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低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线 总被引:1,自引:0,他引:1
在厚膜多孔硅 (PS) /氧化多孔硅 (OPS)衬底上 ,结合聚酰亚胺涂层改善表面 ,研制低损耗、高性能射频 (RF) /微波 (MW)共平面波导CPW(CoplanarWaveguide) .通过在N和P型硅上形成不同厚度PS膜 ,并对其上的CPW进行分析比较 ,厚膜PS与石英的共面波导插入损耗非常接近 ,远小于在 2 0 0 0Ω·cm高阻硅上形成的多晶硅 -氧化硅组合衬底 :在 0 33GHz范围 ,插入损耗小于 5dB/ 1.2cm ;33 4 0GHz范围 ,小于 7.5dB/ 1.2cm . 相似文献
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报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以降低生成膜的应力 .薄膜的厚度约为110 nm;最小沟道产额 (χmin)为 2 2 % .外延三元硅化物膜的电阻率约为 17μΩ· cm ;高温稳定性达 相似文献
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用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析 总被引:7,自引:3,他引:4
用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2 膜满足低损耗光波导器件的要求 相似文献
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硅基底电子束蒸发铝膜阳极氧化特性 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了硅衬底上电子束蒸发铝膜 ,在 H2 SO4 水溶液中阳极氧化形成硅衬底多孔氧化铝复合结构的过程 .硅衬底电子束蒸发铝膜的阳极氧化过程主要由多孔氧化铝的生长、氧化铝生长向氧化硅生长的过渡和氧化硅生长三个阶段构成 .硅衬底多孔氧化铝复合结构的透射电子显微镜观察表明 ,在硅衬底上形成了垂直于硅表面的氧化铝纳米孔 ,而孔底可形成 Si O2 层 .有序结构多孔氧化铝的形成不依赖于铝膜的结晶状态 ,而是由阳极氧化过程的自组织作用所决定的 .实验表明将多孔氧化铝制备工艺移植到硅基衬底上直接形成硅基衬底多孔氧化铝复合结构是可行的 相似文献
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ZnO纳米岛的MOCVD自组装生长 总被引:4,自引:1,他引:3
利用低压金属有机源气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上生长 Zn O纳米岛 ,发现在适当的生长条件下 ,可以生长出规则排列的纳米岛 .实验发现随着生长时间的增加 ,在蓝宝石衬底上沉积的 Zn O晶体颗粒无论是密度还是体积都在增加 ,并出现颗粒之间的交叠现象 .与厚膜材料相比 ,相应的室温 PL 谱上显示出带边蓝移现象 ,随着生长温度的提高将大大增加 Zn O在蓝宝石衬底上成核的困难 .另外 ,所有样品的室温 PL 谱在带边附近均存在一个展宽峰 ,这可能是由表面态或晶体缺陷造成的 .研究表明选择合适的生长时间与生长温度是利用MOCVD生长高质 相似文献
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分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导.结果表明,低阻硅衬底导致过高的微波损耗从而不能使用,通过加氧化硅介质层,微波损耗可以大大减少,但是需要较厚的氧化硅厚度.直接制备在高阻硅衬底上的共面波导在所测试的26GHz的频率范围内获得低于2dB/cm的微波损耗,而且工艺十分简单. 相似文献
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K. C. Goretta V. R. Todt D. J. Miller M. T. Lanagan Y. L. Chen U. Balachandran J. Guo J. A. Lewis 《Journal of Electronic Materials》1995,24(12):1961-1966
Three methods were used to introduce flux-pinning centers into Bi2Sr2CaCu2Ox (Bi-2212) and TlBa2Ca2Cu3Ox (Tl-1223) samples. It was found that carbon induced local decomposition, that nanosized Al2O3 additions created stable reaction products, and that second phases could be isolated in Tl-1223 during synthesis. Each of
these defects enhanced flux pinning and was of most benefit at temperatures ≤ 35K. 相似文献
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Lasing at 1.3 μ upon flash photolysis of 2-2-2 tri-fluoroethyliodide, CF3 CH2 I, has been observed on the2P_{1/2} -2P_{3/2} magnetic dipole allowed transition of atomic iodine. Using an 800-J flash, a maximum peak power output of approximately 108 W for 10-μs duration at half-maximum intensity was obtained with a pressure of 17 torr CF3 CH2 I. 相似文献
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Dan Terlep 《电子产品世界》2006,(13):94-98
本文提供了混频器的2×2杂散响应与IP2的关系及其在接收机设计中的应用.并以MAX9993有源混频器在UMTSWCDMA系统中的应用为例具体分析IP2与2×2杂散响应的关系. 相似文献
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Y. F. Li M. E. Loomans K. C. Goretta S. E. Dorris M. T. Lanagan R. B. Poeppel J. J. Wenzlaff P. M. Winandy C. A. Youngdahl U. Balachandran P. Kostic 《Journal of Electronic Materials》1994,23(11):1163-1167
Three phase assemblages were used to produce Bi2Sr2CaCu2Ox (2212) during sintering: a mixture of 20% Ca-rich 2212+80%2212, partially synthesized 2212, and Bi2Sr2CuOx (2201)+(1/2 Ca2 CuO3+1/2 CuO) (denoted 0011). The mixture of 2201+0011 produced highly pure 2212 within 50 h of heating in air at ≈850°C. Ag tubes
were filled with a mixture of 2201+0011 and worked into tapes by a powder-in-tube process. Heat treatments produced microstructures
consisting of small, highly textured 2212 grains. Tc values were ≈70K. Transport Jc values at 4.2K were ≈104 A/cm2. 相似文献
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氟氧化物玻璃陶瓷综合了传统激光晶体和激光玻璃的优点,是近年来激光材料研究的新热点。我们制备了掺杂Er离子的SiO2-Al2O3-PbF2-ZnF2玻璃陶瓷材料,并对其显微结构进行了初步研究。 相似文献