抗蚀剂的干法显影技术研究

在以前还只是处于想象境地的抗蚀剂干显影(等离子体显影)已展示了实现的可能性。一方面开发了能够干显影的抗蚀剂,另一方面还发展了能对现有抗蚀剂作干显影的新工艺。本文简述了至今为止所发表的抗蚀剂的干显影技术方法和技术动向,也介绍了我们所做的有关工作。     

半导体设备与工艺技术的现状及新技术

简要介绍了半导体的有关工艺技术和生产设备的发展动向。首先对光刻技术、干蚀刻技术、清洗技术、氧化?扩散技术、快速高温处理(RTP)技术、离子注入技术、化学气相沉积(CVD)技术、物理气相沉积(PVD)技术以及化学机械研磨(CMP)技术等分别加以介绍,然后对未来的发展动向提出一些建议。     

半导体干腐蚀剂动向

近年来,在集成电路生产工艺中已广泛开始采用等离子干腐蚀。其主要原因是,随着IC集成度的提高,必须进一步采用微细加工技术,这就有赖于干腐蚀法的不断进步才能实现。 以往使用的湿腐蚀法主要问题如下:(1)高温下酸将造成光致抗蚀剂的剥离;(2)由于各向同性腐蚀而引起钻蚀;(3)随着条宽接近亚微米,腐蚀液     

OTN在专网运用时的方式探讨

OTN(光传送网)作为一种新型组网技术已成为国内外运营商和行业系统新建和改造大容量宽带波分传输系统的主流技术,并将在专网的波分局干网和局内骨干网绽放出更强的生命力.通过对专网波分系统改造工程实践,从现状和需求分析、技术比选、组网方案、保护技术、设备选型、设备配置关键要素与SDH系统的联合组网思路等方面做了关于OTN技术...     

基于柔性干电极的肌电信号无线采集系统设计

传统Ag/AgCl湿电极存在柔韧性差、稳定性不高等缺点,已不能满足应用于智能可穿戴设备采集表面肌电信号(sEMG)的需求。提出一种通过微电子机械系统(MEMS)技术制备柔性干电极的方法,并针对柔性干电极的特点设计一套便携式16通道sEMG无线采集系统。通过光刻、刻蚀、聚二甲基硅氧烷(PDMS)形貌转移等工艺制成面积1 cm~2、厚度1 mm、底部直径80μm、高度143μm、中心距160～240μm的柔性微针阵列干电极。无线采集系统将采集到的sEMG进行放大、滤波、A/D转换和无线传输后,由LabVIEW编写的上位机进行波形显示和数据存储。整个采集装置尺寸为6 cm×2.5 cm×1.5 cm,电池容量为200 mA·h,充电5 min可在室外50 m范围内工作4 h左右。该无线采集装置配合柔性干电极提取sEMG具有采集通道多、稳定性好、传输距离远、实时显示波形、生物兼容性好等优点。     

HSDPA、HSUPA技术应用探讨

一、HSDPA、HSUPA技术性能分析 1.HSDPA技术性能分析 HSDPA的性能与信道条件(如时间色散、小区环境、终端车速、小区内与小区间的干扰分布)、终端基本检测性能(敏感性、干扰抑制能力等)有关,还受到无线资源管理(RRM)算法的影响,如功率和码资源的分配、载干比估计的准确性及分组调度算法的选择和实施等.     

100G OTN引领广电省网骨干传输建设——甘肃广电100G OTN干线项目

甘肃广电现网省干传输网络采用2.5G SDH设备,随着接入层双向网改的推进,干线带宽开始出现瓶颈,通过简单的设备改造和升级已无法满足业务发展的需求.公司在完成整合后,按照广电总局下一代广播电视网(NGB)的总体规划思路,积极借鉴行业经验,并遵循运营商基础传输网的技术演进路线,急需规划建设一张完善且先进的省干网络. 本次新建省干覆盖甘肃省所辖分公司及地市多个节点,主要用于承载数字有线电视业务、VOD点播业务、数据宽带业务、大客户专线业务等. 为满足未来三网融合等电信级业务发展需求,随着网络业务的IP化、点播和高清业务的开展、宽带用户的迅猛增加,省干承载业务量的压力翻倍增长.选择大容量的传输技术势在必行.     

高电导透明单壁碳纳米管薄膜成功应用于有机发光二极管

透明导电的氧化铟锡(ITO)薄膜目前已广泛应用干平板显示、太阳能电池、发光二极管、特殊功能窗口涂层及其他光电领域,但是由于其在价格和柔性等方面的限制,ITO薄膜成为发展柔性电子学的障碍之一.     

湖南省公用IP网络的优化策略

IP网络的现状及面临的问题目前,湖南电信的IP网络包括省干IP网络和本地IP网络(窄带拨号、宽带IP)两部分,主要采用IP路由技术、以太网交换技术、POS技术、xDSL技术等组建IP网络。省干IP网络主要采用Cisco的GSR系列路由器,利用POS技术,通过双星型结构、主备2.5G/155M链路组建。所有传送链路都由省干DWDM网承载,因此省干IP的扩展能力、增值业务的开放能力都较强,能够满足业务发展的需求。本地IP网络由窄带拨号网络和宽带IP城域网两个部分组成。窄带拨号网络通过PSTN网络的直达中继电路与拨号服务器连接,主要采用7号信令实现…     

氦-氖激光照射马的不同类型神经镇痛效果的对比观察

为了进一步探讨He-Ne激光照射马的不同类型神经(感觉神经、运动神经、混合神经及颈根部迷走交感神经干)镇痛效果的差异,并总结其规律性,为镇痛效果的机理研究打下基础,我们做了如下试验.先将眶下神经(感觉神经)、面神经(以运动神经为主的混合神经)、副神经(运动神经)及颈根部迷走交感神经的神经干暴露,然后用功率为6毫瓦×2的He-Ne激光以50厘米的距离将光斑直接对准已暴露的神经干进行照射.镇痛效果用钾离子痛阈测     

应用试验报告

一、概述本世纪六十年代末由于光敏抗蚀干膜(简称干膜)这种新型电子化工材料的问世,开拓了电子工业印制电路生产的新纪元,从而大大提高了印制电路密度、精度和可靠性,由此受到人们极大的重视。近年来,我国干膜的研制和应用也取得了较大的进展。无夕电影胶片厂和重庆东方红试剂厂水溶性干膜生产已达到小批量的规模。干膜应用工艺即图形电镀一蚀刻工艺也巳日趋完善。     

互联网络与卫星通信

空间技术在互联网络发展中的作用 空间技术在互联网络发展中的作用有二:一是提供不同方式(静止与移动)、不同数据率(窄带低速率和宽带高速率)的通信手段;二是利用各种空间遥感手段为互联网络提供丰富的信息资源(如GIS系统等)。 光缆通信与卫星通信都是干线传输的重要手段。目前我国2.5GbpS数据率的光缆通信系统已接近实用化,并已开始研制10Gbps的SDH光缆通信系统。光缆通信具有抗电磁干     

使用信道预测技术提高HSDPA系统性能

HSDPA(High Speed Downlink Packet Access：高速下行分组接入)是第三代移动通信系统WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access)的演化技术。本文提出应用信道载干比预测技术，为HSDPA系统提供信道的将来信息，从而减小实际中载干比估计的误差。仿真结果表明信道预测技术可以有效提高系统的吞吐量。     

IC封装基板市场蓬勃发展

目前IC封装技术的发展主流是:倒装芯片(Flip Chip,FC)、晶片级(Wafer Level)封装及铜制程相关的封装技术。其中,倒装芯片技术近几年在国外已得到很大发展,许多企业已相继投入开发。而晶片级封装技术因具有短小轻薄、高的电气特性及低廉的制造成本等优点,预计在未     

BCM1103：千兆以太网IP电话芯片

博通公司发布一枚互联网协议(IP)电话芯片BCM1103。该芯片把干兆以太网(GbE)交换、端到端安全、先进服务质量(QoS)技术和增强处理性能集成在一块芯片设计中。这种高度集成的IP电话芯片具有新的以太网交换能力，它能够使配置在干兆以太网网络上的IP电话实现最大吞吐量。     

半导体微细加工技术——加工方法及潜在的可能性

目前的半导体器件是采用在硅片衬底上制作微细尺寸图形的方法制造的。图形的最小尺寸现在已达到3μm左右,但是今后的要求是1～2μm甚至更小的亚微米。这样的微细尺寸加工,靠以往的技术改良是困难的,必须研究一种新的技术。本文所介绍的正是作为此种技术的电子束、远紫外线、X射线的各种曝光技术,并概要说明了所用的新感光材料(抗蚀剂)和干刻蚀技术,同时简单地叙述了未来的动向。     

CEO面临的尴尬:如何应对职街膨胀现象

对于首席执行官(CEO)、首席财务官(CFO)以及首席运营官(COO)等头衔,我们都已经很熟悉,并且现在也已开始使用首席技术官(CTO)、首席市场官(CMO)、首席多元化官(CDO)等称谓.     

用于HDI的新型感光抗蚀材料与图形转移技术

随着高密度互连(HDI)技术的发展,IC封装密度的提高,高解析度(分辨率)、均一性良好的超薄感光抗蚀膜成为必然需求,文中介绍了电沉积技术(ED)成膜的方法、原理以及相应的图形转移技术,并与传统干膜、旋涂成膜工艺进行对比,结果表明ED膜具有良好的粘附力、很高解析度以及精确的图形精度。     

湖南电信级IP网络优化策略及建议

1湖南电信IP网络的现状及面临的问题目前,湖南电信的IP网络包括省干IP网络和本地IP网络(窄带拨号、宽带IP)两部分,主要采用IP路由、以太网交换、POS、xDSL等技术组建IP网络。省干IP网络主要采用Cisco的GSR系列路由器,利用POS技术,通过双星型结构,主用2郾5Gbit/s、备用155Mbit/s链路组建,所有传送链路都承载在省干DWDM网上,因此省干IP的扩展能力、增值业务的开放能力都较强,能够满足业务发展的需求。本地IP网络由窄带拨号网络和宽带IP城域网两个部分组成,窄带拨号网络通过PSTN的直达中继电路与拨号服务器连接,主要采用No…     

SMD技术向高端的发展趋势

引言 电子整机在小型化、便携式、多功能、数字化以及高可靠、高性能方面的需求,进一步推动表面贴装型元器件(SMD)技术向集成化迅速发展。原有的单一功能片式元器件无论从尺寸或功能、性能、可靠性等均远远不能满足需求。SMD采用混合微电子技术,进一步向混合集成化发展,已成为必然趋势。其中应用最多的是低温共烧陶瓷(LTCC)技术、多芯片组件(MCM)技术以及球栅阵列(BGA)封装技术、芯片尺寸封装(CSP)技术。