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在集成锁相环中,压控振荡器的输出频率范围要能随所有工艺和工作条件的变化而覆盖所需的频率范围。增大压控振荡器的增益而实现宽调协范围会增加压控振荡器和锁相环的相位噪声。在这篇文章中,通过两路控制来得到压控振荡器中心频率可调,实现了非常小的压控振荡器增益。 相似文献
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压控振荡器(Voltage-Controlled Oscillator,VCO)是锁相环的关键模块之一,其性能极大地影响锁相环的性能。该文利用宏力(GSMC)0.18μm CMOS工艺设计了一种环形压控振荡器,该环形振荡器采样三级差分反相延时单元构成,频率范围为1.2GHz~2.8GHz。仿真结果表明,该环形振荡器的相位噪声为-94.6dBc/Hz@1MHz。 相似文献
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100MC锁相环压控振荡器电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文较详细地介绍了用基波晶体制作的100Mc锁相环压控振荡器电路的设计,阐述了设计思想、关键元件的设计考虑及其具体电路的设计等问题,提出了具体的压控振荡电路图和实验结果及数据,该电路满足实际应用的要求。 相似文献
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提出了一个基于0.18μm标准CMOS工艺实现的四级差分环形压控振荡器.全差分环形压控振荡器采用带对称负载的差分延时单元.仿真结果表明,压控振荡器的频率范围在最坏情况为0.21~1.18GHz;偏离中心频率10MHz情况下,压控振荡器的相位噪声为-118.13dBc/Hz; 1.8V电源电压下,中心频率为600MHz时,压控振荡器的功耗仅有4.16mW;版图面积约为0.006mm2.可应用于锁相环和频率综合器设计中. 相似文献
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针对电荷泵锁相环的抖动问题,对CMOS电荷泵锁相环的压控振荡器电路进行改进;设计了一种采用增益补偿技术的压控振荡器,实现了可用于DC-DC变换器中与外部时钟同步的电荷泵锁相环.电路设计基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,采用HSPICE软件仿真验证.仿真结果表明,在3.3 V电源电压、-40 ℃~85 ℃温度范围内,该电荷泵锁相环能够与外部时钟同步于1.5 ~3.5 MHz的频率范围,锁定时间小于72 μs,功耗小于1.3 mW. 相似文献