0402尺寸二极管：齐纳二极管

罗姆推出齐纳二极管0402尺寸（0．4mm×0．2mm）,这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上。本产品属于较小的半导体产品,和以往的0603尺寸（0．6mm×0．3mm）相比,成功地将尺寸减少了55％。     

二极管泵浦激光器中的二极管温控精度

激光二极管(LD)中心波长及LD功率影响着LD泵浦的固体激光器输出特性,通过理论和实验研究了LD的工作温度变化对LD中心波长及LD功率的影响,分析了LD温度控制系统的温控精度,给出了理论上确定温控精度的一般方法。实验结果验证了此方法的有效性,并且给出了以4 nm谱宽LD泵浦Nd:YAG时的温控精度数据。通过适当选择LD温控精度和较宽的LD谱宽,可大大降低温控系统设计的难度,有效提高DPL的环境适应能力。     

性能媲美碳化硅二极管的串联二极管

ST推出其第二代串联二极管（tandem diodes）,让设计人员以高成本效益的方式提升设备能效,目标应用也包括电源、太阳能逆变器和电动交通工具充电桩。     

初探二极管

我们在介绍二极管的时候，不得不提到一种很特别的二极管，它真的是越来越特别了，以至于人们已经习惯性地认为它不属于二极管的大家庭。而是独立出来的新事物了，它就是发光二极管。     

半导体二极管

0101968可编程器件实现片上系统[刊]/孟宪元//测控技术.—2000,19(10).—43～46(E)在介绍 CPLD 和 FPGA 等可编程器件的结构和现状的基础上,介绍新一代 FPGA 如何在系统集成、系统存储、系统时钟和系统接口等几方面来满足实现片上系统的要求.并预测其今后的发展趋势。Y2000-62185-254 0101969应用筛选印刷工艺制作光电二极管=Fabrication ofphotodiode by screen printing technique[会,英]/Ya-haya,M.& Salleh,M.M.//1998 IEEE InternationalCorgerence on Semiconductor Electronics.—254～259(E)     

半导体二极管

Y99-61799-613 0007497在倍频器应用性能研究中的双势垒谐振隧道二极管=Double barrier resonant tunneling diodes in frequencymultiplier applications performance study[会,英]/Necu-loiu,D.& Dobrescu,D.//Proceedings of 1998 Interna-tional Semiconductor Conference.Vol.2.—613～616(UG)     

半导体二极管

0611531 采用双二极管开关元件的单层相位开关屏=Single layer phsse-switched screen using double-diode switching elements[刊,英]／B．Chambers and A．Tennant／／Electronics Letters．-2003,39(15)．-1150-1151(E)     

半导体二极管

Y2002-63318-27 0327766低功率损耗的12-19KV 4H-SiC针二极管=12-19KV4H-SiC pin diodes With low power loss[会,英]/Sug-awara,Y.＆Takayama,D.//2001 IEEE Proceedingsof the 13th International Symposium on Power Semicon-ductor Devices＆ICs.—27-30     

雪崩二极管

利用半导体二极管中雪崩现象制作的微波振荡器件、放大器件总称为雪崩二极管。在这种二极管中,由于杂质分布或外电路不同,其工作机理也不尽相同,因而有几种振荡模式,但其中碰撞雪崩渡越时间模式(IMPATT-IMPact Avalanche Transist Time)和俘获等离子体雪崩触发渡越模式(TRAPATT-TRApped Plasma Avalanche Triggered Transit)最有实用价值。     

半导体二极管

Y2002-63067-989 0210603以SEBER实现的4H-SiC功率二极管用的以物理为基础的新电路模型=A new physics-based circuit model for4H-SiC power diodes implemented in SEBER〔会,英〕/Kolessar, R.& Nee.H.P.//Sixteenth Annual IEEEApplied Power Electronics Conference and Exposition,Volume 2.-989～994(PE)     

半导体二极管

0600434 双栅硅场致发射极=Double-gated silicon field emitters [刊,英]／L．Dvorson,I．Kymissis／／Journal of Vacuum Science & Technology B．-2003,21(1)．-486-494(E) 0600435 固态场控制平面发射极行为=Behavior of the solidstate field-controlled planar emitters under extreme working conditions[刊,英]／Vu Thien,Binh V．Semet／／Journal of Vacuum Science & Technology B．-2003,21 (1).-474-478(E)     

半导体二极管

Y98-61304-113 99057802/10μs 浪涌电路用肖克莱二极管的物理模拟=Physi-cal modelling of Shockley diode used on 2/10 μsec surgecircuits[会,英]/Charitat,G.& Dilhac,J.-M.//1997Proceedings of the International Semiconductor Confer-ence,Vol.1.—113～118(UV)介绍了肖克莱二极管电特性的研究结果。对其静态和动态模拟与实验结果进行了比较。对于静态分析讲,其触发机理是雪崩产生的电流;而对动态分析来说,是浪涌信号。利用闪电浪涌信号实验研究了这种器件的工作情况。从物理的、模拟的和实验的观点,讨论了其瞬时特性。参8     

半导体二极管

Y2002-63306-105 0305084气体源分子束外延生长的温度稳定波长 TlInGaAs/InP 双异质结构发光二极管=Temperature-stablewavelength TlInGaAs/InP DH LEDs grown by gassource MBE[会,英]/Lee,H.-J.& Konishi,K.//2001 IEEE International Conference on Indium Phos-phide and Rdated Materials.—105～108(E)     

半导体二极管

Y2002-63196-384 0311952在软/硬开关转换应用中大电流碳化硅结势垒肖特基二极管的特性=High current SiC.JBS diode characteri-zation for hard-and soft-switching applications[会,英]/Lai,J.—S.& Huang,X.//2001 IEEE Industry Appli-cations Conference,Vol.1 of 4.—384～390(ME)Y2002-63196-391 0311953采用高压4HSiC和Si P-i-N二极管的软/硬开关反向转换器=Hard-and soft-switching buck converter perfor-mance of high-voltage 4H-SiC and P-i-N diode[会,     

半导体二极管

0617068作为双光子吸收装置的Si雪崩光电二极管无背景强度自动相关器=Background-free intensity autocorrelatoremploying Si avalanche photodiode as two-photon ab-sorber〔刊,英〕/K.Taira,Y.Fukuchi//Electronics Let-ters.—2002,38(23).—1465(E)0617069高特性1500V4H-SiC结势垒Schottky二极管=Highperformance1500V4H-SiC junction barrier Schottkydiodes〔刊,英〕/J.H.Zhao,P.Alexandrov//ElectronicsLetters.—2002,38(22).—1389(E)0617070隧道再生双有源区AIGaInP发光二极管提取效率的计算〔刊,中〕/田咏桃//固…     

半导体二极管

Y2000-62067-228 0012674采用0.8μm BiCMOS 技术的硅发光二极管光谱特性=Spectral characteristics of Si light emitting diodes in a0.8μm BiCMOS technology[会,英]/Plessis,M.du &Aharoni,H.//1998 IEEE International Conference onOptoelectronic and Microelectronic Materials and De-vices.—228～231(EC)     

半导体二极管

Y98-61380-312 99044904H-SiCP~+N 和6H-SiC 肖特基二极管的静态与动态特性=Static and dynamic characteristics of 4H-SiC P~+Nand 6H-SiC Schottky diodes[会,英]/Tolkkinen,L.E.& Ramalingam,M.L.//1997 IEEE 32nd Intersociety