新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

Unified MOSFET Short Channel Factor Using Variational Method

It is well known that short channel effect is one of the most important constraints that determine the downscaling of MOSFET's.The relationship between the device structure configuration and short channel effect is first expressed empirically in Ref.[1].And recently,due to...     

Determination of Threshold Voltage and Mobility of MOSFET by Proportional Difference Operator

Proportional Difference Operator (PDO) method is proposed for the first time to determine the key parameters of a MOSFET, including the threshold voltage and ca rrier mobility.This method is applied to the transfer characteristic of a MOSFET first, and then the effect of gate voltage on carrier mobility is considered. The dependence of carrier mobility on the gate voltage is obtained.     

MOSFET封装进步帮助提供超前于芯片组路线图的移动功能

移动功能市场需求移动电话渗透率在已开发市场达到了很高比例,而在世界上其他地区也不断提高。根据GSMA的信息,欧洲国家的移动用户渗透率已经超过90%。发展中市场的平均渗透比例将由2012年的39%增加至2017年的47%,而且是未来5年内刺激全球移动市场增长的最大因素。随着世界各地市场增长,数以十亿计的新用户将迎来移动连接带来的个人及经济机会,他们对额外功能及更物有所值的需     

MC34151/MC33151/MC34152/MC33152高速双MOSFET驱动器集成电路

本文介绍了ＭＣ３４１５１／ ＭＣ３３１５１／ ＭＣ３４１５２／ ＭＣ３３１５２系列双路单片高速ＭＯＳＦＥＴ驱动器，文中不但讨论了该系列ＭＯＳＦＥＴ驱动器的引脚排列、各引脚的名称、功能、用法、主要设计特点和参数限制，而且剖析了它们的内部结构和工作原理，进而探讨了它们的应用技术。     

沟槽型MOSFET的发展

在功率变换器中沟槽型MOSFET取代功率二极管传递能量有两个优点：可以用PWM驱动电路灵活地控制MOSFET为不同的负载提供所需的能量;导通电阻低,能耗小。文章介绍了新研究出来的厚栅氧MOSFET,RSOMOSFET,集成肖特基二极管的沟槽型MOSFET,并对它们的机理和性能进行了阐述和分析。     

AOS收购IDT晶圆厂巩固其功率半导体地位

当前全球经济环境低迷，产品成熟化，创新日益乏力，如何创造价值是每个企业，尤其是高科技企业需要思考和解决的问题。作为一家集全球设计、开发和销售为一体的功率半导体供应商，Alpha＆OmegaSemiconductor（AOS，万国半导体）成立于2000年，总部位于美国加利福尼亚的桑尼维尔市，专注于设计、开发以及销售电源功率半导体器件的整体方案，拥有先进的专利技术。其产品覆盖低压到高压MOSFET产品线，全球市场占有率已稳居同行业前十名以内，并广泛应用于高性能服务器、笔记本、台式机以及显卡，家电，通信等领域。     

一种JFET区域具有N型重掺杂的1200 V碳化硅浅槽平面MOSFET器件的设计与优化北大核心

介绍了一种在JFET区域采用浅槽N型重掺杂降低器件比导通电阻与开启损耗的1 200 V碳化硅平面栅MOSFET器件。采用浅槽结构设计，减小了器件栅源电容CGS及栅漏电容与栅源电容比值CGD/CGS,降低了器件的开启损耗。浅槽下方采用的N型重掺杂使得器件反型层沟道压降明显提高，使器件获得了更低的比导通电阻。仿真结果表明，相比于平面栅MOSFET器件，开启损耗降低了20%;相比于平面栅MOSFET与分裂栅MOSFET,器件比导通电阻分别减小了14%和17%。     

PowerLight9.0^PFC大功率声频功放技术的革新

为适应扩声应用领域对大功率可靠输出的轻巧包装的发展需求，PowerLight9．0PFC设计组遇到很大的挑战：要开发一种功放，它的功率至少是功率强大的PowerLight4．0PFC功放的两倍，但却不可改变它的机身尺寸和瓦／磅比率。当然，更不可降低它的音频性能。最后结果出来了，它...     

衬底正偏的MOSFET的近似模型

本文针对衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的解析模型进行了讨论．在已有ＭＯＳＦＥＴ理论基础上，仅引入一个参数ξ，便得到了全偏压范围的ＭＯＳＦＥＴ的解析表达式的通式．当ξ＝１时，该表达式与已知的衬底负偏的ＭＯＳＦＥＴ的表达式相同；当ξ＝０．８时，可得到衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的近似解析式．实验结果验证了该模型的正确性．     

大功率MOSFET管的测量与焊接及300W功率放大器的调试

全固态电视调频发射机目前使用的都是大功率MOSFET晶体管，使用较多的是飞利浦公司生产的BLF278和摩托罗拉公司生产的MRF151G，由于其输入阻抗很高，栅极感应的电荷不易泄放，因此产生较高的感应电压，造成栅极的绝缘层容易击穿而损坏，所以在使用中要特别注意。     

场效应管及其在DX中波发射机中的应用

文中简单介绍了场效应管和功率MOS管,并通过场效应管在DX中波发射机中实际应用的例子,说明了场效应管,特别是IR功率MOS管在当代大功率中波发射机中的应用。     

150kHz的IGBT可取代MOSFET功率管

IGBT自发明至今已将近15年,它仍一直有望在中等电压范围(400～600V)的各种应用中取代MOSFET功率管.但它们迄今还未能如愿以偿,基本原因有二:首先是IGBT的速度还不够快,不足以应付许多应用;其次,尽管有迹象表明IGBT系统的成本应当更低,但实际上并不那么经济实惠——尤其是与MOSFET的极低价格相比更是如此.MOSFET能胜任许多应用,其价格在过去几年里已下降得很低.     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。