高效AlxGa_（1—x）As／GaAs太阳电池的研制及辐照效应

用液相外延（ＬＰＥ）技术制备了全面积转换效率为１８．６５％（１．０８ｃｍ２，ＡＭ０，１ｓｕｎ）及１７．３３％（２×２ｃｍ２，ＡＭ０，１ｓｕｎ）的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ（ｘ＞０．８）太阳电池，１ＭｅＶ电子辐照实验表明，浅结电池的抗辐照能力比深结的强，退火可以恢复辐照损伤．     

Cr,Tm,Ho：YAG晶体的光谱及其激光特性

本文报道１．０％Ｃｒ，６．０％Ｔｍ，０．４％Ｈｏ：ＹＡＧ晶体的吸收谱，荧光谱和该晶体的激光输出特性，用气压２×１０＾５Ｐａ的氙灯泵浦，频率１Ｈｚ，冷却水温１８￣２２℃，激光阈值为７３￣８４Ｊ，斜率效率为η＝２￣４％，单脉冲能量为１．４￣０．８Ｊ。     

AlGaAs基质氧化膜的生长及性质

利用ＡｌＧａＡｓ的水汽氧化技术（湿法氧化）成功地在ＡｌＧａＡｓ层上生长出基质氧化膜。测量表明：膜厚为１００－２００ｎｍ，折射率范围为１．６－１．８。该膜具有优良的电绝缘特性，电阻率大于１０＾１０Ω．ｃｍ击穿场强大于５×１０＾６Ｖ／ｃｍ。硅上用ＭＢＥ生长的ＱＷ－ＧａＡｓ材料在生长基质氧化膜后，经ＲＴＡ处理（１０５０℃１５ｓ）后，产生明显的ＩＩＬＤ（杂质诱导层无序）作用，ＧａＡｓ量子阱中ＰＬ峰蓝移...     

AlSiCu反应离子刻蚀技术

在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２和ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体，进行了ＡｌＳｉ０．８％－Ｃｕ２％的ＲＩＥ工艺研究，详细讨论了影响工艺的诸多因素，涉及ＡｌＳｉＣｕ材料本身结构的差异，ＲＩＥ工艺各参数，后处理等许多方面；给出实用化的工艺程序；最小加工线宽达到２μｍ，体刻蚀速率达８７０ｎｍ／ｍｉｎ，均匀性±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２的刻蚀选择比为４∶１，对ＡＺ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于１．８∶１；该工艺使用效果良好，达到实用化水平。     

Co34Cu66颗粒膜的磁光性质研究

详细研究了Ｃｏ３４Ｃｕ６６颗粒膜在不同退火温度下的磁光性质．结果表明：未退火时在测量的能量范围内,位于３．８ｅＶ处有一θｋ峰．随着退火温度的升高,θｋ有不同程度的增加,当退火温度高于２００℃时,可以观察到在２．１ｅＶ附近出现一个θｋ的增强峰．其中２．１ｅＶ处的峰来源于Ｃｕ的带间跃迁,３．８ｅＶ处的峰来源于Ｃｏ．面内和极向Ｋｅｒｒ回线的测量表明：经退火后Ｃｏ颗粒变成平行于膜面的盘状     

空气中烧成的镍导体及其应用

将空气中烧成的镍导体用于散热制冷片制作工艺中，可降低成本，提高合格率。通过实验得到的最佳值为：镍导体中４号玻璃（ＳｉＯ２＞３０，Ｂ２Ｏ３＞１０，ＰｂＯ＜５５，ＴｉＯ２少许）的含量４．５％，化学镀镍时间５０ｍｉｎ，方阻４７．５ｍΩ／□，附着力８．１Ｎ／ｍｍ２。     

紫膜LB膜中三波混频和前向相位共轭

在纯紫膜ＬＢ膜中实现了三波混频和光学前向相位共轭输出，分析了前向共轭光强度和信号光，泵浦光强度的关系，估算出了紫膜ＬＢ膜非线性折射率ｎ２＝３．８×１０＾６ｍ＾２／Ｗ．实验还观察到了高次光学非线性输出。     

世界连接器市场成绩亮丽──十大企业占尽优势,亚太地区奋趋争宠

据美国连接器市场研究公司Ｂｉｓｈ－ｏｐ＆Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ统计，１９９５年世界连接器市场为２０４．８４亿美元，与１９９４年的１６７．８３亿美元相比，增长２２．１％，而１９９４年的增长率为８％，是１９８７年（１０．５％）以来世界连接器工业增长最快的一年、１９９５年亚太地区是增长率最高的地区，达３７．８％。连接器市场按地区划分如表１所示。北美占全世界连接器市场的份额在过去十年里从３９％下降至３７．１％，据预测还会继续下降，到２０００年将降至３６．２％，而亚太地区的市场份额则从十年前６．２％增至１…     

数控衰减器研究

应用ＣＡＡ技术研究模拟了ＰＩＮ二极管的电参数特性，并用于数控衰减器的ＣＡＤ。频率范围：１．０～１．７ＧＨｚ，衰减范围：２，４，８，１６ｄＢ，插入损耗≤２．３ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．０。     

彩色显像管白场不均匀性及对策

通过严格配气和控温，对新红星苹果气调贮藏进行了研究。结果表明，在温度由起始１５℃和１０℃逐渐降至０℃，ＣＯ２由起始１２％逐渐降至６％，Ｏ２为３％条件下，新红星苹果贮藏６个月，保鲜效果好于０℃冷藏，比标准气调稍差。另外，研究认为在入贮初期难以降至０℃的贮藏设施中贮藏新红星苹果，必须要用有气调作用的包装材料，才能取得好的效果。     

Fe膜流化法制备FeS2薄膜

由于ＦｅＳ２具有窄的禁带宽度（Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）和高的吸收系数（ａ〉６×１０＾５ｃｍ＾－１），使它成为一种很有发展前途的太阳能材料。本文主要介绍了用射频溅射制备铁膜，然后在真空中（１０＾－１Ｐａ），通过控制时间和温度进行硫化。经ＸＲＤ和ＡＥＳ对薄膜进行分析，表明试样在硫化温度Ｔ＝４００℃，时间ｔ＝４８ｈ的条件下，Ｆｅ膜转变为ＦｅＳ２膜。     

高效高重复率Q－YAG倍频脉冲激光器泵浦钛宝石激光器输出特性的研究

用国产声光调Ｑ－ＹＡＧ倍频脉冲激光器泵浦钛宝石激光器，从理论和实验上研究了该激光器的输出特性，泵浦功率为８．１Ｗ时获得了２．０８Ｗ的钛宝石光脉冲输出，稳定的斜度效率为３０％。     

高温超导带通滤波器

本文报道用ＬａＡｌＯ２衬底ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７高温超导薄膜研制的四极平行耦合带通滤波器。在７７Ｋ测试，结果为：中心频率为８．９６ＧＨｚ，带内插入损耗为０．５４ｄＢ，带宽为５００ＭＨｚ。文中还讨论了设计制作高性能微带滤波器应注意的问题。     

AN80LXXRMS系列低降落正输出电压调节器

１概述ＡＮ８０ＬＸＸＲＭＳ系列产品是日本松下公司生产的带有复位功能的正极输出电压调节器集成电路。它的输出电流为０．１５Ａ ,具有２０个可供选择的输出电压 ,分别为 :１．８Ｖ、１．９Ｖ、２．０Ｖ、２．１Ｖ、２．２Ｖ、２．５Ｖ、２．８Ｖ、２．９Ｖ、３．０Ｖ、３．１Ｖ、３．２Ｖ、３．３Ｖ、３．４Ｖ、３．５Ｖ、３．６Ｖ、４．８Ｖ、４．９Ｖ、５．０Ｖ、５．１Ｖ和５．２Ｖ。ＡＮ８０ＬＸＸＲＭＳ系列集成电路采用小型表面装贴５脚塑料封装。体积小 ,重量轻。特别适合于小型便携式设备和各种仪器仪表的电源系统。ＡＮ８０ＬＸ…     

近中红外探测器增透研究

为提高以ＧａＡｓ 为基底的中红外探测器的综合性能,从理论上验证了在ＧａＡｓ 基底上镀ＴｉＯ２ ｓｏｌ－ｇｅｌ纳米颗粒膜能够较大幅度地提高ＧａＡｓ 红外透过率,并在实验中获得了适合于镀膜的稳定ＴｉＯ２ 纳米颗粒溶胶,有效控制镀膜工艺参数,在ＧａＡｓ 基底上成功地镀上了合适的ＴｉＯ２ｓｏｌ－ｇｅｌ膜,实现了增透效果,在２．５～６．０μｍ 波段内,透射比的最大值由未镀膜的５６％ 提高到镀膜后的９４％ ．     

数控衰减器研究

应用ＣＡＡ技术研究模拟了ＰＩＮ二极管的电参数特性，并用于数控衰减器的ＣＡＤ，频率范围：１．０～１．７ＧＨｚ，衰减范围：２，４，８，１６ｄＢ，插入损耗≤２．３ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．０。     

2～3μm AlSi的反应离子刻蚀及实用化技术研究

在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２、ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体进行了Ａｌ－Ｓｉ１．２％的反应离子刻蚀，研究了各参数对刻蚀结果的影响。在此基础上，本文着重围绕线宽控制和后处理等关键性问题进行了实用化应用研究，并得到了最佳的刻蚀程序。最小加工线条宽度达到１．５μｍ，实用达２～３μｍ，体刻蚀率大于１μｍ／ｍｉｎ，均匀性小于±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２和ＡＥ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比分别达８：１和３：１。此技术已用于多种多批量电路的制作工艺之中，效果良好。     

Fe膜硫化法制备FeS_2薄膜

由于ＦｅＳ２具有窄的禁带宽度（Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）和高的吸收系数（α＞６×１０５ｃｍ－１），使它成为一种很有发展前途的太阳能材料。本文主要介绍了用射频溅射制备铁膜，然后在真空中（１０－１Ｐａ），通过控制时间和温度进行硫化。经ＸＲＤ和ＡＥＳ对薄膜进行分析，表明试样在硫化温度Ｔ＝４００℃，时间ｔ＝４８ｈ的条件下，Ｆｅ膜转变为ＦｅＳ２膜     

世界半导体业走出挫折

据美国半导体工业协会报道；１９９８年世界半导体市场下降了８．４％，计１２５６亿美元，除欧洲微增１．１％之外，美、日、亚太地区统统下降，各大公司不得不冻结投资，调整生产，但从去年第４季度开始出现复苏迹象，世界市场比上一季反弹了１０．５％，尤其是欧、日和亚太地区都出现了两位数增长。预计１９９９年将增长６．６％；达１４００亿美元。今年１月的实绩比去年同期增长了１．２％，更是１年来首次出现的正增长，特别是亚太地区急增９．１％，欧洲增长２．８％，美洲２．９％，只有日本下降了２．５％，人们终于见到了半导体业…     

环行倍频稳频Nd：YAP激光器

采用同时满足热不灵敏与最佳倍频条件的六镜及四镜８字型环行谐振腔，设计了内腔倍频稳频Ｎｄ：ＹＡＰ激光器。六镜腔与四镜腔分别在输入１．４４ｋｗ和１．２ｋＷ电功率的情况下，获得了８００ｍＷ与５８０ｍｗ的单频倍频光（λ＝０．５４μｍ），功率波动小于±２．５％与±２％，频率稳定性优于±１．９ＭＨｚ与±１ＭＨｚ。