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基于SMIC 0.13 μm CMOS工艺,在3.3 V/1.2 V(模拟/数字)双电源下,设计了一种11位80 MS/s的数/模转换器(DAC)。电路采用分段式电流舵结构,高6位为温度计码,低5位为二进制码。该DAC应用于无线通信SoC的模拟前端。IP核尺寸为960 μm ×740 μm,功耗40 mW,电路仿真结果显示,DAC的最大积分非线性误差和微分非线性误差分别为0.5 LSB和0.3 LSB。在20 MHz输出信号频率和80 MHz采样率下,DAC差分输出的SFDR为80 dB。设计的电路已经通过MPW流片验证,给出了DAC芯片照片与实测数据。 相似文献
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提出了一种12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的电流舵D/A转换器实现电路.12位DAC采用分段式结构,其中高8位采用单位电流源温度计码DAC结构,低4位采用二进制加权电流源DAC结构,该电路中所给出的层次式对称开关序列可以较好地补偿梯度误差.该D/A转换器采用台湾UMC 2层多晶硅、2层金属(2P2M)5V电源电压、0.5μm CMOS工艺生产制造,其积分非线性误差小于±0.9LSB,微分非线性误差小于±0.6LSB,芯片面积为1.27mm×0.96mm,当采样率为50MHz时,功耗为91.6mW. 相似文献
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基于SMIC 0.18 μm CMOS混合信号工艺,设计了一种适用于体局域网(BAN)的自校准逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。基于BAN系统的特点,设计的SAR ADC采用阻容混合型主数模转换器(DAC)及电容型校准DAC等结构。采用误差自校准技术来校准SAR ADC的阻容混合型主DAC的高5位电容失配误差,有效降低了SAR ADC非线性误差。仿真结果表明,自校准SAR ADC获得了±0.3 LSB微分非线性、±1 LSB积分非线性、82.2 dB信噪比等性能特性。设计的SAR ADC具有良好的性能,适合于BAN系统。 相似文献
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实现了一款10比特200Msps采样速度的数模转换器。该数模转换器采用了8+2的分段结构,高8位比特使用温度码设计。文中详细分析了CMOS工艺下匹配问题,采取一定措施提高匹配性。该数模转换器采用3.3V供电电压,摆幅为2Vpp,提高了系统的抗干扰能力。在200Msps采样率下,后仿真结果可达到INL小于0.34LSB,DNL小于0.05LSB,有效比特数为9.9,SNDR达到61.7dB,SFDR为75.3dB。该DAC采用SMIC180nm CMOS工艺设计,整体面积为800*800μm2。 相似文献
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基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,在3.3V/1.2V(模拟/数字)双电源下,设计了一种11位80MS/s的数/模转换器(DAC)。电路采用分段式电流舵结构,高6位为温度计码,低5位为二进制码。该DAC应用于无线通信SoC的模拟前端。IP核尺寸为960μm×740μm,功耗40mW,电路仿真结果显示,DAC的最大积分非线性误差和微分非线性误差分别为0.5LSB和0.3LSB。在20MHz输出信号频率和80MHz采样率下,DAC差分输出的SFDR为80dB。设计的电路已经通过MPW流片验证,给出了DAC芯片照片与实测数据。 相似文献
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系统分析了高速电流型CMOS数模转换器的设计方法.设计了一种采样率为100ms/s,分辨率为8bit,电源电压为3.3v的CMOS电流型DAC.采用同步锁存技术增加了转换速度.电路仿真结果表明在采样率为100Ms/s,输入信号从直流到Nyquist频率,无杂散动态范围(SFDR)为59dB.积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)分别为±0.5LSB和±0.3LSB.在采样率为100Ms/s,电源电压为3.3v时的功耗小于300mw.电路采用0.3um标准CMOS工艺实现. 相似文献
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<正>数字射频存储器(DRFM)基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器(ADC)和数模转换器(DAC),其性能直接决定了DRFM系统的关键参数瞬时带宽。南京电子器件研究所研制成功瞬时带宽500 MHz的4 bit相位量化ADC/DAC,LVDS数字接口,带内SFDR优于-30 dBc。4 bit相位量化ADC将模拟信号的相位等分为24个相位区间并对其进行量化,采用类Flash结构实现,最终输出8路与输入同频率且两两相差22.5°的等占空比方波。设计时合理分配了内部各级 相似文献
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12位80MHz采样率具有梯度误差补偿的CMOS电流舵D/A转换器实现 总被引:4,自引:0,他引:4
提出了一种12位80 MHz采样率具有梯度误差补偿的电流舵D/ A转换器实现电路.12位DAC采用分段式结构,其中高8位采用单位电流源温度计码DAC结构,低4位采用二进制加权电流源DAC结构,该电路中所给出的层次式对称开关序列可以较好地补偿梯度误差.该D/ A转换器采用台湾U MC 2层多晶硅、2层金属(2 P2 M) 5 V电源电压、0 .5μm CMOS工艺生产制造,其积分非线性误差小于±0 .9L SB,微分非线性误差小于±0 .6 L SB,芯片面积为1.2 7mm×0 .96 m m ,当采样率为5 0 MHz时,功耗为91.6 m W. 相似文献
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基于0.6 μm高低压兼容CMOS工艺,设计并实现了一种四通道高压抗辐射电压输出型数模转换器(DAC)。采用R-2R梯形网络和高压折叠共源共栅运放作为缓冲输出,保证了DAC良好的单调性,提高了抗辐射能力。该DAC芯片尺寸为5.80 mm×3.70 mm。测试结果表明,在正负电源电压分别为±5 V时,DAC的输出范围达到-2.5~2.5 V,功耗为26.95 mW,DNL为0.41 LSB,INL为0.34 LSB,输出建立时间为6.5 μs,INL匹配度为0.11 LSB。 相似文献
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详述了单片超高速2G bps G aA s 4b it数模转换器(DAC)的设计、制造及测试。在南京电子器件研究所标准76 mm G aA s工艺线采用0.5μm全离子注入M ESFET工艺完成流片。芯入输入输出阻抗实现在片50Ω匹配。4 b it DAC的微分非线性(DN L)为±0.22最低有效位(LSB),积分非线性(IN L)为±0.45LSB,达到5.2 b it的转换精度。该单片电路提供差分互补输出,长周期输出特性无漂移。其最高转换速率可达2 G bps,建立时间小于250 ps,电路核心部分功耗为110 mW。 相似文献
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本文设计了用于14bit逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的DAC电路。针对该DAC,介绍一种全差分分段电容阵列结构以缩小DAC的版图面积;高二位权电容采用热码控制,用以改善高位电容在转换时跳变的尖峰以及DAC的单调性;对电容阵列采用数字校准技术,减小电容阵列存在的失配,以提高SAR ADC精度。校准前,SAR ADC的INL达到10LSB,DNL达到4LSB;与校准前相比,校准后,INL〈0.5LSB,DNL〈0.6LSB。仿真结果表明,本DAC设计极大改善SAR ADC的性能,已达到设计要求。 相似文献
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提出了一种基于电流舵DAC的SDR校正技术。首先采用拆分电流源的方法,增加了待校正电流源的个数。然后采用动态组合的方式,减小了电流源的失配误差,提高了DAC的静态与动态性能。与DMM校正技术相比,该SDR校正技术具有更小的残余误差、更好的静态与动态性能。采用40 nm CMOS工艺实现了一种14位200 MS/s的电流舵DAC,并进行了仿真。结果表明,通过数字校正,该DAC的INL与DNL分别从1.5 LSB和0.5 LSB降低到0.33 LSB和0.25 LSB,SFDR在整个Nyquist带宽内均大于70 dB。 相似文献
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提出了一种10bit 200MHz采样率具有梯度误差补偿的CMOS视频D/A转换器实现电路。采用分段式结构,利用层次式对称开关序列消除由热分布不均所引起的对称误差。该DAC集成在一款视频自适应均衡芯片中,整个芯片采用Charted 3.3V电压、0.35μm CMOS工艺生产制造。DAC的面积为1.26mm×0.78mm,工作在4Fsc(14.318MHz)采样频率时,其有效数据比特为9.3个,其积分非线性误差和微分非线性误差均小于±0.5LSB。 相似文献
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本文设计了一款用于视频中的R2R梯形电阻网络数模转换器。其电路结构包含8位R2R梯形电阻网络DAC、输出放大器、低电平转高电平电路、模拟开关、参考电压和锁存器电路。电路设计是基于CSM0.11μm CMOS Logic工艺,经HSPICE仿真表明,DAC的积分非线性误差(INL)和微分非线性误差(DNL)分别小于1.65LSB和0.23LSB,功耗仅为3.86mW。 相似文献