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FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜。在频率(1~40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系。结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达–17.4%和–20.7%。薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系。 相似文献
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基于软磁非晶丝巨磁阻抗效应(GMI)的传感器是近年来磁传感器领域的研究热点之一.非晶丝具有良好的软磁特性:如低电阻率、高磁导率、高饱和磁感应强度、低矫顽力、低损耗以及特殊的磁畴结构等,利用其GMI效应制成磁传感器,其突出优点是微型化、高灵敏度、快速响应、高温度稳定性和低功耗.本文讨论了软磁非晶丝巨磁阻抗效应的机理,叙述了非晶丝GMI传感器的研究进展,着重对敏感材料性能及制备、GMI器件结构形式、传感电路等作了介绍,并指出了GMI目前存在的问题及将来的发展趋势.最后对GMI的应用作了展望. 相似文献
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采用溶胶凝胶法制备了LaMnOx(LMO)薄膜,系统研究了不同烧结温度、纵向直流磁场后退火和生长膜层数对LMO薄膜的巨磁阻抗效应的影响。结果表明,烧结温度、膜的层数以及纵向磁场后退火处理均有效提高了LMO的巨磁阻抗比,其中纵向直流磁场后退火处理提高薄膜阻抗比效果最显著,经过10Oe、400℃恒温1h磁场后退火处理后,在频率5MHz、100Oe外磁场下其磁阻抗比达15.8%,相比未后处理样品磁阻抗比提高了一倍,其对应的磁场灵敏度为0.16%/Oe。同时,实验发现磁场后退火不仅影响薄膜的巨磁阻抗比,也会改变阻抗比极大值所对应的激励频率,这一现象目前仍在探究中。 相似文献
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采用射频磁控溅射方法,利用微细加工工艺制备了不同薄膜宽度的三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1~40MHz下研究了薄膜宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响。结果表明,三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应随薄膜宽度的变化具有显著的影响,当FeCuNbCrSiB层、Cu层宽度分别取1.6rflrn、O.8rflrn时,GMI%达到最大值一21.22645%。 相似文献
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The frequency-locking of a 1.5-μm distributed-feedback (DFB) laser to an atomic Kr 2p 8-3d "1 transition at 1.5244 μm that does not dither the laser frequency is discussed. Instead, the frequency-discriminant signal was obtained by dithering the Kr line with a small AC magnetic field using the Zeeman effect. The frequency shift of this Kr line was measured to be 1.25 MHz/G, and is linearly proportional to the applied magnetic field. Since the technique avoids dithering of the laser frequency without adding complexity in the servo-loop, it is well suited for developing master oscillators to be used in optical wavelength-division-multiplexed (WDM) networks 相似文献