微波低噪声SiGe HBT的研制

利用3μm工艺条件制得SiGeHBT(HeterojunctionBipolarTransistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,相关功率增益为12.6dB,1GHz工作频率下的最小噪声系数为1.9dB,相关功率增益为9dB,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景     

12GHz 1.5dB低噪声GaAs MESFET

本文叙述了12GHz低噪声GaAs MESFET的设计和制造.用普通光刻技术制成了高性能GaAs MESFET.在12GHz下测得器件最小噪声系数为1.4dB,相关增益7.5dB.     

18GHz最小噪声系数1.7dB GaAs MESFET

本文叙述了18GHz低噪声GaAs MESFET的设计和制作。讨论了影响器件性能和成品率的材料、工艺因素。在18GHz下器件的最小噪声系数为1.7dB,相关增益为7.0dB。     

UHF-L波段低噪声GaAs双栅MESFET

本文采用二维直流传输特性和s、y参数分析双栅MESFET的性能,介绍了器件设计和实验结果.得到的最佳性能为:在1GHz下噪声系数0.7dB,相关增益22.4dB;在1.9GHz下,噪声系数0.9dB,相关增益15.5dB.     

超低噪声毫米波PHEMT

以AlGaAs/InGaAs/GaAs为基础的十分之一微米栅长PHEMT器件在43GHz下提供了最优良的低噪声性能。测量的室温器件噪声系数为1.32dB(噪声温度=103K),相关增益6.7dB,在17K物理温度下,噪声系数为0.36dB(噪声温度=25K),相关增益为6.9dB,这是目前报道的43GHz下GaAs基器件的最低噪声系数。     

英飞凌制造出SiGe∶C基RF晶体管

英飞凌公司透露了他们用SiGe∶C工艺技术制造RF半导体器件。这种SiGe∶C技术是英飞凌公司最新一代HBT的基础,它使得硅基分立晶体管的噪声系数在6GHz下仅0.75dB,6GHz下的增益高至19dB。英飞凌的RF晶体管的典型过渡频率为42GHz,1.8GHz下的噪声系数0.5dB,6GHz下0.75dB。这些器件1.8GHz下的最大稳定功率增益Gms为28dB,6GHz下最大可用功率增益Gma典型值为19dB,它们可用于宽RF频段和无线用途,如无线局域网(WLAN)。该公司的HBT芯片还具有金金属化的特点。英飞凌制造出SiGe∶C基RF晶体管@陈裕权…     

D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现（英文）

利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,芯片面积2.6mm×1.2mm.基于器件B设计的两级放大器B在片测试结果表明:最大小信号增益为15.8dB@139GHz,3dB带宽12GHz,在130～150GHz频带范围内增益大于10dB,芯片面积1.7mm×0.8mm,带内最小噪声为4.4dB、相关增益15dB@141GHz,平均噪声系数约为5.2dB.放大器B具有高的单级增益、相对高的增益面积比以及较好的噪声系数.该放大器芯片的设计实现对于构建D波段接收前端具有借鉴意义.     

60GHz GaAs FET放大器

用1/4μm栅结构研制出新的毫米波场效应晶体管(FET)器件。这个器件在波导-微波集成电路(MIC)放大器电路中从55～62GHz有5.0±0.5dB的增益,在60GHz下最小噪声系数为7.1dB。     

X波段低温低噪声宽带放大器的研究

阐述利用HEMT微波器件在低温下噪声显著降低的特性,研制X波段低温低噪声放大器的过程.分析了在低温下HEMT器件良好的噪声特性和微带线插损显著降低的特点.采用微波宽带匹配技术,设计并制作出宽带低温低噪声放大器.在液氮温区,其主要性能指标为:工作频率8～10GHz,增益＞26dB,噪声系数≤0.4dB.     

X波段噪声系数1.4分贝的GaAs MESFET

<正>南京固体器件研究所已研制成功栅长0.5μm、栅宽280μm,以φ2mm陶瓷金属微带管壳封装的实用化的GaAs MESFET.在9.5GHz下测得最佳水平器件的噪声系数为1.4dB,相关增益大于7dB.大部分器件的噪声系数在1.5～2.5dB范围内.与日本NEC的NE388MESFET进行同等条件下测试对比,说明测试结果可靠.