TMS320VC33实现对Flash存储器的擦写设计

本文以具体的项目为实例,介绍在CC3000开发环境下,数字信号处理器(DSP)对AM29LV400B Flash存储器的烧写、擦除等操作的实现,并介绍在开发系统下打开文件,将文件数据烧写到Flash存储器的方法。     

基于Flash（闪存）的系统自举设计

基于Flash(闪存)进行自举启动的信号处理系统中，Flash芯片的工作正确与否至关重要。针对如何进行自举启动系统软件设计问题，基于所研制的DSP语音通信系统结构，介绍了系统主处理器——高速定点数字信号处理器TMS320C5410，存储系统软件的闪速存储器M29W400T，着重介绍了存储器的映射原理，基于Flash的系统自启动原理，以及在调试过程中碰到的各种实际问题和提出的解决办法，最后给出实验结果。     

串行Flash在图像存储系统中的应用

介绍串行SPI接口Flash存储器M25P64的工作原理,利用该Flash作为FPGA的代码配置芯片,同时用作图像存储系统的存储器.在图像采集系统中,利用DDR SDRAM存储器作为帧缓存,将需要存储的图像先写入DDR存储器,写入一帧图像后,从DDR中每次连续读出一行图像数据至Flash写缓冲,经Flash控制器模块写...     

TMS320VC5402的16位并行引导的设计与实现

引导电路是DSP（数字信号处理器）应用系统的重要组成部分,在工程上希望设计出硬件结构简单、性价比高和工作稳定的引导电路。设计了TMS320VC5402DSP的16位并行引导电路,该引导电路采用Flash存储器AM29LV800B存放引导表,DSP与Flash存储器之间仅用一片非门集成电路74HC04进行连接,电路非常简单,成本低,经过实际制作和实验证实,该并行引导电路工作稳定可靠,具有一定的实用价值。并介绍了存放引导表的Flash存储器的编程软件和引导的操作过程。     

Flash存储器技术与发展

Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器，它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和系统的电可擦除性等优点，是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对Flash存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。     

基于TMS320C6713及AM29LV800B的上电自举设计

基于DSP的系统设计中,由于部分DSP内部无非易失性存储器,为了保证该系统设计掉电时程序不丢失,因此必须外部扩展ROM或Flash用于存储数据.以TMS320C6713型浮点DSP和AM29LV800B型Flash存储器为例,阐述了上电自举的硬件设计,JTAG程序加载,上电自举过程,Flash的擦除及烧写,链接命令文件和编写,并详细说明各部分相互联系及作用.     

基于TMS320C6713及AM29LV800B的上电自举设计

基于DSP的系统设计中．由于部分DSP内部无非易失性存储器,为了保证该系统设计掉电时程序不丢失,因此必须外部扩展ROM或Flash用于存储数据。以TMS320C6713型浮点DSP和AM29LV800B型Flash存储器为例,阐述了上电自举的硬件设计,JTAG程序加载,上电自举过程,Flash的擦除及烧写,链接命令文件和编写,并详细说明各部分相互联系及作用。     

Flash存储器抗60Co γ射线总剂量能力的分析

为了比对分析多家厂商生产的NAND型Flash存储器的抗辐照能力和数据保持能力,选择了3种规格(代号为A,B和C)的商业级Flash存储器作为研究对象,设计了故障测试算法,研究了3种Flash存储器的抗6Co γ射线总剂量的能力.首先研究了存储器经常出现的各种故障模型,并设计了相应的故障测试算法;其次搭建了以数字信号处理器(DSP)为核心的硬件测试电路;最后以6Co γ射线作为器件的辐照源,利用设计好的故障测试算法对辐照环境下的Flash存储器在总剂量值每增加10 krad (Si)后进行一次故障检测.结果显示,B和C器件在总剂量值达到20 krad (Si)时开始出现故障,40 krad (Si)时出现数据的0→1翻转,70 krad(Si)时翻转率高于2％;A器件在40 krad (Si)时开始出现故障,70 krad (Si)时出现0→1翻转,翻转率为0.6％.从抗辐照能力和数据保持能力两个角度观察认为,商业级的A器件要优于B和C器件.     

TMS320VC5402系统的Flash存储器并行自举与实现

在一些脱机运行的数字信号处理器(DSP)系统中,用户代码需要在加电后自动装载运行闪速(Flash)存储器并行自举是DSP入门套件(DSK)脱机工作的首选方法.通过基于DSK这种为开发人员提供的低价格、独立的开发平台,以实现TMS320VC5402系统的Flash存储器并行自举为目的,分析了Flash存储器的读写操作、DSP的自举等相关原理,设计了两套基于不同DSP工作模式的Flash存储器自举方法,编写了完整的DSP程序,成功实现了两种自举方法,并以此为基础设计且实现了一套完整的基于Flash存储器的DSP并行自举引导系统,最后通过对一个简单实例的测试验证了该自举系统的可行性与有效性.     

嵌入式系统下的64位Flash驱动程序设计

电子设备中经常使用Flash存储器存储数据,这必须配备相应的驱动程序.常用的Flash存储器芯片都有现成的驱动程序,但这些驱动程序都是针对单片Flash存储器的,而在实际系统中为满足存储空间的需求,通常将多片Flash存储器拼起来,为方便上层程序读写数据,驱动程序中必须考虑地址对齐问题.基于VxWorks操作系统,采用MPC8240 CPU,提出了4×16位Flash存储器驱动程序设计方法,讨论了各种情况下的地址对齐问题,给出了程序流程和部分源代码,并为上层程序提供了两个接口函数.     

嵌入式微控制器MMC2107的Flash存储器扩展技术

以Motorola32位MCU MMC2107和AMD型Flash存储模块Am29LV800BB为基础讨论了32位嵌入式微控制器和Flash存储器的接口设计，给出了基本扩展原理、硬件系统设计、软件编程方法及测试例程。文中对16位数据接口及32位数据接口的硬件设计分别进行了技术分析。重点讨论了32位数据接口的编程原理。     

HT48FxxE：Flash MCU

Holtek半导体推出工业级八位I／O型快闪微控制器（Flash MCU）HT48FxxE系列，快闪程序内存（Flash Program ROM）可重复10万次读／写，数据存储器EEPROM可重复100万次读／写，全系列皆符合工业上-40℃-85℃工作温度与高抗噪声的性能要求。     

MC68HC908GP32 MCU的Flash存储器在线编程技术

文章阐述了Flash存储器的主要特点，分析了Motorla M68HC08毓内嵌Flash存储器结构特点，以MC68HC908GP32MCU为例讨论了Flash存储器的编程要点，并给出了在线编程实例，对技术难点进行了分析。     

嵌入式Flash微控制器简介(下)

在近几年的嵌入市场中最重要的发展可能就是Flash MCU价格的下降。将Flash微控制器价格限制在1欧元以内的目标已经达到,并正在向0.50欧元的目标迈进。因此Flash微控制器越来越为需求量大但要求花费少的消费者所青睐。图1显示了嵌入式非易失性存储器的相对成本。价格并不是Flash微控制器的唯一优势。有效地整合Fla-sh存储器,它能以相同的尺寸达到更     

嵌入式Flash微控制器简介(上)

嵌入式Flash存储器获得的技术进步在本质上促进了微控制器(MCU)的应用,它显著地改变了微控制器市场。Flash技术结合使用了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能,可以使产品早日推阿市场,能够对那些难度较大的用户需求尽快作出反应。它是那些想要用最小开销来发挥EEPROM的最大灵活性的系统集成开发者的理想选择。     

Flash M25P64驱动开发与应用

M25P64是一款8 M字节串行Flash存储器.利用其诸多特性可为大容量数据存储提供一种解决方案.介绍了M25P64的主要特点,工作原理,驱动程序的开发以及典型应用实例.在其典型应用实例中,基于SPI接口的数据存储系统能简单有效稳定运行.     

嵌入式系统中使用串行Flash存储器作汉字字库的方法

在需要标准汉字库的场合一般使用并行口的存储器，但这些存储器芯片和CPU之间的接线复杂，本文介绍一种使用串行接口Flash存储器作为汉字库的方法。     

单片机系统中的Flash存储器及其数据管理方法

本文讨论了Flash存储器在单片机系统中的硬件接口方式和软件编程过程、大容量数据的组织管理方式以及为提高系统性能而采用的数据缓冲技术.并以W29C040为例,给出了实际原理图和有关实现.     

VxWorks系统下的NVRAM To Flash驱动程序设计

NVRAM(非易失性随机存储器)因其具有读写速度快、数据非易失的特点,常用来存取重要数据。在读写速度要求不高的场合,为降低成本,可用现有的Flash存储器来代替NVRAM,这需要提供NVRAM To Flash驱动。但现有的驱动效率不高,写数据速度太慢,给使用者带来不便。基于Vx-W orks操作系统,提出一种新的NVRAM To Flash驱动程序设计方法,该方法实现了NVRAM的两个接口函数,通过减少擦除Flash次数,提高了数据读写速度。     

一种高可靠大容量星载存储器的设计与研究

凭借着存储密度大和存储速率高的特点,基于NANDFlash的大容量存储器在星载存储领域得到了广泛的应用,由于NAND Flash本身存在缺陷,基于NAND Flash的大容量存储器在恶劣环境下的可靠性难以保证.提出了通过FPGA设计SRAM对关键数据三模冗余读取和缓冲、NAND Flash阵列热备份和数据的回放校验以及合理的坏块管理等措施,实现了高可靠性的大容量存储器.实验说明该系统不会因为外在偶然因素而造成数据的不完整,而且整个存储系统的成本开销相对于目前的星载存储器也非常低.