基于精简标准单元库的OPC复用技术

提出了一种对标准单元的光学邻近效应校正结果进行复用的方法,并通过将传统标准单元中的所有核心逻辑通过反相器和二选一多路选择器的组合来实现,得到了一套可制造性强的精简标准单元库,从而使OPC复用技术得以有效实施,并将在很大程度上提高芯片生产效率和降低掩模数据存储量.精简标准单元库中单元的电气仿真结果表明其在面积、速度、功耗方面与传统标准单元库相比性能损失很小.     

超深亚微米可制造标准单元库设计

当集成电路的特征尺寸下降到100nm以下,可制造性设计就变得尤为重要。本文提出了一种65nm可制造性标准单元库的设计方法。通过精简基本单元的数量,降低光学矫正的时间和空间复杂度;利用DFM设计规则和光学模拟仿真对每个单元的版图进行优化以提高整个单元库的可制造性。应用该方法实现的标准单元库在时序,功耗,面积方面与传统标准单元库相比具有很好的性能,并且通过Foundry的TD部门65nm工艺线的可制造性测试,有利于65nm工艺生产良率的提升。     

近阈值标准单元库和其在传感网芯片中的应用

将电源电压降低到晶体管阈值电压附近可以有效提高数字电路的能效,而近阈值标准单元库是近阈值数字电路设计的基础.通过分析逻辑门间静态噪声容限的兼容性、逻辑门在宽电压范围下延时变化情况,并通过求解最大包问题等的相关算法,对现有的商用数字CMOS标准单元库进行有效筛选,得到适用于低电压工作的近阈值数字CMOS标准单元库.通过一个应用于传感网中的双电压域、双核微控制器流片测试,对此标准单元库进行了验证,结果显示其中工作在0.5V下的高能效核的能量效率相较传统工作电压下提高到2.76倍.     

基于TSMC55工艺的ELC流程

相对于TSMC65纳米工艺,TSMC55纳米工艺提供了更小的面积、更快的速度。ELC不仅可以检查厂商提供的65纳米标准单元库,还可以产生相应的55纳米标准单元库。本文首先介绍了ELC特征化技术原理,在没有相应ARM55标准单元库的情况下,通过对ARM65标准单元库进行ELC特征化流程,得到速度更快的ARM55标准单元库。并将其应用在实际的设计中进行综合,综合结果与厂商提供的经验值一致。     

UMC 0.18 μm异步电路标准单元库建库技术研究

标准单元是半定制设计的基本构建模块,它通过降低设计和调试时间,提高设计效率.在异步电路的发展过程当中,标准单元的缺乏成为异步电路设计的瓶颈.文章对标准单元的建库流程进行了研究,通过对流程的深入研究,得到了适用于自动化、大批量建库的脚本.采用这个流程,设计了异步电路的标准单元.利用所设计的异步单元,设计了一个异步电路芯片.结果表明,所给出的流程以及所设计的异步单元完全正确.     

一种标准单元库的自动仿真验证方法

提出了一种针对标准单元库中单元逻辑功能进行自动仿真验证的方法,验证了55 nm标准单元库中单元逻辑功能的正确性。该方法能自动提取设计文档中的单元逻辑,根据提取结果中输入端的数量自动生成测试向量,并以此测试向量生成参考逻辑值,整个过程只需0.708 μs。采用仿真工具对标准单元库文件进行仿真,将得到的仿真值自动与参考值对比,验证了库单元逻辑的正确性,提高了标准单元库功能验证的效率。     

异步集成电路C标准单元的设计与实现

目前异步集成电路设计所面临的主要问题之一是缺乏基于标准单元的设计流程,几乎所有的异步设计都是基于全定制设计技术.要实现基于标准单元的设计流程,首先要提供异步标准单元.本文提出了一种异步标准单元的设计流程,设计实现了两种兼容已有标准单元库标准的异步集成电路C单元,并对其进行了性能优化.最后给出了两种C标准单元的SPICE模拟分析结果.     

防DPA攻击的标准单元库的设计与实现

给出了一个功耗恒定标准单元库的设计实现方法,并利用该标准单元库实现了DES密码算法中的S-盒。实验结果表明,这种标准单元库能够很好地起到防DPA攻击的作用。     

一款验证标准单元库功能与延迟测量的芯片

本文设计了一款测试芯片用于验证标准单元库功能以及延迟测量,其中验证标准单元库功能部分电路采用的是数字集成电路的自动化设计流程,实现了对0.18um标准单元库功能准确性的物理验证,缩短了单元库的验证周期;另一方面利用标准单元库搭建的环形振荡器,来帮助测量验证标准单元库门电路延迟时间的准确性。最后利用Synopsys公司Astro工具对两部分电路进行布局布线,并流片测试验证。     

40nm工艺下反向窄沟道效应对VLSI电路设计的影响

反向窄沟道效应(INWE)是纳米级工艺下较为明显的版图效应,它使MOS管阈值电压Vth随着OD(扩散区)宽度的下降而下降,由此使得饱和电流Idsat提高并最终影响器件的速度.重点阐述了产生INWE的原因,同时将INWE考虑在标准单元库的设计当中.以TSMC N40LP 12T标准单元库为基础,根据INWE现象重新对电路结构(Circuit Structure)和版图(Layout)进行设计,最终能够在原有版图面积下整体性能提升5%以上,整体功耗升高控制在2%以内,从而得到有着更好PPA(Power Performance Area)指标的标准单元库器件.