Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作，利用器件主要的性能参数，详细分析了UTB结构的交流特性．通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响，对器件结构进行了优化．最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法，从而实现了结构参数的优化选取，使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛．     

CCD多路信号传输器的研制

采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了１６位线阵ＣＣＤ多路信号传输器，器件动态范围达４５ｄＢ，转移效率≥９９．９９％。文章阐述该器件的结构、工作原理、器件参数分析及影响器件性能的因素和专项工艺研究。     

6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响

采用二维器件仿真软件Medici，模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数，如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等，对器件特性(阏值电压和跨导)的影响。结果表明，其结构参数对器件特性有较大影响。同时，对所得结果从内部物理机制上进行了分析。     

TAB器件的电特性分析

本文介绍了自动带焊（ＴＡＢ）器件的载带结构及其电参数，构造了集中参数的等效电路．用ＰＳＰＩＣＥ程序对ＴＡＢ器件和引线键合器件的高频特性进行分析和对比后，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性方面优于传统封装形式的器件。通过长线模型，模拟了ＴＡＢ器件的延时特性；并分析了ＴＡＢ器件的热特性。     

7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究

研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。     

超薄体MOSFET的结构优化

对U TB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在U TB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(Gex Si1 - x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的U TB器件     

超薄体MOSFET的结构优化

对UTB器件的各结构参数进行了优化,给出了UTB器件设计的指导方向.在UTB器件的设计中,有三个重要参数,即器件的源漏提升高度、锗硅栅(GexSi1-x)中Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析,给出了器件各结构参数的优化方向,找出了可行Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区.通过模拟分析发现,只要合理选择器件的结构参数,就能得到性能优良的UTB器件.     

一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件

高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路，高压集成电路的研究与发展，主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件，并对该器件结构进行了耐压分析，给出了该器件的击穿特性；等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明，该结构具有比较高的击穿电压，并且工艺简单，受工艺参数波动的影响较小，不失为一种提高集成电路耐压的新途径。     

FED器件的支撑结构设计和实现

使用墙式结构作为FED器件的内的支撑，使用Algor专用力学有限元件对器件各种结构的力学特性进行了数值计算，同时对照器件的电学特性后确定了支撑墙的分布密度，安装位置和装配误差等工艺参数，并完成了现有器件条件下的工艺实现，得到理想的结果。     

双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析

本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还对不同结构、工艺参数的BNRD进行了模拟，总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系．     

多芯片组件的热三维有限元模拟与分析

以ATMEL公司生产的MCM的内部结构、尺寸和材料为基础,在有限元分析软件ANSYS的环境下建立了该MCM的三维模型。对该MCM在典型工作模式下内部和封装表面温度场分布情况进行了模拟,并分析了该MCM工作时各部分散热比例情况和MCM各部分材料的热导率对内部温度的影响。MCM表面温度的模拟结果和用红外热像仪测得的结果基本一致,有限元模型和分析方法能够比较精确地反映MCM温度场分布。     

有限元分析软件ANSYS在多芯片组件热分析中的应用

MCM(多芯片组件)的热分析技术是MCM可靠性设计的关键技术之一。基于有限元法的数值模拟技术是MCM热设计的重要工具。文中主要以ANSYS软件为例,介绍利用其对MCM进行热分析的实例。建立了一种用于某种特殊场合的MCM的三维热模型,得出了MCM内部的温度分布,并定量分析比较了空气自然、强迫对流和液体自然、强迫对流情况下对散热情况的影响。研究结果为MCM的热设计提供了重要的理论依据。     

多芯片组件散热的三维有限元分析

基于有限元法的数值模拟技术是多芯片组件(Multichip Module)热设计的重要工具。采用有限元软件ANSYS建立了一种用于某种特殊场合的MCM的三维热模型,对空气自然对流情况下,MCM模型的温度分布和散热状况进行了模拟计算。并定量分析了空气强迫对流和热沉两种热增强手段对MCM模型温度分布和散热状况的影响。研究结果为MCM的热设计提供了重要的理论依据。     

3-D MCM 的种类

介绍了3-D MCM封装的种类,其中包括芯片垂直互连和2-D MCM的垂直互连。芯片的垂直互连,包括芯片之间通过周边进行互连,以及芯片之间通过贯穿芯片进行垂直互连(面互连);2-D MCM模块垂直互连,包括2-D MCM之间通过周边进行互连,以及面互连的模式。     

有限元分析法在MCM三维热模拟中的应用

多芯片组件(MCM)的可靠性特别是其热可靠性已经成为国内外电子产品可靠性研究的焦点之一. 热有限元分析法是多芯片组件热分析的重要方法. 本文运用ANSYS工具建立了MCM的三维热模型，得到了温场分布.通过热模拟和热分析，提出了改善MCM温场的方案.     

基于热叠加模型的叠层3D多芯片组件芯片热布局优化研究

 叠层三维多芯片组件(3D Multi-Chip Module,MCM)芯片的位置布局直接影响其内部温度场分布,进而影响其可靠性.本文研究了叠层3D-MCM内芯片热布局优化问题,目标是降低芯片最高温度、平均芯片温度场.基于热叠加模型并结合热传导公式,选取芯片的温度作为评价指标,确定出用于3D-MCM热布局优化的适应度函数,采用遗传算法对芯片热布局进行优化,得出了最优芯片热布局方案,总结出了可用于指导叠层3D-MCM芯片热布局设计的热布局规则;采用有限元仿真方法,对所得的热布局优化结果进行验证,结果表明热布局优化结果与仿真实验结果一致,本文所提出的基于热叠加模型的MCM热布局优化算法可实现叠层3D-MCM芯片的热布局优化.     

Packaging technology for high performance CMOS server FujitsuGS8900

Advanced packaging technologies for CMOS based high performance Fujitsu Global Server GS8900, released in late 1999, are introduced in this paper. Extending a new standard for technological leadership among large-scale enterprise servers, the GS8900 broke the 2000 MIPS barrier in performance for the first time by taking advantages of Fujitsu advanced 0.18 μm copper wiring process and chip/MCM/system packaging capabilities, delivering a doubled performance in comparison to its predecessor. The packaging technologies are uniquely characterized in several aspects. First, the high density stacked via type MCM-D technology features four pairs of CPU tightly coupled multiprocessor and large capacity second caches, the maximum processor terminal count is more than 10,000. The processors are wired onto a multilayer thin film MCM substrate with 153 μm pitch high-density area array lead-free bumps. Secondly, maximum four CPU-MCMs, including 16 CPU processors, and 64 GB main memory modules are mounted on one multilayer system board of high frequency transmission properties. Each MCM is held through a high-density ZIF connector of around 3000 I/Os in a 1.27 mm pitch full matrix, which is assembled on the system board with lead-free solders. Thirdly, advanced cooling technologies are developed for improving the system performance and reliability     

3D MCM组件产品热分析技术研究

三维多芯片组件(3D MCM-Three Dimension Multi-Chip Module)是近几年正在发展的一种电子封装技术。在3DMCM封装中,随着芯片封装密度的增加,对其热分析与热设计技术就显得越来越重要了。文章利用有限元方法,通过Ansys软件工具对某静态存储器组件(3DMCM模块)内部温度场进行了模拟仿真,并与实验数据进行了对比,获得了很好的分析效果,为3DMCM的可靠性设计提供了技术支持。     

矩形集成电路半解析热分析软件--BJX热分析软件的研制

半解析热分析法具有解析法的高精度，又具有数值法的较宽适用范围。编制出的计算软件具有分析时间短、操作简便、成本低廉等优点，可能成为下一代集成电路实际使用的热分析软件。     

On the Nonlinear Companding Transform for Reduction in PAPR of MCM Signals

In this paper, we provide the design criteria of the nonlinear companding transforms for reduction in peak-to-average power ratio (PAPR) of multi-carrier modulation (MCM) signals, which can enable the original MCM signals to be transformed into the desirable distribution. As examples, some novel nonlinear companding transforms have been proposed to transform the amplitude or power of the original MCM signals into uniform distribution, which can effectively reduce the PAPR for different modulation formats and subcarrier sizes without any complexity increase and bandwidth expansion. It has been shown by computer simulations that the proposed schemes can significantly improve the performance of MCM systems including bit-error-rate and PAPR reduction.