超薄高介电Er2O3栅介质薄膜的漏电机理

采用激光分子束外延设备在不同温度下制备了不同厚度的超薄晶态、非晶态高介电Er2O3栅介质薄膜,用X射线衍射和高分辨透射电镜分析了薄膜结构,用HP4142B半导体参数分析仪测试了Al/Er2O3/Si/Al结构MOS电容器的漏电流。XRD谱和HRTEM图像显示400℃以下制备的Er2O3薄膜呈非晶态,400℃到840℃制备的Er2O3薄膜是(111)方向高度择优取向的。电学测试表明：晶态Er2O3薄膜厚度由5.7 nm 减小到3.8 nm,漏电流密度从6.20×10-5 A/cm2突增到6.56×10-4 A/cm2,增加了一个数量级。而厚度3.8 nm的非晶Er2O3薄膜漏电流密度仅为1.73×10-5 A/cm2。漏电流数据分析显示高场下超薄Er2O3薄膜的漏电流主要来自于Fowler-Nordheim隧穿。低场下超薄晶态Er2O3薄膜较大的漏电流是由晶粒边界产生的杂质缺陷引起。     

CH3I在532nm及455.5nm激光作用下多光子电离研究

本文利用飞行时间质谱仪研究了532nm和455.5nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离（MPID）。在532nm激光作用下，CH3I分子由双光子激发到A带的A2态，它的MPID属母体离子阶梯模式;在455.5nm激光作用下，CH3I分子由双光子激发到A带的3E态，它的MPID属中性碎片光电离模式。     

宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关

研制了一种张应变准体In Ga As半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80 m A的注入电流下,器件的3d B光带宽大于85 nm(1 5 2 0～1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1 5 2 5～1 5 6 5 nm )和L带(1 5 70～1 6 1 0 nm ) .最为重要的是,在3d B光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在70～90 m A之间;消光比大于5 0 d B.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景     

新型双极性TPABMI的高效率非掺杂蓝色OLED

通过研究双极性蓝色荧光染料对(4-三苯胺)- 联二苯基-(2-苯基)苯并咪唑(TPABM I)的电致发光(EL)特性,发现TPABMI不仅具有较强的发光特性,同时还具有较强的空 穴/电子传输特性。利用此特性,制备了蓝光器件ITO/NPBX(40nm)/T PABMI(20nm)/ TPBi(20nm)/LiF(0.5nm)/Al(93nm);进而在空穴传输层NPB和发光 层TPABMI之间插入TCTA薄层,并对ITO表面用MoO₃进行修饰,制备了结构为ITO/MoO₃(10nm)/NPB(80nm)/TCTA(5nm)/TPABMI(20nm)/TPBi(40nm)/Li F(1nm)/Al(100nm) 的蓝色OLED。实验结果表明,器件在16V电压下实现了蓝光发射,发 光波长为464nm,色坐标为 (0.1509,0.143,最大发光亮度为18970cd·m－2,获得最大 发光效率为5.48cd·A－1;器件效率由启亮后6V时的3.53c d·A－1到14V时的3.66cd·A－1比较稳定,从15V时的 3.89cd·A－1到16 V时的5.48cd·A－1有一个很大的提升;器件的色度从启亮到获得最大亮度的过程中比 较稳定。     

新型大功率双波长半导体激光器的研制

提出了一种新结构半导体双波长激光器 ,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来。通过计算和设计 ,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器。双波长器件的实际激射波长分别为 95 1 nm和 987nm,为基模激射。器件在 5 3 0 m A直流工作时输出功率达到 5 0 0 m W,斜率效率为1 .3 3 W/A。在 2 A电流时功率达 2 .4W,斜率效率为 1 .3 8W/A;3 A电流时功率达 3 .1 W,斜率效率为 1 .2 1 W/A。     

Nb2O5空穴注入层的引入对OLEDs性能的影响

在有机发光二极管典型的层状结构中,引入磁控溅射制备Nb2O5超薄膜作空穴注入层,制备了结构为ITO/Nb2O5/TPD/Alq3/A1的器件.Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITo中ln向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率.研究了不同厚度Nb2 O5层对器件光电性能的影响,发现:当引入Nb2O5层厚度为2 nm时,亮度提高了近2倍,效率由3.5 cd/A增加到了7.8 cd/A,较好地改善了器件的性能,并且性能优于含有CuPc常规注入层的器件.     

功能层界面制备方法对OLED性能的影响

在功能层界面处采用各功能材料共蒸的方法,制备了典型的绿光有机发光器件(OLED)。器件的结构为ITO/NPB(37nm)/(NPB:Alq3)(3nm)/Alq3(27nm):C545T(3%)/Alq3(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),并与传统的制备方法进行了比较。结果发现,起亮电压从4.5V降低到2.5V,最高耐压从16V提高到21V,最大亮度从13 940cd/m2提高到24 630cd/m2,发光效率由7.0cd/A提高到11.4cd/A。结果表明,本文方法有利于载流子传输,可以有效提高激子形成概率,提高了OLED发光效率。     

通过激发转移和碰撞能量合并研究Rb 52P精细结构混合

利用单模半导体激光器激发Rb原子到5P3/2态,将Rb空心阴极灯发射的6D5/2→5P3/2的629.8 nm线作为吸收线.测量5P3/2态原子密度,由测得的激发态原子密度结合荧光强度比,得到能量合并过程Rb(5P3/2) Rb(5P3/2)→Rb(5D) Rb(5S)的碰撞截面为(5.0士1.9)×10-14cm2.利用荧光法测量了Rb52P精细结构碰撞转移截面.直接荧光是由5P3/2态发射的,敏化荧光是由精细结构碰撞转移和碰撞能量合并产生的.由相对荧光强度得到了转移截面σ(5P3/2→5P1/2)=(3.0土0.9)×10-15cm2.碰撞能量合并速率系数比精细结构混合率大一个数量级,与其它实验结果进行了比较.     

CO2激光器

由Hamamatsu公司研制的S7998型硅光电二极管的低偏置电流预放大器集成在外形尺寸为1 3 2mm× 7.37mm的陶瓷组件内 ,该公司可根据特殊设计要求亦可提供金属封装组件。硅光电二极管的工作电压为 5V ,在 880nm处峰值灵敏度为 0 43A/W ,典型暗电流为 5 0 pA。在 1 90～1 1 0 0nm光谱响应范围具有低噪声、高反馈电阻和低电流消耗等性能。该光电二极管适用于从紫外到近红外光谱范围的高精度光度测量。 (No .2 5 )硅光电二极管     

高信噪比可调谐环形掺铒光纤激光器的研究

报道用 980nm半导体激光器泵浦的仅用 3m高掺铒光纤连续可调谐环形光纤激光器的一些实验研究结果。可调谐谱宽可达 3 0nm(从 1.5 3 μm到 1.5 6μm) ,2 5dB带宽 <0 .4nm ,边模抑制比 >5 5dB。最大输出光功率 3 3mW ,功率稳定性优于± 0 .0 2dB。阈值泵浦功率 8.6mW ,斜率效率达 3 6.67%。     

External-cavity semiconductor laser with 15 nm continuous tuning range

A 1.26 ?m optical amplifier with a facet modal reflectivity below 0.0001 has been used in a 58 mm-long grating external cavity. The lasing wavelength has been continuously tuned without mode hopping over a range of 15 nm by combined translation-rotation of the diffraction grating. A linewidth of 20 kHz has been derived from heterodyne beat frequency measurements between two tunable external-cavity lasers.     

高性能InAs/GaAs量子点外腔激光器

为了获得高性能的量子点外腔激光器(ECL),利用InAs/GaAs量子点Fabry-Perot(FP)腔激光器研制了光栅外腔可调谐ECL。对InAs/GaAs量子点ECL进行了一系列的性能测试,主要包括单模稳定性测试、单模调谐范围测试、阈值电流密度测试、无跳模连续调谐测试和输出功率测试。在室温条件下获得了24.6nm的连续调谐范围,覆盖波长从999.2nm到1 023.8nm,并且实现了波长无跳模连续调谐。在调谐范围内最低阈值电流密度为1 525A/cm2,而且在中心波长处获得的单模输出功率为15mW,单模边模抑制比(SMSR)高达35dB。研究结果表明,通过构建光栅外腔可以实现高性能的InAs/GaAs量子点ECL。     

光栅调谐外腔半导体激光器特性

用一端面镀制高效减反射膜的激光二极管（实际已变成超辐射发光二极管），作为外腔中的增益介质与衍射光栅一道构造了光栅调谐外腔半导体激光器，并对其特性进行了分析和实验研究，实现了外腔半导体激光器的宽带调谐单模输出，调谐范围宽达４０ｎｍ，测定了阈值电流和调谐波长的关系。     

Continuous wavelength tuning of Brewster angled semiconductor lasers

A Brewster angled InGaAsP/InP semiconductor laser coupled to an external two grating cavity has been tuned continuously over 55 nm spectral range. This was made possible by making high spectral selectivity of the external feedback.<>     

Wavelength-division-multiplexing in the 1.5 ?m window: an installed link

A wavelength-multiplexed link in the 1.55 ?m window has been installed in France. A 565 Mbit/s ASK channel at 1520 nm is multiplexed with a 1560 nm video SFM channel. It demonstrates the successful operation of the laser spectrum linewidth reduction by external cavity and wavelength demultiplexing by the STIMAX technology.     

High-power wavelength-tunable cladding-pumped rare-earth-doped silica fiber lasers

We describe the design and performance of cladding-pumped silica fiber lasers with high continuous-wave output powers and broad wavelength tunability in the 1, 1.5, and 2 μm spectral ranges. An ytterbium-doped fiber laser was tuned via wavelength dependent feedback provided by an external cavity containing a diffraction grating from 1027 to 1105 nm at multi-watt power levels. Similarly, high output power and wide wavelength tunability from 1540 to 1600 nm and from 1860 to 2090 nm at multi-watt output power levels has been achieved in Er-Yb co-doped and Tm-doped silica fiber lasers, respectively. A neodymium doped fiber laser was tuned from 1057 to 1118 nm at a lower power level. Limiting factors and the prospects for further improvements in performance are considered.     

Tunable operation of a gain-switched diode laser by nonresonantself-injection seeding

We report tunable operation of a gain-switched diode laser by nonresonant self-injection seeding from an uncoated glass slide used as an external cavity reflector. A spectral linewidth reduction from 11 to 0.05 nm has been achieved for picosecond pulses with little effect on other laser characteristics. Good agreement with numerical simulations based on a compound-cavity laser model is also reported     

适用于现场喇曼谱仪的光栅外腔半导体激光器

本文介绍了适用于现场喇曼谱仪的光栅外腔半导体激光器,其中心波长为792.5nm,谱线宽度小于0.08nm,输出功率为222mW。     

激光二极管阵列的窄线宽、可调谐输出

外腔反馈的激光二极管阵列(LDA)可获得窄线宽、可调谐的光谱输出。外腔由快轴准直镜、准直光学系统和闪耀光栅组成。由于阵列中各发光单元的排列弯曲导致不同波长的光原路返回,引起谱线展宽,在输出光路中加入光谱滤波器,使激光二极管阵列的线宽进一步窄化。这样,激光二极管阵列的输出光谱由自由运转时的2 nm压缩到0.12 nm,在恒定温度23℃时,实现了激光在806～818 nm的调谐,调谐范围达12 nm。     

Lithium neodymium tetraphosphate lasers pumped via close-couplingto high-power laser diode arrays

With a pump power of approximately 250 mW, a TEM₀₀, multilongitudinal mode output power of 73 mW has been obtained from an external mirror device operating simultaneously on the two lines at 1047 and 1055 nm. Devices operating at 1317 nm have also been studied and a close-coupled, monolithic laser with an output power in excess of 28 mW has been demonstrated