影响平行缝焊效果的各工艺参数的分析

平行缝焊是对集成电路管壳进行气密性封装的一种手段,这是一种低热应力、高可靠性的气密封装。平行缝焊最佳效果是管壳回流区域连续无孔隙,且管壳温度又不过高。文章主要以如何能够使平行缝焊效果达到最佳为主体,从平行缝焊的工作原理出发,对平行缝焊过程的主要工艺参数进行分析,并叙述了每个参数的变化对平行缝焊热量的影响以及各工艺参数间如何相互配合,才能获得平行缝焊最佳效果。最后,通过具体事例来说明怎样设置各参数才能获得最佳效果。因此,在平行缝焊过程中一定要注重缝焊参数的选择,保证获得最佳缝焊效果。     

平行缝焊

本文阐述了平行缝焊的工作原理及优缺点,介绍了平行缝焊的过程和条件。     

平行缝焊接方式研究

介绍了平行缝焊的作用与工作原理,阐述了平行缝焊的3种焊接方式。     

平行缝焊焊缝质量的评判

平行缝焊是微电子单片集成电路及混合电路气密封装的一种关键密封工艺,其中焊缝质量的优劣对平行缝焊产品的密封质量、可靠性影响较大。虽然平行缝焊只是在盖板边缘进行局部加温,对外壳的整体升温比较低,但如果工艺控制不当的话,缝焊过程中同样会引入较大的热应力,导致焊环与陶瓷结合部位开裂,最终造成筛选、鉴定试验过程中的气密性失效。针对平行缝焊工艺中焊点、焊缝质量的评判方法进行了讨论。     

气密性平行缝焊技术与工艺

气密性封焊的产品因其杰出的可靠性被广泛应用于军事应用。与储能焊、激光焊相比,平行缝焊具有可靠性高、密封性能优越、运行成本低及生产率高等特点,是微电子器件最常用的气密性封装方法之一。主要阐述了气密性平行缝焊技术与工艺,并对焊接工艺参数进行了详细分析,同时给出了气密性检测要求及针对性措施。     

平行缝焊工艺的热效应研究

平行缝焊作为一种高可靠性的气密性密封方法,在陶瓷封装行业中有着愈发重要的应用。封焊过程中瞬间产生的高能量在完成密封的同时,会对陶瓷外壳造成很高的热应力残留,可能会对器件可靠性产生影响。介绍了平行缝焊的工作原理及工艺参数,并通过使用ANSYS软件对工艺过程中的各参数进行热仿真分析,研究平行缝焊工艺参数对陶瓷封装的热影响。     

平行缝焊工艺抗盐雾腐蚀技术研究

抗盐雾腐蚀是提高集成电路封装可靠性的重要手段之一.根据金属腐蚀机理,通过优化封焊工艺和AuSn合金焊料平行缝焊封盖工艺,以及在封盖后再次进行电镀修复损伤等措施,提高了平行缝焊集成电路的杭盐雾腐蚀能力.     

基于焊接数据分析的平行缝焊缺陷检测方法

平行缝焊是一种用于对露点和气密性要求较高的微电子单片集成电路管壳进行气密性封装的封装工艺。影响缝焊质量的因素有很多,因此有多种针对平行缝焊缺陷检测的手段,通常是经过显微镜目检,氦质谱检漏和氟油粗检三种检测方式。通过对不同焊接问题反馈的焊接数据进行数据分析,提出一种基于焊接数据分析的平行缝焊缺陷检测,可以有效提高缺陷检测的准确率和效率。     

HTCC产品气密性封装的平行缝焊工艺研究

平行缝焊作为气密性封装的一种重要封装形式,以其适用范围广、可靠性高等优势被广泛应用。在高温共烧陶瓷(High Temperature Co-fired Ceramics, HTCC)产品气密性封装应用时,有诸多因素可能会引起产品密封不合格,导致电路失效。从产品盖板和底座的清洁度、预焊过程控制、封装夹具制作及封装参数的设置4个方面研究了平行缝焊工艺对HTCC产品气密性封装效果的影响。研究结果显示,为减少平行缝焊时陶瓷管壳所受到的热冲击,在脉冲周期内脉冲宽度要短,焊封能量应尽可能小,同时平行缝焊工艺中非封装参数影响的焊道质量也会影响HTCC产品气密性封装的效果。     

微小型一体化管壳气密封装技术

微小型一体化管壳将基板和外壳构成一个封装整体,可以较好地解决高密度集成微电路的封装难题。平行缝焊技术是微小型一体化管壳气密封装的主要形式,平行缝焊的热应力是造成微小型一体化管壳气密封装失效的主要原因。文章用有限元法计算了微小型一体化管壳的热应力分布,并在此基础上优化了平行缝焊参数,保证获得最佳的焊接效果。     

现代圆片级封装技术的发展与应用

本文论述了圆片级封装的发展、优势、种类、应用、研究课题及产业化注意事项。     

电子封装技术发展现状及趋势

现今集成电路晶圆的特征线宽进入微纳电子时代,而电子产品和电子系统的微小型化依赖先进电子封装技术的进步,封装技术已成为半导体行业关注的焦点之一。主要介绍了近年来国内外出现的有市场价值的封装技术,详细描述了一些典型封装的基本结构和组装工艺,并指出了其发展现状及趋势。各种封装方法近年来层出不穷,实现了更高层次的封装集成,因而封装具有更高的密度、更强的功能、更优的性能、更小的体积、更低的功耗、更快的速度、更小的延迟、成本不断降低等优势,其技术研究和生产工艺不可忽视,在今后的一段时间内将拥有巨大的市场潜力与发展空间,推动半导体行业进入后摩尔时代。     

我国微电子封装研发能力现状

对从事微电子封装技术与培训、封装外壳与特种器件封装、封装设备、封装可靠性与标准化、封装材料、测试技术研发的科研院所进行了分析;对高等院校的微电子封装科研及人才培养机构进行了分析,对从事微电子封装研究、开发和服务的其他机构进行了分析。最后对我国封装研发和产业发展能力的培养进行了探讨。     

激光键合技术在封装中的应用及研究进展

激光键合技术以其局部非接触加热、灵活性强和可控性能好的优点在电子封装、光电子封装以及MEMS封装中得到了应用。以几种激光键合技术的研究和应用为实例,分析和探讨了激光键合技术中的关键问题及其发展趋势。     

三级微电子封装技术

微电子封装一般可分为三级封装,即用封装外壳(金属、陶瓷、塑料等)封装成单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的一级封装,常称芯片级封装;将一级封装和其它元器件一同组装到基板(PWB或其它基板)上的二级封装,又称板级封装;以及再将二级封装组装到母板上的三级封装,这一级也称为系统级封装.(而一、二级封装的关系更加密切,已达到技术上的融合).     

Packaging investigation of optoelectronic devices

Compared with microelectronic packaging, optoelectronic packaging as a new packaging type has been developed rapidly and it will play an essential role in optical communication.In this paper, we try to summarize the development history, research status, technology issues and future prospects, and hope to provide a meaningful reference.     

MEMS中的封装技术研究

MEMS中的封装工艺与半导体工艺中的封装具有一定的相似性 ,因此 ,早期MEMS的封装大多借用半导体中现成的工艺。本文首先介绍了封装的主要形式 ,然后着重阐述了晶圆级封装与芯片级封装[1] 。最后给出了一些商业化的实例     

中国LED封装技术与国外的差异

本文从封装设备、LED芯片、辅助封装材料、封装设计、封装工艺、LED器件性能等方面描述了当今中国LED封装技术与国外技术的差异,既肯定了中国LED封装技术长足的进步,也找出了与国外技术之间的差距。     

微系统与中规模器件的封装技术设计

文章主要论述了微机电系统(MEMS)和微系统诸如微传感器、驱动器和微流体元件的电机封装技术、封装等级和封装技术相关的问题.首先陈述并讨论了典型的MEMS产品诸如微压传感器、加速度计和微泵;微电子封装和微系统封装技术,重点阐述芯片级封装技术和器件级封装技术问题.芯片级封装技术主要涉及芯片钝化、芯片隔离和芯片压焊;器件级封...     

基于OLED器件的封装方法研究

有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示因其全固态、自发光、具有高发光效率等优点,市场占有率逐年提高。然而,可靠封装仍然是困扰OLED显示领域的关键技术问题之一。首先从常见的OLED封装方法展开讨论,分析了各种结构特点与缺陷,其次论述了具有广大发展前景的薄膜封装技术封装结构发展历程,以及封装结构的改进。最后对目前常见的无机薄膜制备工艺与有机薄膜制备工艺进行了归纳对比,并对薄膜封装的发展提出了展望。