晶转埚转以及拉速对单晶硅生产过程的影响分析

单晶硅属于当前技术应用当中十分重要的一种半导体材料，其应用在电子信息技术领域以及太阳能技术领域当中的程度不断提升。当前单晶硅材料应用程度提升，也进一步增强了单晶硅在质量上的要求。换言之，单晶硅的杂质要求更高，加强杂质去除或者控制单晶硅当中的杂质氧含量就显得十分重要。本文侧重研究晶埚转以及拉速对单晶硅生产过程的影响分析。     

单片LCOS技术获突破降低背投电视和投影机成本

LCOS(Liquid Crystal on Silicon，硅基液晶)结合了LCD和半导体制作工艺，是一种受到广泛关注的数字成像技术，主要应用在背投电视、高清晰数字电视、投影机等大屏幕显示产品以及头戴显示器中，最大特点就是省电、价格低与高解析度。LCOS原理LCOS借助ＣＭＯＳ制作技术，单晶硅片上利用ＣＭＯＳ阵列取代TFT-LCD的玻璃基板阵列。LCOS包含一个硅器件，一个玻璃基板和一层中间液晶涂层。由于LCOS显示器使用传统的硅技术，LCOS设备使用的硅可以在普通半导体生产线上进行生产，从而可以降低制造成本和投资，并适应整个行业中的所有…     

增强90nm以下节点应用的工艺控制适应性(英文)

器件尺寸正在对半导体加工工艺从多方面提出新的挑战。对于在90nm节点之后的应用,需要更大改进,且用适应性强的先进工艺来克服更大节点工艺中已得到验证的固有技术的限制。不仅基于先进工艺控制(APC)的下一代工艺设备能够得到来自一个以上信息来源的测量数据,而且将这些测量数据转换成为工艺控制参数以减少性能变化,下一代工艺设备必须提供生产线许多表明圆片经过工艺设备的整个控制程序特性。这种先进工艺控制系统将给予生产线高度理想的、适合先进工艺控制的适应能力需求,实现对其独特的生产线提供最大的优势。     

1983年国际半导体工艺与生产展览会

<正> 1983年国际半导体工艺与生产展览会于9月27至29日在英国伯明翰国际展览中心举行。参加展出的有西欧、美、日、东德的约190家大小厂商,同时还举行半导体工艺国际会议,并有三天的专业人员提高课程,内容是“半导体中的热问题”。 展览会展出的展品几乎包括了半导体工艺与生产的各种类别,大型设备虽未运到现场,但都提供了产品说明和有关资料。展览会反映了当前半导体工艺与生产的国际水平及技术的高速度发展。以下简要介绍有特色的展品和情况。     

半导体晶圆自动清洗设备

主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺以及半导体晶圆自动清洗设备在生产中的结构设计和应用情况。在工艺模块和伺服机械传送方面体现了湿法化学的独创性和实用性。解决了晶圆清洗技术中晶圆清洗效果的一致性,在半导体IC、材料、器件领域的清洗工艺中得到广泛使用,具有极大的社会经济效益。     

世界500强在晶龙建硅材料实验室

世界500强企业——美国应用材料公司经过对中国市场的长期考察,十分看好晶龙集团在半导体领域的技术创新能力和行业优势,日前选定在晶龙集团建立硅探针材料实验室。美国应用材料公司是全球最大的半导体生产设备和高科技技术服务企业,营业收入连续9年在半导体生产设备领域名列第一。晶龙集团是国家火炬计划太阳能硅材料产业基地,年产单晶硅5000余吨,产量连续8年居世界之最。     

激光微化学表面加工

制作尺寸小到1微米的构件是电气、光学和机械系统朝着提高复杂性和微型化方向发展的一个关键问题。微结构工艺从半导体工业的研究中已经获得很多好处，通过这种研究，平面半导体表面的微型制作已发展成一种髙度发展的技术。半导体工艺以连续应用掩模工艺为基础，该种工艺控制着材料的淀积,并以很高的空间分辨率进行清除操作。虽然，这些工艺过程非常适用于同一平面型器件的大量生产，但是它们不很适用于非平面表面的操作，也不适用于表面组成和几何形状需有灵活性的场合。     

半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨

半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用,为此,本文加强对硅片的退火技术检测,希望能够控制硅片技术质量。因为自然界当中并不存在单体硅,硅主要以氧化物或者是硅酸盐的形式出现,需要通过提纯与精炼的方式才能够形成硅片。这个过程中硅需要进行退火工艺处理,消除硅片中氧施主的影响,内部缺陷也在这个过程中减少。这个工艺流程是制造半导体硅片的重要环节。退火后的技术检测则是实现硅片生产的最后一个环节,是确保硅片质量的重要基础。本文侧重对半导体硅片退火检测工艺发展情况进行具体阐述。     

红外光电探测技术在测量半导体薄膜禁带宽度上的应用

采用红外吸收光谱方法测量半导体禁带宽度E_■,由于对样品制作工艺要求较严,而不易推广。本文提出的采用红外光电探测技术通过测量半导体光电导率随照射在样品上的光波波长的变化规律来推出E_(?)的方法,放宽了对样品制作工艺的要求,测试设备也不复杂,其测得的结果(单晶硅E_(?)=1.12eV和多晶硅E_(?)=1.3～1.52eV)均与理论分析和用其他方法测得的结果相符。因此,此方法可广泛地应用于各种半导体材料参数的测量和研究。     

微机械加工技术

介绍了半导体加工技术、ＬＩＧＡ工艺及精密加工技术等在微机械加工技术中的应用。微机械的研究发展以及在医疗、生物工程等方面的应用，必将给人类的生产和生活带来巨大的变化。     

Ion Doping of Silicon Carbide in the Technology of High-Power Electronic Devices (Review)

Semiconductors - Ion implantation is a key technology without alternative for doping silicon carbide SiC in the manufacturing processes of SiC devices. SiC technology has a number of distinctive...     

深能级杂质Zn对n型硅半导体的补偿特性

为得到高B值（材料常数）的单晶热敏材料,采用高温气相扩散的方法在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到高补偿的硅材料,并对该材料特性进行了测试和分析．结果表明：这种补偿硅具有热敏特性,该材料的B值为6300K左右,其阻值对温度的依赖关系与杂质的补偿程度有关．     

晶体硅太阳能电池焊接技术及其发展趋势

晶体硅太阳能电池的焊接工艺是太阳能电池组件制造过程中最主要的工序之一,随着硅片厚度不断减薄和电池面积不断增大的趋势,焊接过程造成的电池碎片或隐裂是影响组件可靠性的主要因素.主要介绍了晶体硅太阳能电池现有的焊接技术,指出了其发展的趋势,并介绍了未来可应用于晶体硅太阳能电池的新型焊接工艺.     

浅析数控技术在机械制造中的应用

随着科学技术不断发展,数控技术作为较高科技性能的技术也在不断进步之中,将数控技术应用到机械制造行业中,是提高我国工业化技术含量的手段之一。现阶段,我国机械制造行业的规模在世界上占据着较大份额,但是产品的质量却不能达到国际标准,技术含量不过关,所以我们应加强数控技术在机械制造行业的有效应用,提升机械制造产品的性能及质量。本文简单分析了我国机械制造行业的现状,数控技术的特点以及数控技术在机械制造行业中的应用,最后对我国机械制造行业中数控技术的发展趋势做了阐述。     

智能制造与机器人应用关键技术研究

伴随时代的迈进,科学技术不断更新。近些年,我国全面拉开信息时代的序幕,数字化与智能化技术开始得到广泛的应用,为人们的生活、生产提供了便利。智能制造为信息通信与制造技术结合后诞生的产物,也指明了未来制造技术迈进的方向。而机器人则是智能制造实现的重要载体,有其重要性和特殊性。智能制造与机器人的应用,不单单能推进制造业更快发展,还能重构制造新业态。文章基于此,先概述智能制造应用技术,再分析机器人应用关键技术,给相关工作者以参考。     

New approach to the manufacturing of power microwave bipolar transistors: A computer simulation

A new manufacturing technology for power microwave silicon npn transistors is evaluated by 2D computer simulation in Silvaco’s SSUPREM4. It enables one to increase the effective emitter area, which makes for better power-handling and frequency capabilities, radiation hardness, and common-emitter output characteristics. Advantages of the new technology over the standard one are demonstrated.     

TAB制造工艺及其关键技术

随着LCD制造业的迅猛发展,LCM也由于其工艺简单、投资少、见效快的特点而快速发展.TAB工艺是LCM制造工艺中最常用的一种.详细阐述了TAB制造工艺及其关键技术一ACF技术和脉冲加热技术.     

高能激光单晶硅反射镜纳米精度控形控性制造技术

单晶硅反射镜是高能激光系统中的重要元件,其加工质量直接影响着高能激光系统的整体性能指标。针对单晶硅反射镜加工过程中产生的各类缺陷问题,本研究团队提出了采用超精密切削、浸没式抛光、磁流变抛光、离子束抛光等超精密加工方法来提升单晶硅元件的加工质量,并开展了相关研究。本文主要综述了本团队近几年在单晶硅制造技术领域取得的研究进展,包括单晶硅纳米精度表面控形制造技术、单晶硅纳米精度本征表面控性生成方法、纳米精度控形控性组合工艺等一系列关键技术。通过探讨高能激光单晶硅元件制造的现状与关键技术,为实现单晶硅元件纳米精度控形控性制造提供技术支撑。     

Product concept to manufacturing—silicon-film™: a new crystalline silicon solar cell

The Silicon-Film™ technology is designed to capture the low costs attributed to thin films while retaining the high performance and stability of crystalline silicon. The progression of the Silicon-Film™ technology is followed from the concept stage through the various development stages and into manufacturing. Results at key development stages, the lessons learned and some of the pitfalls along the commercialization path are described. Some university research opportunities are discussed. © 1997 John Wiley & Sons, Ltd.     

Crystalline silicon solar module technology: Towards the 1 € per watt‐peak goal

Crystalline silicon solar module manufacturing cost is analysed, from feedstock to final product, regarding the equipment, labour, materials, yield losses and fixed cost contributions. Data provided by European industrial partners are used to describe a reference technology and to obtain its cost breakdown. The analysis of the main cost drivers allows to define new generation technologies suitable to reduce module cost towards the short‐term goal of 1 € per watt‐peak. This goal roughly corresponds with the cost level needed to enable ‘grid parity’: the situation solar electricity becomes competitive with retail electricity. The new technologies are described and their costs are analysed. Cost reductions due to scale effects in production are also assessed for next generation manufacturing plants with capacities in the range of several hundreds of megawatts to one gigawatt of module power per year, which are to come in the near future. The combined effects of technology development and economies of scale bring the direct manufacturing costs of wafer‐based crystalline silicon solar modules down into the range of 0·9–1·3 € per watt‐peak, according to current insights and information (the range results from differences between technologies as well as from uncertainties per technology). Copyright © 2008 John Wiley & Sons, Ltd.