SrTiO_3双功能陶瓷中TiO_2掺杂的作用

研究了ＴｉＯ２掺杂对ＳｒＴｉＯ３电容－压敏双功能陶瓷晶粒生长特性和电性能的作用规律。研究结果表明ＴｉＯ２添加量较小时瓷体不能实现半导化。随着ＴｉＯ２添加量的增大,烧结后的表观电阻率减小,压敏电压和非线性指数减小,表观介电常数增大。ＳＥＭ观察发现ＴｉＯ２添加量较小时晶粒内部出现裂痕,较多的ＴｉＯ２添加量利于晶粒的长大。     

低压ZnO压敏电阻器性能的改善

制作低压ＺｎＯ压敏电阻器的一般方法是添加晶粒助长剂ＴｉＯ２。这样做虽然可降低梯度电压Ｖ１ｍＡ／ｍｍ，但同时也增大了漏电流ＩＬ，降低了元件的稳定性。在掺入ＴｉＯ２，使Ｖ１ｍＡ／ｍｍ下降的同时，适量掺入硼并在８５０℃下进行热处理，可改善小电流特性和非线性，减小ＩＬ，提高稳定性。     

纳米微晶SnO2薄膜的制备和光学性能的研究

以无机盐为原料制备得到纳米微晶ＳｎＯ２薄膜。由透射比曲线计算发现，随热处理温度的升高，薄膜的折射率、消光系数均增大。研究表明，掺Ｔｉ的ＳｎＯ２薄膜吸收边的跃迁属间接跃迁，随晶粒尺寸的减小，间接带宽增大。     

SiO_2对ZnO压敏电阻器性能的影响

实验研究了ＳｉＯ２对ＺｎＯ压敏电阻器性能的影响，在ＺｎＯ陶瓷中，添加适量的ＳｉＯ２可以提高压敏电阻器的α值和电压梯度，降低漏泄电流，提高通流量，能够制造出性能优异的ＺｎＯ压敏电阻器。     

超高α值超小漏电流ZnO压敏电阻器

研究了ＺｎＯ压敏电阻器非线性系数α值与Ｓｂ２Ｏ３含量,粉料粒径的关系,实验发现,适当添加Ｓｂ２Ｏ３与超细粉碎粉料,不仅是提高压敏电阻器电压梯度的有力措施,也是大幅度提高非线性系数α值和大幅度减小漏电流的有效途径。     

SiO2对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响

本文主要讨论ＳｉＯ＿２对ＴｉＯ＿２系压敏陶瓷电性能的影响，并从理论上作了深入分析。     

用化学共沉SrTiO_3研制钛酸锶铋介质陶瓷

采用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＤＡＸ、粒度分析等手段研究了在（１－ｘ）ＳｒＴｉＯ３ｘＢｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２（简称ＳＢＴ）系统中采用化学共沉ＳｒＴｉＯ３时，Ｂｉ２Ｏ３·３ＴｉＯ２的含量对介电性能和显微结构的影响。发现当其摩尔分数ｘ小于１０％时，结构为单相固溶体，εｒ随ｘ的增加而增加；当ｘ大于１０％时，为复相结构，εｒ开始下降。这个结果与采用ＳｒＣＯ３和ＴｉＯ２固相合成的ＳｒＴｉＯ３烧块时的结果相近，变化趋势一致。但化学共沉ＳｒＴｉＯ３之晶粒细小，杂质少，故使所制介质具有非常优异的介电性能。     

籽晶法制备低压ZnO压敏电阻器

研究了ＺｎＯ籽晶粒度、掺入量及其制备方法对压敏电压的影响。实验结果表明：掺入适量粒度合适的籽晶，勿需在高温下长时间烧结，也可制成压敏电压较低，漏电流较小的ＺｎＯ压敏电阻器。     

中温热补偿MLC陶瓷

本文研究了ＢａＯ－ＴｉＯ２－Ｎｄ２Ｏ３（ＢＴＮ）系陶瓷的结构和介电性质。在该系统中加入适量的玻璃和添加剂，获得了一系列中温热补偿独石电容器（ＭＬＣ）陶瓷，实验结果证实：当Ｔｉ／Ｂａ＝１．００３时，ＢＴＮ系陶瓷的居里温度（Ｔｃ）随Ｎｄ２Ｏ３含量的增大而产生逐步漂移。用ＸＲＤ确定了陶瓷的主晶相，ＳＥＭ照片显示出晶粒尺寸对Ｎｄ＾３＋含量的依赖关系，分析了Ｔｉ／Ｂａ比对陶瓷介电系数温度系数（ａｅ）的影响。     

添加尖晶石对氧化锌压敏电阻性能的影响

通过添加尖晶石（Ｚｎ７Ｓｂ２Ｏ（１２））改性研制出电位梯度为１００Ｖ／ｍｍ左右，压敏电压在８２～１５０Ｖ，通流容量可达１６００Ａ／ｃｍ２，漏电流＜２μＡ系列压敏电阻器，从而满足了国内电话交换机行业对８２Ｖ、１００Ｖ、１２０Ｖ、１５０Ｖ压敏电阻器的电性能要求。从工艺的角度解释了尖晶石对氧化锌瓷晶粒的作用原理，并分析了尖晶石的微观结构及粒度对瓷片电性能的影响。