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目标的红外辐射强度是由目标表面温度和目标表面发射率两个因素决定的。本文介绍了电致变发射率和半导体电致变温的基本原理和器件结构,具体分析了晶态氧化钨薄膜、聚苯胺薄膜和半导体等作为电致变发射率材料的特点,提出了一种目标红外辐射控制系统原理,为实现目标红外辐射与背景红外辐射的融合、降低目标的可检测性理清了思路。 相似文献
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采用多弧离子镀法在柔性聚酰亚胺(PI)基底上制备了Ti/TiO2复合多层薄膜,通过控制基底材料的粗糙度使制备出的薄膜在可见波段具有非镜面反射效果。通过分别控制薄膜的内层和外层膜的厚度使其在8~14μm波段具有连续可调的红外发射率。采用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见-近红外光光度计等测试手段对薄膜样品进行了表征,并测试了样品的红外发射率。实验结果表明,采用多弧离子镀法成功的在PI基底上制备了结合力较好、具有多种颜色、红外发射率和方块电阻连续可调的薄膜。研究发现,在外层TiO2膜工艺不变的情况下,随着内层Ti膜厚度增加,红外发射率和方块电阻连续减小;在内层Ti膜工艺不变的情况下,随着外层TiO2膜厚度增加,红外发射率和方块电阻连续增大。 相似文献
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设计并研制出一种基于超材料的宽带微波/红外兼容隐身结构器件,该结构包括基于氧化铟锡(ITO)薄膜制备出的红外隐身层、微波吸收层和微波反射层,红外隐身层由圆环镂空结构的频率选择表面组成,微波吸收层由周期和方阻均不同的方环结构组成,微波反射层由连续的导电薄膜组成。各层由厚度不同的聚甲基丙烯酰亚胺(PMI)隔开。结果表明此结构能够在2~18.6 GHz范围内实现90%以上的吸收,其红外发射率低于0.3。 相似文献
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二氧化钒在红外自适应隐身技术中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
二氧化钒(VO2)是一种热致可逆相变氧化物,在约68℃时发生由半导体态向金属态的一级位移型相变,同时伴随着显著的电学、磁学、光学特性的变化,且相变温度可通过掺杂调节。制备了二氧化钒粉体和薄膜材料,分别研究了两种材料的热致红外发射率变化特性;采用热像仪拍摄了二氧化钒涂层和薄膜不同温度的红外热图,探讨了其在隐身技术中的应用。结果表明:二氧化钒涂层和薄膜在相变前后具有主动控制自身辐射强度的特性,在红外自适应隐身技术中具有一定的应用前景。 相似文献
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三、铁电薄膜的潜在应用薄膜工艺的发展为制作高质量铁电薄膜建立了技术基础,而优质铁电薄膜将推动和发展铁电材料的多功能效应并开拓新领域中的应用,其潜在意义目前尚难予计,下面仅对铁电薄膜在几种应用方面的探索作一初步介绍.1.铁电-半导体器件通过铁电体和半导体材料的直线接合,利用铁电材料之极化场来调制半导体的电导率等有可能构成有实用价值的铁电场效应器件. 相似文献
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基于谐波检测的调制光谱技术可以实现气体浓度的高灵敏检测,而最佳分析性能的实现依赖于系统调制参数的优化。研究了基于谐波的红外激光调制光谱信号特征,分析了调制参数与谐波特性的对应关系,针对典型的红外半导体激光光谱气体检测系统开展了实验研究与验证分析,获取了不同调制信号电压的谐波信号特征,分析确定了系统最佳调制参数。 相似文献
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半导体激光器调制特性的人工神经网络仿真 总被引:1,自引:1,他引:1
对半导体激光器调制特性进行了理论分析,通过研究半导体激光器调制特性的速率方程,推导了调制特性的解析表达式。用广义回归神经网络建立了激光器调制特性的神经网络模型,通过训练好的神经网络模型对激光器调制特性进行了深入分析,并对激光器结构进行了仿真设计。模型输出结果与理论分析的结果相吻合,且该方法具有速度快、精度高、重复性好等优点。研究结果表明,利用神经网络模型可以对半导体激光器性能进行分析,并确定半导体激光器的一些结构尺寸。 相似文献
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为了研究能够在室温下实现稳定多波长输出的掺铒光纤激光器,采用了在激光谐振腔中引入正弦相位调制和偏振烧孔来抑制腔中模式竞争的方法。在线形谐振腔中,利用半导体光波导作为一个反射腔镜,并用正弦信号对其进行驱动。这样,半导体光波导可以等效成两个器件:一个对光信号产生移频反馈效果的正弦相位调制器,和一个诱使掺铒光纤中产生偏振烧孔的非线性相位延时器。通过实验,得到了10波长输出的稳定光谱。相邻波长间隔为0.32nm,功率谱比较平坦,起伏小于3dB。结果表明,相位调制和偏振烧孔的共同作用,可以有效的抑制由于掺铒光纤的均匀展宽效应引起的模式竞争。 相似文献
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为了实现基于光频调制相位生成载波解调的干涉型光纤传感系统,需要对激光光源的频率进行调制.首先,文章根据直接电流调制原理设计井开发了一种半导体激光器光频调制驱动电源,主要由精密蕈准电压源、内部信号发生器,加法器、恒流源(电压电流转换、电流放大和电压负反馈)、慢启动电路、纹波抑制电路和过流保护电路等基本单元组成.接着,建立... 相似文献