高储能密度玻璃-陶瓷电容器内电极的研究

采用Na2O-PbO-Nb2O5-SiO2体系玻璃-陶瓷作为绝缘介质,以磁控溅射镀膜技术先在玻璃-陶瓷层表面形成金属膜,再用丝网印刷技术在金属膜上涂覆银浆形成组合式内电极,制备出多层结构高储能密度玻璃-陶瓷电容器,对比了单层内电极结构电容器的性能参数。结果表明:多层内电极结构既保证电容器电极面积不会因银浆烧结形成微孔而减小,又能从原理上有效提高电容元件的击穿强度,其储能密度提高到约8 J/cm3。     

真空开关管用陶瓷管壳目前的状况及问题

1　陶瓷开关管是开关管发展的趋势　　从 2 0世纪 90年代以来 ,真空开关管在中压领域逐步取代少油、多油开关 ,得到了广泛的应用。目前真空开关管的用量每年约在 60万只 ,在中压领域已经取得了主导地位。国内生产真空开关管的企业已经相当多 ,有近 2 0家 ,主要的厂家有 779、440 1、京东方、777、771等。国内众多的厂家中多数厂家还大量生产玻璃真空开关管 ,有的厂家玻璃管的比例甚至占 60 %以上。但从近两年市场的情况分析 ,陶瓷管越来越受到用户的青睐 ,销售的比例也越来越大 ,这是因为在真空开关管的抗震性以及真空气密性等方面 ,陶瓷管…     

耐振动抗冲击光电倍增管

介绍了两类耐振动抗冲击光电倍增管,最优越的耐振动抗冲击光电倍增管是由金属-陶瓷或金属-玻璃器件组成,另一个是使用两块陶瓷板固定所有金属电极来实现耐振动抗冲击的目的.     

开发陶瓷金卤灯的设想

本文通过对石英金卤灯的现状和陶瓷金卤灯的最新进展的介绍，根据陶瓷金卤灯的结构性能上的特点，提出以研制金卤灯用半透明氧化铝瓷管、玻璃焊料，发射材料等为主要课题的对开发陶瓷金卤灯的设想。     

Er3+掺杂对PbF2·SiO2玻璃陶瓷晶粒结构的影响

玻璃陶瓷是玻璃相通过部分晶化而得,是玻璃和晶体的复合体;通过控制晶化过程,可得到透明的玻璃陶瓷。稀土掺杂的透明玻璃陶瓷是一种很有前途的发光材料。本文报道Er3+掺杂对PbF2·SiO2透明玻璃陶瓷晶粒结构的影响。用Pb(AC)2·3H2O、Er(AC)3、TFA、TEOS等为原料,CH3COOH为水解催化剂,采用溶胶-凝胶法及后续热处理[1、2]制备出了xErF3-5PbF2-95SiO2(mol%,x=0,0·5)透明玻璃陶瓷。用JEM-2010型透射电镜(TEM)观察两种样品的显微结构。未掺杂Er3+(x=0)样品的TEM形貌像及其选区电子衍射如图1所示。电子衍射分析表明图中黑色球状…     

CBS/SiO_2体系玻璃陶瓷结构与性能研究

采用水淬法制备CBS玻璃,并使用液相参与的烧结机制制备了钙硅硼(CBS)玻璃陶瓷。研究了不同配比下的CBS/SiO2体系玻璃陶瓷的相组成、显微结构、介电性能及绝缘电阻率。结果表明,随着SiO2添加量增加,材料的介电常数有所下降。当w(SiO2)为15%时,其在850℃的低温烧结样品,10MHz的测试频率下,εr为6.01,tgδ为1.22×10–3,绝缘电阻率1.5×1012?.cm,样品中出现大量石英相,晶粒尺寸多在1μm以下。保温时间对介电性能影响不大。     

复合助烧剂对0.4CaTiO3-0.6(Li1/2Nd1/2)TiO3陶瓷的低温烧结及性能的影响

采用传统的固相反应法制备了0.4CaTiO3.0.6(Li1/2Nd1/2)TiO3(CLNT)微波介质陶瓷,研究了复合添加BaCu(B2O5)(BCB)和2ZnO-B2O3(ZB)玻璃对CLNT陶瓷的烧结特性、相组成、微观形貌及介电性能的影响.结果表明:复合添加质量分数3%的ZB玻璃和5%的BCB能使CLNT陶瓷的烧...     

下期要目

·铝电解电容器盖板绝缘性与电解液 的关系 ·基于三次谐波PbTiO3陶瓷tC的研究 ·PIN二极管原理及其在有线电视收费系统 中的应用 ·电化学双电层电容器的研制 ·微晶玻璃及其在电子元件中的应用 ·日本纳美仕公司与中国三森公司产陶瓷 ·电容器酚醛树脂包封料的对比分析 下期要目     

Li2O掺杂对CBS/Al2O3玻璃陶瓷性能的影响

研究了Li2O掺杂对CBS/Al2O3玻璃陶瓷烧结性能和介电性能的影响.结果表明,掺杂适量的Li2O可改善CBS/Al2O3玻璃陶瓷的烧结性能和介电性能,当掺杂Li2O的质量分数为0.5%时,CBS/Al2O3玻璃陶瓷在810 ℃可实现低温致密化烧结,试样的体积密度为2.89 g/cm3;在1 MHz的测试频率下,该材料的介电常数为8.6,介电损耗为1.0×10-3;XRD分析表明其相组成主要为CaSiO3、CaAl3BO7、残余Al2O3和玻璃相.     

一种新的金属—陶瓷气密封接法

陶瓷往往用来代替玻璃作真空管的外壳,这是因为它具有很多优点。如:高频特性及绝缘性能良好;加工精度高;机械强度大,易于制造大型的真空管;不但管内排气容易,而且真空管很少恶化等。制造陶瓷管时,必须在陶瓷外壳的表面涂敷金属膜,在规定的金属部分用焊料合金气密封接。以前,陶瓷管的气密封接法有以下两种。即: (1)钼锰法把钼和锰的混合粉末制成膏状,涂敷在陶瓷表面,在湿氢中加热。 (2)活性金属氢化物法把钛或锆的氢化物粉末制成膏状,涂敷在陶瓷表面,然后与焊料合金一起在～10~(-4)毫米汞柱的真空中加热。     

有助于把电弧转变成扩散型的纵向磁场真空灭弧室

一个能产生强径向磁场的真空灭弧在其真空外壳内有一对面对面的触头，它们能在分断电路位置和闭合电路位置之间作相对移动。螺旋臂型或杯槽型触头由管状金属蒸气屏蔽筒围绕着。在触头处于分断电路位置时，该屏蔽筒与至少一个触头是电绝缘的。每个触头是与线圈和载流导电杆相串联的。这个位于触头背面的线圈可由灭弧室的开断电流所激励。导电杆则延到真空外壳之外。线圈中的电流在触头间区域内产生一个径向磁场。该磁场迫使触头间的开     

Ca[(Li,Nb)Zr]O3+δ微波陶瓷的低温烧结机理研究

研究了ZnO-B2O3-SiO2 (ZBS)玻璃添加对Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15]O3+δ(CLNZ)陶瓷相转变、晶体结构及微波介电性能的影响.XRD及SEM显示,ZBS玻璃添加可使CLNZ钙钛矿陶瓷在940℃获得单相致密的结构,但当ZBS玻璃的质量分数超过10％后,陶瓷中开始出现Ca2Nb2O7型烧绿石相.在烧结过程中ZBS玻璃相富集在晶界处,表明烧结过程中它起到液相烧结助剂的作用,可有效地将CLNZ陶瓷的烧结温度从1170℃降低到940℃.且在ZBS玻璃相的诱导下,CLNZ陶瓷晶体发生了从(121)面到(101)面的择优取向转变.在最佳烧结条件940℃、4h下,在w(ZBS)=15％玻璃掺杂的CLNZ陶瓷中,其微波介电性能为介电常数εr=32.0,品质因数与频率之积Q·f=6 640 GHz,频率温度系数τf=27.1 μ℃-1,且该陶瓷体系不与Ag发生化学反应,可广泛应用于低温共烧陶瓷( LTCC)领域.     

纯钛酸镁的制备及改性研究

按照非化学计量比配料,采用固相反应法制备了纯MgTiO3粉体,并在MgTiO3粉体中掺入CaTiO3以调节MgTiO3陶瓷的介电常数温度系数τε,掺入Nd2O3或CeO2改善其Q·f值、绝缘特性及微观形貌。结果表明:MgO与TiO2按照摩尔比1.03:1:00配料并提高预烧温度至1100℃,可以消除杂相得到高纯度MgTiO3粉体。最终获得了εr=17.8,Q·f=65000(7GHz),τε=±10–5/℃,ρ=9.5×1012?·cm的MgTiO3微波介质陶瓷。     

真空开关管

本发明是关于低压电器的发明,主要是用于开关电器,如接触器中的真空开关管的发明。众所周知,真空开关管中,形成真空开关管外壳的绝缘瓷筒内配置两个电极,绝缘瓷筒的高度能使真空开关管承受很大负荷,并避免绝缘间隙击穿的危险。但是在这样的开关管中,为了保证绝     

酒槽干燥机不锈钢列管断裂失效分析

某公司生产的GL5 2 5型酒槽干燥机 ,其整体管束系采用 4 0 2根规格为Φ5 1× 3mm、长为 7 89m、材料为 1Cr18Ni9Ti的无缝不锈钢列管与管板连接而成。在工作中 ,用螺旋输送机输送含水为 6 7%的湿酒糟 ,通过转动管板与不锈钢列管 ,管内并通以0 6MPa压力、2 5 0℃温度的水蒸汽 ,以 10r min转速对湿酒槽料进行干燥。为达到密封、不致泄露高温水蒸汽的目的 ,制造时在不锈钢列管与管板外侧连接处进行焊接 ,并采用胀管机对连接处的列管内侧进行胀管 ,以使其为紧配合。制成后 ,在管内通以1 2 8MPa压力的水 ,对不锈钢列管进行水压试验时未出…     

K_2O-B_2O_3-SiO_2/Al_2O_3低温共烧陶瓷介质材料研究

采用1 500℃高温熔融水淬制得K2O-(n-x)B2O3-xSiO2玻璃粉,掺入Al2O3陶瓷填充料来制备K2O-(n-x)B2O3-xSiO2/Al2O3低温共烧陶瓷介质材料。系统研究了玻璃基中SiO2/B2O3比例变化和玻璃掺入量对玻璃/陶瓷材料结构和性能的影响规律。研究结果表明,B2O3含量增加抑制了玻璃Y中SiO2析晶,使复合材料的介电常数、介电损耗在一定程度上有所减小,复合材料的抗弯强度也有一定程度的减小。     

厚膜多层布线技术及其应用

厚膜多层布线工艺,又称为二次集成技术.其特点是在氧化铝陶瓷基片上装配厚膜多层电路装置.其方法是将电路的导体图形和绝缘玻璃层连续通过丝网漏印、烧结在基片上.二层或更多层导线通过玻璃绝缘层,一层层地进行隔离.同时,在绝缘介质层中的窗口和通道上把TTL、ECL、MOS等硅集成半导体电路,采用键压工艺,组装在厚膜多层布线的窗口中以实现二次集成完成电路的整个功能.     

欧洲EL系列输出管的应用

欧洲收信放大管中，输出管以高跨导五极管为主。最早生产的EL3、EL5跨导都为8～9mA/V。美国RCA公司开发的束射管6V6，比原五极管6F6效率提高不少，不但驱动电压更低。且在相同的灯丝加热功率时输出功率更大。在开发束射管的同时，欧洲EL系列通过改变五极管阴极和栅极结构形状及相对排列位置提高了放大效率，也不比束射管差。如最早生产     

ZnO-B_2O_3玻璃对Mg_2TiO_4微波介质陶瓷结构和性能的影响

利用传统固相烧结法制备了ZnO-B2O3玻璃掺杂的Mg2TiO4微波介质陶瓷,研究了ZnO-B2O3玻璃掺杂对所制陶瓷相成分、微观形貌和微波介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3玻璃掺杂能使Mg2TiO4陶瓷的致密化温度降低200℃左右。当Mg2TiO4中掺杂质量分数2%的ZnO-B2O3玻璃时,经1 300℃烧结所得陶瓷微波性能较好:εr=13.62、Q.f=101 275 GHz、τf=–51×10–6/℃。     

PbO-B2O3-CuV2O6掺杂对(Pb,Ca,La)(Fe,Nb)O3陶瓷微波介电性能的影响

研究了PbO3-CuV2O6(PBC)玻璃对(Pb,Ca,La)(Fe,Nb)O3(PCLFN)陶瓷微波介电性能的影响.当纯PCLFN陶瓷在1150℃烧结,介电常数εr=103,品质因数与频率之积Qf=5640 GHz,频率温度系数τf=7.1×10-6/℃.PBC玻璃添加剂能降低PCLFN陶瓷的烧结温度到1 050℃左右,同时能保持良好的介电性能.随着PBC玻璃添加量的质量分数从1.0%增加2.0%,陶瓷的Qf值减小.掺杂ω(PBC)=1%玻璃、在1 050℃烧结的陶瓷样品,能获得良好的微波介电性能为Qf=5 392 GHz,τf=8.18×10-6/℃,εr=101.