用于氮化铝陶瓷基片的电子浆料

研制了用于ＡｌＮ陶瓷基片的导体银浆和电阻浆料。采用低ＰｂＯ含量晶化玻璃料配制银导体浆料，玻璃软化点４３０～４５０℃。电阻浆料采用ＰｂＯ（质量分数小于６％）的晶化玻璃料Ｂ、Ｃ、Ｄ三种，软化点分别为５２０℃、６９０℃、６１０℃。改变ＲｕＯ２与玻璃相的质量比，能控制电阻浆料的方阻值。质量比在５０比５０至１５比８５之间。加入添加剂ＭｎＯ２可改善电阻浆料的ＴＣＲ，阻值在２０Ω／□～１ＭΩ／□范围内，ＴＣＲ绝对值小于２００×１０－６／℃。     

RuO_2厚膜电阻体的阻值与TCR的关系

ＲｕＯ_２厚膜电阻体方阻Ｒ_ｓ、基片的热膨胀系数ａ_（ｓｕｂ）与ＲｕＯ_２厚膜电阻体的电阻温度系数ＴＣＲ间有一定的关系，讨论了从电阻体的Ｒ_ｓ计算其ＴＣＲ之方法。     

ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征

本文利用化学共沉淀法分别制得Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２以及Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ｓｂ（ＯＨ）３、Ｂｉ（ＯＨ）３、Ｓｎ（ＯＨ）４、Ｃｏ（ＯＨ）３、ＭｎＯ（ＯＨ）２两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ＺｎＯ及相应的添加剂陶瓷复合粉体．ＴＥＭ分析结果表明：两种陶瓷复合粉体的粒径均小于１００ｎｍ．利用前者,通过添加适当的Ａｌ２Ｏ３和ＭｇＯ,制备出了电阻率约１０～２０００Ω·ｃｍ,Ｖ－Ｉ特性较好的ＺｎＯ线性陶瓷电阻．利用后者,通过适当的杂质配比,在１００     

用于低温共烧陶瓷表面的电阻浆料

研究了导电相和玻璃相对低温共烧陶瓷表面电阻的阻值、温度系数和稳定性的影响，分析ＬＴＣＣ基板与电阻层之间的相互作用而导致电阻阻值变化的机理。结果表明，选择ＲｕＯ２为导电相，含适量ＰｂＯ和ＳｉＯ２的铅硅硼系玻璃为玻璃相，能制得性能较好的适用于ＬＴＣＣ表面的电阻浆料。浆料中加入ＭｎＯ２添加剂能调整电阻的温度系数。     

镁掺杂对ZnO-Al_2O_3系陶瓷性能的影响

运用回归数学分析并结合ＳＥＭ观测结果，对影响ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３系陶瓷电阻及阻－温特性的线性化机制进行了探讨。研究表明，Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ的掺杂及烧成工艺均对材料的电阻率和电阻温度系数有较为明显的影响，镁掺杂对材料的电子激活能有较大的影响，当材料的电子激活能值较低时，通过回归处理发现其阻－温特性具有较好的线性，符合麦克劳林公式。     

低电阻率介质层制备低压驱动薄膜电致发光器件的研究

采用Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２，５ａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３复合介质制备出２低压驱动ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，它的阈值电压在４０Ｖ以下。当驱动电压国６０频率为５０Ｈｚ时，发光亮度在３００ｃｄ／ｍ＾２以上，发光层中平均电场强度为１０＾５Ｖ／ｃｍ数量级。这种器件具有其独特的亮主压特性、频率特性和电荷存储量－电压特性。     

厚膜线性NTC热敏电阻器的研究

普通ＮＴＣ热敏电阻器的阻－温特性呈指数变化,用于测温、控温和温度补偿很不方便,而ＮＴＣ线性网络又相当复杂。借鉴普通ＮＴＣ热敏电阻器线性化的机理,能够使宏观上的热敏电阻器与普通电阻器的串并联,在微观上得以实现以Ｍｎ－ＣＯ２Ｏ４和ＣｏＭｎ１．５Ｎｉ０．５Ｏ４为热敏相,适当的ＲｕＯ２为导电相,硼硅玻璃为玻璃相,用厚膜陶瓷工艺制成了厚膜线性ＮＴＣ热敏电阻器。     

一种适合于ASIC应用的新的工艺技术—CMOS逻辑VLSIE^2PROM的单片集成

我们开发了一种新的工艺技术，实现了在ＣＭＯＳ ＶＬＳＩ制造中嵌入Ｅ＾２ＰＲＯＭ的制造技术。在此新工艺中，制造的是单层多晶硅的Ｅ＾２ＰＲＯＭ。与传统的双层多晶硅Ｅ＾２ＰＲＯＭ的工艺相比，减少了２５％的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层，可以缩小在ＣＭＯＳＶＬＳＩ中嵌入的Ｅ＾２ＰＲＯＭ的器件尺寸。器件工作电压范围宽为１．５－６Ｖ，静态电流低于１００ｎＡ。     

MOD－SnO_2酒敏元件研制

采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法制备了ＳｎＯ_２酒敏元件，ＸＲＤ和ＡＥＳ谱表明热处理后己酸亚锡已转化为ＳｎＯ_２。此外还证实ＳｎＯ_２元件的内电势是加热丝偏位引起的热电势。元件的主要技术指标为：灵敏度＞８，选择性＞６，响应时间＜５ｓ，恢复时间＜３０ｓ。     

创新推出8倍速DVD-ROM套件

创新公司的ＤＶＤ－ＲＯＭ套件又将升级,配备８倍速ＤＶＤ－ＲＯＭ的ＰＣ－ＤＶＤＥｎｃｏｒｅ８Ｘ即将上市。ＰＣ－ＤＶＤＥｎｃｏｒｅ８Ｘ套件包括一个８ＸＤＶＤ－ＲＯＭ和一块采用Ｄｘｒ３技术的ＭＰＥＧ２解压缩卡,能提供效果上佳的硬件ＭＰＥＧ２解压缩的影音播放效果。创新的ＤＸＲ３（ＤｙｎａｍｉｃＸｔｅｎｄｅｄＲｅｓｏｌｕｔｉｏｎ３）技术,除了能完成硬件ＭＰＥＧ２解压缩外,还可将ＤＶＤ影片普遍使用的ＡＣ－３５．１声道数码音效输出,再通过ＡＣ－３解码器由５．１声道音箱输出相当于影院的效果,该卡还配有Ｓ／ＰＤＩ…     

MOD－SnO_2酒敏元件研制

采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法制备了ＳｎＯ_２酒敏元件，ＸＲＤ和ＡＥＳ谱表明热处理后己酸亚锡已转化为ＳｎＯ_２。此外还证实ＳｎＯ_２元件的内电势是加热丝偏位引起的热电势。元件的主要技术指标为：灵敏度＞８，选择性＞６，响应时间＜５ｓ，恢复时间＜３０ｓ。     

激光快速凝固条件下Al- 5.6wt% Mn合金的组织选择规律研究

利用 ５ｋＷ ＣＯ_２激光器对 Ａｌ－５．６ｗｔ％Ｍｎ合金进行表面重熔实验,并对熔池的形貌和微观组织进行了分析研究。实验结果表明;重熔区组织较基体组织大大细化,随着生长速度的增大,重熔区组织由Ａｌ６_Ｍｎ枝晶向α（Ａｌ）＋Ａｌ_６Ｍｎ共晶、α（Ａｌ）胞／枝晶及完全无偏析固溶体转变。熔池中存在的对流和激光扫描过程中工作台运动的不稳定造成了熔池表面波纹状组织和熔池中三维条带状组织的出现。     

类氖离子AlⅣ－XVI2s~2p~54f，5f能级跃迁的理论研究

类氖离子ＡｌⅣ－ＸＶＩ２ｓ~２ｐ~５４ｆ，５ｆ能级跃迁的理论研究陈宏善，赵仪，董晨钟（西北师范大学物理系，兰州７３００７０）最近，我们用相对论组态相互作用方法详细分析了类氖离子ＡｌⅣ－ＭｎＸＶ２ｓ２ｐ~６３ｌ与２ｓ~２２ｐ~５ｎｌ（ｎ＝４，５，６）之间的?..     

SnO2-MgO-Nb2O5压敏材料系电学性质研究

对一种新的压敏材料ＳｎＯ２－ＭｇＯ－Ｎｂ２Ｏ５陶瓷进行了初步的研究。实验结果表明,本系列材料具有优异的介电性能,室温介电常数为１４０￣６００,也具有较好的压敏性,其非线性系数最大值达到６．３。     

半导体IC及分立器件

２．５Ｇｂｐｓ互阻／限幅放大器ＭＡＸ３８６６集互阻前置放大器与限幅放大器于一体,内部带有功率失效检测电路,模拟输入带宽为１．８ＧＨｚ,适用于２．４８８ＧｂｐｓＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ系统。采用单电源＋３．３Ｖ或＋５Ｖ供电,提供差分输出信号,为达到低噪声、高速率的性能要求,差分输出各反相端匹配电阻为５０（差分终端匹配电阻力１００）。ＭＡＸ３８６６与ＰＩＮ光检测器配合使用时,检测灵敏度可达－２２ｄＢｍ。典型应用电路如图所示。Ｍａｘｉｍ公司网址：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｍａｘｉｍ－ｉｃ．ｃｏｍ,电话：（１０）…     

钌酸盐中阻浆料

钌酸盐中阻浆料导电相的选用比较复杂。用钌酸铋、钌酸铅和ＲｕＯ２作导电相，制成浆料后，对导电相组分不同的浆料的电性能进行了分析比较。用ＲｕＯ２、Ｂｉ２Ｏ３和ＰｂＯ合成物作导电相的浆料具有令人满意的电性能。     

添加剂对Fe—Cu系陶瓷材料负阻特性的影响

文章介绍了以Ｆｅ２Ｏ３和Ｃｕ２Ｏ为主成分的陶瓷材料的负阻特性，分析论述了Ｃｏ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３以及ＭｎＯ２掺杂对Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料负阻性能的影响，实验制得负阻系数ｎ＞１０，电压Ｖｐ＞２００的负阻性能良好的陶瓷材料。     

掺杂对MnCoNi系NTC热敏电阻器稳定性的影响

讨论了Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２掺杂对ＭｎＣｏＮｉ系ＮＴＣ热敏电阻器性能的影响。以ＭｎＣｏＮｉ系为基，掺入适量上述物质后，其老化稳定性均提高，其中Ｃｒ２Ｏ３掺杂可使老化稳定性提高６６．２％，效果显著。同时，阻－温特性变化规律同传统ＭｎＣｏＮｉ系材料一致，室温阻值及Ｂ值略有增加。     

全耗尽CMOS／SIMOX器件研制

在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ和ＮＭＯＳ的漏电分别达到３．Ｏ×１０－１１Ａ／μｍ和２．２×１０－１０Ａ／μｍ。５Ｖ时，例相器的平均延迟时间达６ｎｓ。     

MgF_2·SrF_2掺杂PZN－BT陶瓷

适量掺入ＭｇＦ_２·ＳｒＦ_２有效地降低了０．８５ＰＺＮ（Ｐｂ（Ｚｎ_（１／３）Ｎｂ_（２／３））Ｏ_３）－０．１５ＢＴ（ＢａＴｉＯ_３）材料的烧结温度并得到了介电常数－温度特性接近于Ｘ７Ｒ特性标准的瓷料。在很宽的温度范围内出现了双介电常数峰。这种现象可从材料的纳米结构出发，用超顺电态的概念来描述。