叠层埋入式电阻温度分布的影响因素分析

选取方阻阻值、电阻表面积、电阻层间距、电阻距PCB板表层距离、同层电阻间距和电阻电流作为影响温度分布的关键因素,基于正交表L25(56)设计并建立了25种不同参数水平组合的叠层埋入式电阻有限元模型进行温度场分析,对所得25组温度数据进行极差分析和方差分析。结果表明:方阻阻值对温度影响最大,其次是电阻表面积、电阻电流、同层电阻间距、电阻距PCB板表层距离,最后是电阻层间距;在置信度为90%时,方阻阻值对温度有显著影响。     

提高网印电阻阻值精确度的研究

印制电路板铜线路的分布严重影响了网印电阻阻值精确度。研究分析了两类线路分布对网印电阻阻值精确度的影响,用Minitab软件拟合了第一类线路分布对网印电阻阻值影响的回归方程,通过阻值分布概率图分析了第二类线路分布对网印电阻阻值的影响。应用正交设计试验,获得最佳网印电阻工艺参数,结合图形补偿的方法,将不同尺寸电阻图形的方阻值公差控制在±15%以内,有效地提高网印电阻阻值精确度。     

杆塔接地电阻阻值偏大原因及解决策略分析

输电线路杆塔接地电阻阻值偏大为严重影响着输电线路的安全、稳定运行,甚至会产生电力安全事故,因此有必要对杆塔接地电阻阻值偏大的原因其解决策略进行研究。文章结合输电线路实例,对某线路杆塔接地电阻阻值实际情况进行概述和分析,探讨了大阻值产生的原因,并提出了具体的解决策略及相关施工技术,可为类似情况的处理提供参考。     

四线四端子飞针电阻法测量线圈板开路/短路的应用

1问题描述 传统的印制板开短路测试方法是通过导通电阻来判定开路/短路（O/S）,例如通常导通阻值设定为20Ω,线路阻值大于20Ω时机器判断为开路,小于20Ω时机器判断为合格,而阻值小于20Ω的线路则无法精确测试出其实际电阻值而成为测试盲区。线圈板中因布线回路较多阻值都一般小于20Ω,因此常规的测试方法检测线圈板开、短路是不可行的。     

多晶高阻长度对多晶电阻方块值的影响

在集成电路中光刻、腐蚀、横向扩散等工艺步骤常会引起电阻阻值的变化,因此在集成电路版图绘制过程中,版图画法对电阻的影响很大。在集成电路设计过程中电阻通常都设计得比较长,容易忽略电阻长度对阻值的影响。当需要将电阻长度设计得较小时,势必要考虑电阻长度对集成电路阻值的影响。在一些不同的工艺中,电阻变短时电阻长度对阻值的影响趋势很可能相反。对比不同工艺中多晶电阻制造的原理,通过流片取得一家工艺厂实际电阻的阻值,分析并比较与其类似的工艺,同时对比另一家工艺厂电阻阻值随长度变化的影响,给出区分多晶电阻长度对阻值影响的判别依据。     

浅谈变压器用PCB直流电阻测试

文章通过对变压器用PCB直流电阻测试原理分析、测试方法研究,解决了变压器用PCB批量板直流电阻测试成本高效率低的问题,为该类型产品高效益量产化提供了一种有效的方法。     

多元红外光导探测器电子学串音研究

在多元红外探测器的应用中,串音是影响探测器性能的一个重要因素。其中,多元红外光导探测器的电子学串音主要由探测元间的接地电阻引起。通过对光导探测器工作电路的原理分析,得出多元红外光导探测器的电子学串音与探测元间接地电阻的阻值成正比,与偏置电阻的阻值成反比,且与原信号反相的结论,并设计了电子学串音测试原理电路进行了实验测试。测试结果验证了理论分析的正确性。通过理论推导和实验测试证明：在接地电阻一定时,通过提高偏置电阻来抑制电子学串音的方法是可行的。     

集成电路中金属连线下多晶硅电阻的不稳定性分析及抑制方法

作为集成电路的电阻单元,掺硼的多晶硅电阻在千欧级的范围内存在阻值不稳定性,尤其在金属连线下更为严重．分析了不同工艺条件下制作的多晶硅电阻电特性和晶格特性．结果表明,阻值的不稳定性主要由载流子迁移率改变引起．通过测试和运用Seto’s模型计算进一步发现,在铝连线底下势垒高度和俘获的电荷密度均有降低．电荷的俘获／反俘获在多晶硅晶粒边界发生引起势垒高度的变化,从而导致阻值不稳定．然后,借助于补偿的离子注入制作了高稳定的、阻值在千欧级的多晶硅电阻．该方法使得多晶硅晶粒边界电荷的俘获／反俘获对氢退火不敏感．     

电阻温度換算尺的設計和应用

检查长途线路是否正常的方法之一,是随时量测线路电阻,而将测试结果换算为20℃时的阻值,再与已知的20℃时的标准值比较,从而判断有无障碍。但是每次换算需要一定的时间,历时愈久,线障的时间也愈长。为了准确、迅速地发现线障,提高线路暢通率,我们采用了一种“电阻温度换算尺”来代替繁复的     

集成电路中金属连线下多晶硅电阻的不稳定性分析及抑制方法

作为集成电路的电阻单元 ,掺硼的多晶硅电阻在千欧级的范围内存在阻值不稳定性 ,尤其在金属连线下更为严重 .分析了不同工艺条件下制作的多晶硅电阻电特性和晶格特性 .结果表明 ,阻值的不稳定性主要由载流子迁移率改变引起 .通过测试和运用 Seto’ s模型计算进一步发现 ,在铝连线底下势垒高度和俘获的电荷密度均有降低 .电荷的俘获 /反俘获在多晶硅晶粒边界发生引起势垒高度的变化 ,从而导致阻值不稳定 .然后 ,借助于补偿的离子注入制作了高稳定的、阻值在千欧级的多晶硅电阻 .该方法使得多晶硅晶粒边界电荷的俘获 /反俘获对氢退火不敏感 .