同类器件,满足我国高光谱应用需求。     

Electrical and Pyroelectric Properties of K2Pb2Gd2W2Ti4Nb4O30 Ferroelectrics

A polycrystalline sample of K₂Pb₂Gd₂W₂Ti₄Nb₄O₃₀ was prepared by a high-temperature solid-state reaction method. The formation of the single-phase compound (at room temperature) was confirmed by preliminary x-ray structural analysis. The surface morphology recorded by scanning electron microscopy at room temperature exhibits a uniform grain distribution on the surface of the sample with few voids. Studies of the (i) variation of dielectric parameters with temperature (27°C to 430°C) and frequency (1 kHz to 5 MHz) and (ii) temperature dependence of polarization confirmed the existence of ferroelectricity in the material below the transition temperatures. Two dielectric anomalies observed at 304°C and 378°C suggest the existence of phase transitions in the material. The temperature and frequency dependences of electrical parameters of the material exhibit a strong correlation between microstructure and properties of the material. The temperature dependence of the direct-current (dc) conductivity shows the typical Arrhenius and negative temperature coefficient of resistance (NTCR) behavior of the material. The variation of the alternating-current (ac) conductivity with frequency obeys Jonscher’s universal power law. The current variation with temperature shows that the material has high pyroelectric coefficient and figure of merit, and thus it is useful for pyroelectric sensors. Even with a small piezoelectric coefficient (4.5 × 10^?12 C/N), the material is confirmed to be ferroelectric.     

溶胶–凝胶法制备BNBT系陶瓷的热释电性能

研究了采用溶胶–凝胶工艺制备的(Bi0.5Na0.5)1xBaxTiO3(x=0,0.06,0.08)系(简称BNBT)无铅压电陶瓷的热释电性能。研究发现该工艺制备的(Bi0.5Na0.5)1xBaxTiO3系陶瓷室温附近具有较强的热释电性,热释电系数P大大高于传统工艺制备的同种样品的性能。随着Ba离子浓度的增加,热释电系数P在x=0.06时达到最大,P为3.9104 Cm2·K1。溶胶–凝胶工艺制备的(Bi0.5Na0.5)1xBaxTiO3系陶瓷具有较大热释电系数,起因于该类材料压电性较强、退极化温度较低。     

The improved pyroelectric detectors for far-infrared laser interferometer measuring

In this paper, the application of the pyroelectric detectors for Far-Infrared laser diagnostics on TOKAMAK plasma is described. We discovered experimentally that the Fabry-Perot interference could affect the performance of the pyroelectric detectors (PED). The improved pyroelectric detector (IPD) was developed for FIR laser coheront measuring. Some designing considerations about the pyroelectric detectors used in high temperature plasma conditions are mentioned.     

Pyroelectric detection properties of gadolinium molybdate (gmo)

The pyroelectric detection properties of gadolinium molybdate (GMO) crystals have been studied near and at its 159°C ferroelectric transition temperature. Responsivity and detectivity figures of merit are calculated from measurements of pyroelectric currents induced by white light irradiation and are compared with room temperature figures of merit for TGS and SBN detectors. Since GMO does not exhibit a dielectric anomaly, it can be used as a threshold detector by heating through the transition temperature from a pre-selected temperature increment below the transition. Voltage-sensitive pyroelectric currents at the transition, found previously, permit voltage control of the threshold.