一种新型SIR结构LTCC带通滤波器设计与制作

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术及SIR结构,设计制作了一种新型LTCC带通滤波器,采用ADS和HFSS软件进行三维建模和电磁场优化仿真及测试。结果表明:该滤波器中心频率为2.46 GHz左右,3 dB带宽为2.28~2.71 GHz,带外抑制≥25 dB(偏离中心频率±500 MHz),外形尺寸为3.20 mm×1.61 mm×1.03 mm。     

一款2.4GHzWiFi频段FBAR带通滤波器设计

该文设计了一款2.4 GHz WiFi频段(2 401~2 483 MHz)薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器。采用一维Mason电路模型,在ADS中搭建了阶梯形滤波器电路;在HFSS中建立了封装结构和测试电路有限元电磁模型,并在ADS中完成了联合仿真设计。通过微机电系统(MEMS)工艺制备与测试,滤波器在2 401~2 483 MHz频段的插入损耗≤2.2 dB。在2 520~2 900 MHz处,带外抑制≥40 dB,滤波器体积仅1.1 mm×0.9 mm×0.65 mm。     

96 MHz锥形叉指宽带声表面波滤波器

介绍声表面波锥形叉指换能器的基本原理,采用折线电极锥形叉指换能器制作的TD-SCDMA制式用96MHz宽带滤波器,1dB带宽4.8MHz,15dB抑制小于6.4MHz,插入衰耗约12dB,封装为SMD(13.3mm×6.5mm)。     

S波段砷化镓单片窄带滤波器

<正>随着砷化镓单片集成电路的发展,微波无源、有源单片电路的使用范围越来越广泛。南京电子器件研究所已研制出一种砷化镓单片窄带s波段滤波器。芯片尺寸为5mm×4mm×0.1mm。3dB相对带宽为8.3％,在150MHz带内,即5.1％的相对带宽内,插损小于6dB,起伏小于0.5dB;距中心频率300MHz外,即20％的相对带宽外,抑制大于30dB;在离中心频率490MHz     

应用于5G 通信的GaAs 带通滤波器设计

随着5G 通信的飞速发展,系统对高密度、低成本、小体积提出了更高的要求。为满足需求,设计了一种应用于5G 通信的高选择性小型化带通滤波器。首先通过Designer 电路仿真软件,建立电路拓扑结构进行元件值的拟合,提取合适的元件值;基于GaAs 工艺,在三维电磁仿真软件 (HFSS) 中进行整体建模设计,并加工实现了一款应用于5G 通信的GaAs 带通滤波器。测试结果表明:该带通滤波器中心频率为3750 MHz,带宽900 MHz,插入损耗为3.0 dB,带内驻波比优于1.5, 在DC~2400 MHz, 5300 MHz~10 GHz 阻带范围内的带外抑制均优于30 dB,测试结果与仿真设计十分吻合。该滤波器尺寸仅为1.2 mm×0.9 mm×0.1 mm,相比传统工艺的滤波器,体积大大缩小, 且可以与 5G 系统芯片一体化设计。     

国外简讯

500—800MHz SAW滤波器 美国AT&T微电子公司推出的17型SAW滤波器,其工作频率范围为500—800MHz,中心频率为622.018MHz。滤波器插损为15.5dB;3dB加载Q值为800,移相度为-0.33°;振幅变化为1dB(最大):输入和输出的失配衰减分别为3dB和2.7dB;最大抑制为40dB;温度范围为-40—+30℃。器件适合于OC—12 SONET标准,采用小型22管脚的表面封装外壳。尺寸为16mm×3mm×10mm。     

20信道声表面波滤波器组初探

本文报道我们研制的一种20信道声表面波滤波器组,它有一个输入端,中心在200MHz中频,瞬时带宽100MHz,20个信道输出,每个信道带宽5MHz.各信道的插损为19～20dB,矩形度<2,信道阻带抑制>40dB.器件体积65mm×50mm×13mm,重量<140g.     

片上自动调谐的可编程有源RC滤波器

研制了一款可编程6阶巴特沃斯有源RC滤波器.为提高滤波器中运算放大器的增益带宽积,设计了一种新型的前馈补偿运算放大器.为消除工艺偏差和环境变化对截止频率的影响,设计了一种片上数字控制频率调谐电路,并采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行了流片.滤波器采用低通滤波结构,测试结果表明,3 dB截止频率为1～32 MHz,步进1 MHz,带内增益0 dB,带内纹波0.8 dB,2倍带宽处带外抑制不小于24 dBc,5倍带宽处带外抑制不小于68 dBc,滤波器等效输入噪声为340 nV/√Hz@1MHz,调谐误差为±3％.滤波器裸芯片面积0.87 mm×1.05 mm.采用1.8V电源电压,滤波器整体功耗小于20 mW.     

国外简讯

由Siemens Matsushita公司生产的F4957型SAW滤波器,其3dB通带为10.6MHz,适用信道间隔为12MHz,插损为24dB.群延迟波纹为±25ns.残余边带宽度为750kHz.滤波器采用的外壳为SIP5L.体积为19.9mm×12mm×5.5mm.另由该公司在F4957基础上研制而成的F4962M型SAW滤波器,其3dB通带为11.6MHZ.信道间隔为12MHZ.插损值为26dB.群延迟波纹为±25ns,残余边带宽度为400kHz,封装外壳为SIP5K.体积为8.7mm×17.3mm×4mm.     

一种基于LTCC的高性能超宽带带通滤波器

提出了一种基于LTCC技术的高性能超宽带带通滤波器的实现方法。该滤波器电路采用交织结构,同时只采用了4个谐振级,有效降低了通带内插入损耗,增大了滤波器带宽。借助电路仿真以及电磁场三维仿真软件进行电路优化,实际测试结果与仿真结果吻合较好,中心频率为1 080 MHz,带宽为500 MHz,在通带内插入损耗优于1.6 dB。由于该滤波器频率较低,属于UHF波段,波长较长,采用半集总半分布式结构实现了滤波器的小型化,封装尺寸仅为3.4 mm×4.8 mm×1.5 mm。     

TD-SCDMA A频段交叉耦合腔体滤波器的设计与实现

TD-SCDMA采用的是TDD工作方式,收发采用相同的频带,由于PHS的存在,A频段带宽为1 8801 900 MHz,体积有严格要求110 mm×75 mm×30 mm,难点是在此体积下实现带内最大插损小于0.9 dB,插损纹波小于等于士0.3 dB,回波损耗大于18 dB的设计要求,带外抑制要求S<,21><-75...     

C波段宽带薄膜体声波滤波器设计及验证

介绍了一种适用于三维堆叠的凸点式晶圆级封装的小型化C波段宽带薄膜体声波滤波器的设计方法,并进行了工艺验证。通过对压电层薄膜进行钪掺杂、材料参数提取、结构模型优化实现了相对带宽大于5%的薄膜体声波滤波器设计。通过表面硅基微机电系统(MEMS)工艺制备与凸点式晶圆级封装实现滤波器制备。研制出标称频率5 800 MHz、插入损耗小于2.8 dB、阻带抑制大于40 dBc、体积仅1.0 mm×1.0 mm×0.35 mm的C波段宽带薄膜体声波滤波器。     

一种特殊的单片晶体滤波器模块

介绍了一种进口中频滤波器微电路模块.该中频微电路模块是中心频率为12.1 MHz,3 dB带宽240 kHz,体积仅35 mm×25 mm×5 mm的一种复合型宽带有源单片式晶体滤波器,其采用叉指结构对单片晶体滤波器的性能进行改善.通过实验证明叉指结构对单片晶体滤波器具有改善矩形系数,增加带外抑制和精密微调频率的作用.     

一种小型化腔体带阻滤波器的设计

腔体滤波器由于具有结构牢固,性能稳定可靠,散热性好,品质因数(Q)高,损耗小及功率容量高等特点,使其在各类微波系统中得到广泛运用。为了使某腔体带阻滤波器小型化,在保证阻带带宽大于200 MHz和阻带抑制大于30 dB的情况下,通过优化谐振腔的电容加载结构及优化谐振腔的排列方式,将滤波器的高度降低了50%,长度减小了17%,体积控制在8 mm×8 mm×25 mm。     

层叠式LTCC低通滤波器设计

给出带有衰减极点的层叠式LTCC低通滤波器的结构模型。滤波器外形尺寸为2.0mm×1.2mm×0.9mm,采用εr=7.8、tanδ=0.0047微波陶瓷介质材料,设计出的截止频率?c=300MHz的低通滤波器,通带最大插入损耗为0.8dB,通过引入一个衰减极点,提高阻带的衰减性能,同时获得陡峭的过渡带。     

Pi型电感耦合LTCC滤波器的寄生感性耦合研究

对二阶Pi型电感耦合LTCC滤波器中各个元件的电容及电感寄生效应进行了分析,提出了一种新的寄生电感耦合分析方法,并根据分析结果设计了一个二阶Pi型电感耦合和一个二阶Pi型电容耦合LTCC带通滤波器,其中,电感耦合滤波器的设计指标为:中心频率2.45GHz,相对带宽32.65%,带内插入损耗2dB,回波损耗18 dB;电...