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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
铁电及反铁电液晶显示   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍铁电液晶及反铁电液晶显示的特点,对铁电液晶显示器中,分子排列不易均匀和容易受振动而破坏的难题,提出了解决办法,指出铁电液晶显示器和反铁电液晶显示器具有很好的发展前景。  相似文献   

2.
表面双稳铁电液晶中的层结构   总被引:2,自引:2,他引:0  
从铁电液晶( F L C)的物性出发, 描述了表面双稳铁电液晶( S S F L C)显示结构原理和相应特点; 系统地介绍了 S S F L C 中的液晶层结构分类及相关特征。阐述了不同层结构对液晶器件双稳态的获得及电光特性的影响。  相似文献   

3.
反铁电液晶(AFJC)很有希望应用于平板显示,因为它比Clard和Lagerwall二人在(铁电液晶(FLCs)中发现的双稳态开关至少还多一个稳定态,确定这种集合模式(col-lective modes)的起因将有可能对这些材料做进一步改进,以提高它们的开关速度进而增加这些团料在显示器和光电装置中的应用.  相似文献   

4.
反铁电液晶(AFLC)很有希望应用于平板显示,因为它比Clark和Lagerwall二人在(铁电液晶(FLCs)中发现的双稳态开关至少还多一个稳定态.确定这种集合模式(collective modes)的起因将有可能对这些材料做进一步改进,以提高它们的开关速度进而增加这些材料在显示器和光电装置中的应用.  相似文献   

5.
介绍一组零场双稳态液晶显示器的基本原理和结构。本节着重介绍方位角双稳态向列相液晶显示器的原理,制作和实验。  相似文献   

6.
本文简要综述了铁电液晶研究的现状,报道了铁电液晶显示器目前的发展,介绍了铁电液晶显示的研究新动向。  相似文献   

7.
彩色滤波膜、透明导电膜,表面稳定的铁电液晶取向膜等构成了彩色铁电液晶显示器的主要材料。文章论述了彩色铁电液晶显示器的制造和性能,制出的铁电液晶显示器,其对比度达84:1,上升时间为110μs,下降时间为76μs。  相似文献   

8.
介绍一组零场双稳态液晶显示器的基本原理和结构。本节着重介绍顶点双稳态向列相液晶显示器的工作原理和制作。  相似文献   

9.
胆甾相和铁电相液晶对于制备双稳态LCD不是必需的,而采用传统的向列相液晶却有些显著的优势。  相似文献   

10.
介绍一组零场双稳态液晶显示器的基本原理和结构。本节着重介绍扭曲向列相双稳态液晶显示器的原理、制作和实验。  相似文献   

11.
王天鹤  刘舒扬  张晨  贾晓东 《红外与激光工程》2019,48(10):1017003-1017003(7)
针对传统高光谱成像系统体积质量大、光机结构复杂、成本高等缺点,亟待微小型化的需求,开展高光谱成像芯片中布拉格反射镜设计和制备的研究,根据布拉格分布膜系理论开发的多层膜系结构的模拟器,并根据结构设计完成了5层和7层膜系布拉格反射镜的制作,利用可见/近红外分光光度计,对布拉格反射镜的反射率进行测量,与模拟器进行对比,由于布拉格镜的实际制备存在瑕疵,导致误差 3%,多层膜系结构模拟器可以指导实际布拉格反射镜的制备,为高光谱成像芯片化奠定基础。  相似文献   

12.
绝缘体上压电单晶薄膜结构材料(POI)为研制高性能、可集成的声表面波(SAW)器件提供了新的解决途径和方案,可满足射频(RF)前端在集成化、小型化发展趋势下对新一代压电声学器件的需求。该文介绍了POI的制备工艺技术。总结了基于铌酸锂/钽酸锂 POI(LN/LT POI)多层结构的高性能SAW器件的最新研究成果,并展望了其未来的发展。  相似文献   

13.
PZT(Zr/Ti=52/48) ferroelectric films are prepared by a new modified Sol-Gel method from three stable-separated Pb2+, Zr4+, Ti4+ precursor-monomers. This method needs no distillation and has the advantage of easy change of the Pb2+/Zr4+/Ti4+ stoichiometric. In the paper we also investigate PT seeds influence on ferroelectric properties, crystallographic structures and surface morphologies, and find the bottom/up PT seeds structure prompte PZT crystallization and have superior ferroeletric properties. The paper introduce a method to deduce and calculate lattice constant by least square method, then the more accurate lattice constant a0 can be got from X-ray diffractometer (XRD) analysis data. We also discover that grain sizes of PZT film calculated from XRD data are much closed to those of AFM, and the film a0 is relatively small due to crushing stress.  相似文献   

14.
采用俄歇电子能谱 ( AES)和傅里叶红外光谱 ( FTIR)分析低温 PECVD法形成纳米级 Si Ox Ny 介质膜的微观组分结构及其与制膜工艺间关系 ,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。研究结果表明 :该介质膜中氮、氧等元素均匀分布 ,界面处元素含量变化激烈 ;高、低反应气压变化对膜内微观组分影响有异 ;该薄膜是既含有类似 Si3N4 、又含有类似 Si O2 的非晶状态 ,呈现无序网络结构 ;随着含氮量或含氧量的增多 ,该膜分别向Si3N4 或 Si O2 成分较多的结构转化 ;优化制膜工艺形成的富氮 Si Ox Ny 膜的性能与结构方面得到提高。  相似文献   

15.
PZT(Zr/Ti=52/48) ferroelectric films are prepared by a new modified Sol-Gel method from three stable-separated Pb2+, Zr4+, Ti4+ precursor-monomers. This method needs no distillation and has the advantage of easy change of the Pb2+/Zr4+/Ti4+ stoichiometric. In the paper we also investigate PT seeds influence on ferroelectric properties, crystallographic structures and surface morphologies, and find the bottom/up PT seeds structure prompte PZT crystallization and have superior ferroeletric properties. The paper introduce a method to deduce and calculate lattice constant ( by 'least square method', then the more accurate lattice constant a0 can be got from X-ray diffractometer (XRD) analysis data. We also discover that grain sizes of PZT film calculated from XRD data are much closed to those of AFM, and the film a0 is relatively small due to crushing stress.  相似文献   

16.
电磁屏蔽材料能够限制电磁能量的传递、规避电磁干扰以及降低泄密风险,在国防和民用领域的应用日益增长。石墨烯有着独特的二维结构及优异的物理化学特性,正适用于当下快速发展的柔性电子器件。文章基于电磁屏蔽基本理论,按照纯石墨烯薄膜和石墨烯基复合薄膜的分类,着眼于设计思路和制备方法,综述了近年来石墨烯基电磁屏蔽薄膜材料的研究进展,并针对应用需求,对其发展前景进行展望。  相似文献   

17.
硫化锌薄膜的微结构和表面特性研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
对射频磁控溅射法制备的掺铒硫化锌薄膜,运用X射线衍射和X射线光电子能谱技术,获得微晶薄膜的微结构和表面构态信息,揭示了电致发光薄膜的表面构态对激发态的影响。  相似文献   

18.
对片式有机电容器的种类、结构与发展方向进行了简要介绍,详细介绍了不同品牌电容器的规格、技术指标和用途,具体分析了新型结构的片式有机电容器关键材料的特性、工艺技术要点,指出了国产化电容器因市场需求、设备与人才等因素而将面临机遇与挑战。  相似文献   

19.
采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/A l/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002) ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO 薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征 ,采用 扫描电镜(SEM)对ZnO薄膜进行表面形貌表征,并从薄膜生长机理角度进行了分析。结果 表明,加Al薄膜有利于ZnO薄膜按(002)择优取向生长,并且ZnO 薄膜的结晶性能提高;与(002)ZnO/Si结构基片相比,当Al薄膜 厚为100nm时,(002)ZnO/Al/Si结构中ZnO薄 膜的机电耦合系数提高 了65%。  相似文献   

20.
真空电弧沉积的TiN薄膜表面分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
对真空电弧沉积的TiN薄膜表面化学组份、组织结构、形貌及库度分布进行了测试与分析。结果表明,薄膜中Ti、N两种元素原子比接近1:1,其它杂质元素含量极少,薄膜为TiN单相结构,(111)晶面择优取向;薄膜表面形貌光滑致密,颗粒含量少;薄膜厚度分布较均匀。  相似文献   

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